Twój Koszyk

Parametry tranzystorów GaN HEMT - wyniki I etapu projektu PolHEMT

nr katalogowy: 93279

10.15199/48.2015.09.55

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-11

Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty

Mirosław MIKOŁAJEWSKI

nr katalogowy: 116859

10.15199/48.2018.11.19

Model DC tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem parametrów fizycznych

nr katalogowy: 93278

10.15199/48.2015.09.54

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-3

Experimental evaluation of GaN Gate Injection Transistors

nr katalogowy: 89892

10.15199/48.2015.03.03

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-6

Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN

Piotr PAZIEWSKI

nr katalogowy: 132304

10.15199/48.2021.06.31

Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

nr katalogowy: 93253

10.15199/48.2015.09.29

Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

nr katalogowy: 93235

10.15199/48.2015.09.01

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2018-1

Stan technologii mikrofalowych elementów z azotku galu

nr katalogowy: 111808

10.15199/13.2018.1.4

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-3

Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SiC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT

nr katalogowy: 50822

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-10

Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN

nr katalogowy: 109838

10.15199/48.2017.10.21

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

nr katalogowy: 79296

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9

Zasilacz sterowany cyfrowo z przetwornicą reverse buck

nr katalogowy: 145281

10.15199/48.2023.09.59

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-11

Montaż struktur AlGaN/GaN na Si do podłoży DBC w oparciu o technologię SLID oraz zgrzewania dyfuzyjnego mikroproszkiem Ag

nr katalogowy: 123214

10.15199/48.2019.11.02

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-5

Broadband power electronics controlled voltage source with output stage based on GaN transistors

Michał GWÓŹDŹ

nr katalogowy: 113556

10.15199/48.2018.05.12

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

nr katalogowy: 141641

10.15199/13.2023.1.3

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

nr katalogowy: 141641

10.15199/13.2023.1.3

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

nr katalogowy: 141641

10.15199/13.2023.1.3

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-3

WZMACNIACZ AKUSTYCZNY DUŻEJ MOCY Z TRANZYSTORAMI Z GaN

nr katalogowy: 136857

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-6

Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN

nr katalogowy: 91808

10.15199/13.2015.6.1

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-3

WZMACNIACZ AKUSTYCZNY DUŻEJ MOCY Z TRANZYSTORAMI Z GaN

nr katalogowy: 136857

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-1

Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC

nr katalogowy: 103250

10.15199/48.2017.01.78

Właściwości i zastosowania tranzystorów HEMT na bazie azotku galu

nr katalogowy: 93242

10.15199/48.2015.09.18

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9

Wpływ światła na rezystancję powierzchniową heterostruktury AlGaN/GaN

nr katalogowy: 115806

10.15199/48.2018.09.07

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2021-8

NOWA FALA GaN I SIC

nr katalogowy: 133104

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN

nr katalogowy: 79300

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si techniką skaningowej mikroskopii pojemnościowej

nr katalogowy: 108527

10.15199/48.2017.08.15

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Wyznaczanie profilu koncentracji nośników i domieszek w strukturach 2DEG na bazie GaN

nr katalogowy: 62689

Comparative molecular dynamics studies of Si, GaN and SiC thermal conductivity

Bohdan ANDRIYEVSKY

nr katalogowy: 93226

10.15199/48.2015.09.02

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-1

Wyznaczanie naprężeń w strukturach epitaksjalnych GaN

RYSZARD KORBUTOWICZ

nr katalogowy: 40885

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10

Procesy wytwarzania periodycznych struktur o wymiarach nanometrowych w GaN przy użyciu technik litografii NIL

nr katalogowy: 80122

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5

Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz)

Jacek RĄBKOWSKI

nr katalogowy: 98173

10.15199/48.2016.05.09

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-10

Numerical simulation of UV LED single quantum well based on AlGaN/GaN/AlGaN

Fatima Zohra RAHOU

nr katalogowy: 150749

10.15199/48.2024.10.23

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

nr katalogowy: 62660

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1

Tranzystory TFT z amorficznego GaN otrzymane na powierzchni krzemowej lub kwarcowej z metalizowanym wzorem

nr katalogowy: 32596

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN

nr katalogowy: 62665

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si

nr katalogowy: 70964

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-8

Technologia tranzystorów HEMT na bazie azotku galu do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy i energoelektronice

nr katalogowy: 100445

10.15199/13.2016.8.14

Trójpoziomowy przekształtnik podwyższający napięcie z obwodem quasi-impedancyjnym i tranzystorami GaN HEMT

nr katalogowy: 126985

10.15199/48.2020.07.19

Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET

nr katalogowy: 126978

10.15199/48.2020.07.12

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

Selektywne osadzanie warstw GaN na podłożach krzemowych metodą reaktywnego sputteringu

nr katalogowy: 8990

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-1

Niskonapięciowy prostownik synchroniczny z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN

nr katalogowy: 103222

10.15199/48.2017.01.50

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-8

Application of GaN HEMT as a bidirectional switch in matrix converter

nr katalogowy: 121604

10.15199/48.2019.08.34

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-6

Efficiency optimization of totem pole PFC with Gallium Nitride semiconductors

nr katalogowy: 132280

10.15199/48.2021.06.07

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem

nr katalogowy: 122093

10.15199/48.2019.09.33

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Mechanizm wzrostu warstw GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

nr katalogowy: 62678

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-1a

Transistor Converter with Multicell Structure and Combined Control for Micro Resistance Welding Machines

nr katalogowy: 65346

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-7

AMMONO-GaN substrates for microwave and RF electronics applications

nr katalogowy: 69621

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2

Czujnik wodoru AlGaN/GaN FAT-HEMT

nr katalogowy: 66154

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2013-4

Recognition and characterization of defects in GaN epilayers

nr katalogowy: 79713

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Symulacje i modelowanie zaawansowanych struktur tranzystorów HEMT AlGaN/GaN

nr katalogowy: 70973

Jednofazowy mostkowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami GaN GIT

nr katalogowy: 112465

10.15199/48.2018.03.21

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2023-4

ZASTOSOWANIE ELEKTROD GRAFENOWYCH W PRZEŁĄCZNIKACH NA PASMO FAL MILIMETROWYCH WYKONANYCH W STRUKTURACH AlGaN/GaN

Jakub Sobolewski

nr katalogowy: 144760

10.15199/59.2023.4.32

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

3-drożny wzmacniacz Doherty’ego w konfiguracji odwróconej na pasmo S z tranzystorami GaN HEMT

Marcin Góralczyk

nr katalogowy: 133041

10.15199/59.2021.4.1

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

3-drożny wzmacniacz Doherty’ego w konfiguracji odwróconej na pasmo S z tranzystorami GaN HEMT

Marcin Góralczyk

nr katalogowy: 133041

10.15199/59.2021.4.1

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

3-drożny wzmacniacz Doherty’ego w konfiguracji odwróconej na pasmo S z tranzystorami GaN HEMT

Marcin Góralczyk

nr katalogowy: 133041

10.15199/59.2021.4.1

PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY 2011-1

Koncentraty i soki owocowe z Izraela oraz ekologiczne Przysmaki Viands

nr katalogowy: 57198

Small-signal microwave measurements and modeling of GaN FET devices manufactured by ITME

nr katalogowy: 93227

10.15199/48.2015.09.03

Single switch quasi-resonant ZVS converter with tapped inductor

nr katalogowy: 112452

10.15199/48.2018.03.08

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-3

WZMACNIACZE AKUSTYCZNE Z GAN (1)

nr katalogowy: 125612

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

nr katalogowy: 62662

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Evaluation of SiC and GaN FETs in Zero-Voltage Switching Interleaved Boost Converters

Piotr ZIMOCH

nr katalogowy: 122100

10.15199/48.2019.09.40

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Kontrolowane trawienia plazmą BCl3/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN

nr katalogowy: 70966

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

nr katalogowy: 79303

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-12

Właściwości akustycznych fal powierzchniowych w płaszczyźnie Z kryształu GaN

nr katalogowy: 56726

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007-II

Finding parametric characteristics in diode-transistor circuits

nr katalogowy: 30335

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10

Modularny Przekształtnik Wielopoziomowy z Wykorzystaniem Półprzewodników z Azotku Galu

nr katalogowy: 122742

10.15199/48.2019.10.39

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN - wpływ przewodności cieplnej podłoża

nr katalogowy: 70972

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Wpływ niedokładności wykonania wybranych elementów azotkowego lasera VCSEL na jego charakterystyki emisyjne

nr katalogowy: 122083

10.15199/48.2019.09.26

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2023-4

IMPLEMENTACJA METODY UKRYWANIA DANYCH W OBRAZACH Z WYKORZYSTANIEM SIECI GENERATYWNYCH

nr katalogowy: 144798

10.15199/59.2023.4.70

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2

Technologia SLID w montażu GaN-on-Si do podłoży Cu

nr katalogowy: 130179

10.15199/48.2021.02.15

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-9

A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results

Wiesław Kordalski

nr katalogowy: 86751

10.15199/ELE-2014-131

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-10

Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy

nr katalogowy: 94543

10.15199/13.2015.10.5

Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL

nr katalogowy: 93257

10.15199/48.2015.09.33

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2006-4

Niebieska rewolucja

Weronika Śliwa

nr katalogowy: 19497

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

NAJMNIEJSZA REZYSTANCJA KANAŁU

nr katalogowy: 141637

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-6

Behavior of light emitting diodes at low temperature

JAKUB PAJĄKOWSKI

nr katalogowy: 60607

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2006-12

WYNALAZKI

nr katalogowy: 22831

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10

Pomiary in-situ jednorodności temperatury i ex-situ grubości osadzonej warstwy w systemie epitaksjalnym AIXTRON CCS 3 x 2"

nr katalogowy: 122743

10.15199/48.2019.10.40

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-10

Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for electronic sensing applications

nr katalogowy: 94024

10.15199/48.2015.10.34

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-11

electronica 2020

nr katalogowy: 129208

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Influence of low-temperature annealing of AlGaN/GaN heterostructures on adhesion of evaporated Pt-based Schottky contacts

nr katalogowy: 79325

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

Komputerowe modelowanie przyrządów opartych na heterostrukturzen AIGaN-GaN-Al2O3

nr katalogowy: 9004

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

NAJMNIEJSZA REZYSTANCJA KANAŁU

nr katalogowy: 141637

Comparison of Field Effect Transistor with C-nPd gate and resistive C-nPd film sensing properties toward hydrogen

nr katalogowy: 139332

10.15199/48.2022.09.72

Comparison of Field Effect Transistor with C-nPd gate and resistive C-nPd film sensing properties toward hydrogen

nr katalogowy: 139332

10.15199/48.2022.09.72

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-6

Pojemności pasożytnicze w układach energoelektronicznych

nr katalogowy: 126573

10.15199/48.2020.06.14

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2023-3

Sygnały o technice

Jerzy Bojanowicz

nr katalogowy: 142456

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Model lasera o emisji krawędziowej z obszarem czynnym GaN/AlGaN emitującego promieniowanie ultrafioletowe

nr katalogowy: 79299

Simulation of neutron irradiation influence on p-n-p bipolar transistor characteristics

Spis treści / Contents

nr katalogowy: 93297

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-11

nr katalogowy: 101999

10.15199/48.2016.11.57

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

GaN- materiał do konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach

nr katalogowy: 8984

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2023-3

Next level epitaxy (NLE) – a novel approach for the mass production of semiconductor layers

nr katalogowy: 144061

10.15199/28.2023.3.2

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2023-3

Next level epitaxy (NLE) – a novel approach for the mass production of semiconductor layers

nr katalogowy: 144061

10.15199/28.2023.3.2

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2023-3

Next level epitaxy (NLE) – a novel approach for the mass production of semiconductor layers

nr katalogowy: 144061

10.15199/28.2023.3.2

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-5

Study of the side walls inclination angle after RIE process of piezotronic structures

nr katalogowy: 131574

10.15199/48.2021.05.16

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Komplementarne zastosowanie metod dyfrakcji i spektroskopii absorpcyjnej promieniowania X do charakteryzacji cienkich warstw Ti-Si-C

nr katalogowy: 70970

Projekt kompaktowego lasera typu VECSEL wykonanego na bazie materiałów azotkowych

nr katalogowy: 108529

10.15199/48.2017.08.17

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Projekt azotkowego lasera VCSEL z bezpośrednim wstrzykiwaniem prądu do obszaru czynnego

nr katalogowy: 115204

10.15199/48.2018.08.01

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-12

Wpływ domieszkowania na właściwości węglika krzemu (SiC) - przegląd

Katarzyna Racka-Szmidt

nr katalogowy: 95862

10.15199/13.2015.12.14

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8

Problemy montażu struktur SiC stosowanych w elektronice wysokich temperatur i dużych mocy

nr katalogowy: 37487

Tłumienie efektu thermal crosstalk w linijkach laserowych

nr katalogowy: 139296

10.15199/48.2022.09.36

Tłumienie efektu thermal crosstalk w linijkach laserowych

nr katalogowy: 139296

10.15199/48.2022.09.36

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-10

Komputerowa analiza zjawisk pojemnościowych w azotkowych laserach VCSEL

nr katalogowy: 139778

10.15199/48.2022.10.58

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-10

Komputerowa analiza zjawisk pojemnościowych w azotkowych laserach VCSEL

nr katalogowy: 139778

10.15199/48.2022.10.58

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-8

Example of Inrush Current Elimination After Connection of High Input DC Voltage

nr katalogowy: 127352

10.15199/48.2020.08.20

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007-2

Control characteristics of multiresonant ZVS boost converter

Elżbieta SZYCHTA

nr katalogowy: 23931

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-2

Modeling of InAs/Si Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor

nr katalogowy: 136090

10.15199/48.2022.02.30

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-2

Modeling of InAs/Si Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor

nr katalogowy: 136090

10.15199/48.2022.02.30

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-9b

Physical Implementation and Testing of Low-Power Adiabatic Flip-Flops with Energy-Recycling Pads

nr katalogowy: 70709

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3

Thermal stability of SiC MOS transistors

WITOLD J. STEPOWICZ

nr katalogowy: 58376

Właściwości i badania laboratoryjne wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF z ćwierćfalową linią długą

nr katalogowy: 126986

10.15199/48.2020.07.20

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2023-3

Sygnały o technice

Jerzy Bojanowicz

nr katalogowy: 142456

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10

Multiwibrator astabilny jako przykład układu tranzystorowego ze sprzężeniem zwrotnym w nauczaniu podstaw elektroniki

nr katalogowy: 122730

10.15199/48.2019.10.27

Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych

Jacek KOWALSKI

nr katalogowy: 136551

10.15199/48.2022.03.01

Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych

Jacek KOWALSKI

nr katalogowy: 136551

10.15199/48.2022.03.01

Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych

Jacek KOWALSKI

nr katalogowy: 136551

10.15199/48.2022.03.01

Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych

Jacek KOWALSKI

nr katalogowy: 136551

10.15199/48.2022.03.01

Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych

Jacek KOWALSKI

nr katalogowy: 136551

10.15199/48.2022.03.01

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2024-8

WYDARZENIA

nr katalogowy: 149976

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Zintegrowany układ oświetlenia próbki do mikroskopu ze skanującą sondą

nr katalogowy: 115209

10.15199/48.2018.08.06

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-11

Cooling of minimized surface-mount packages in power electronics applications

nr katalogowy: 128845

10.15199/48.2020.11.31

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9

Współczesne tranzystory mocy w impulsowych przekształtnikach napięcia Flyback

nr katalogowy: 115801

10.15199/48.2018.09.02

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-12a

Optimization of differential power analysis

nr katalogowy: 64250

Zastosowanie metod diagnostyki awarii tranzystorów w przekształtnikach sieciowych AC/DC

Piotr SOBAŃSKI

nr katalogowy: 112449

10.15199/48.2018.03.05

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-3

Understanding HVDC/FACTS Controller's Sustainable Development & Comparative Analyses of GTO, GCT, IGBT, MTO, ETO, MCT and MOSFET Operations

nr katalogowy: 125243

10.15199/48.2020.03.25

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Model diody elektroluminescencyjnej z ZnO

nr katalogowy: 62675

PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY 2024-1

Smaczne zakupy w galerii handlowej

nr katalogowy: 147593

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007-II

Finding operating points of the diode-transistor circuits via homotopy approach

nr katalogowy: 30347

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-11

Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl2/BCl3

nr katalogowy: 64035

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2

Technika grubowarstwowa i LTCC w realizacji elementów elektroniki wysokotemperaturowe

nr katalogowy: 66155

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT

Joanna SZELĄGOWSKA

nr katalogowy: 115223

10.15199/48.2018.08.20

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-2

Electroactive polymers - harvesting energy from walking

nr katalogowy: 33196

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007-10

Development of 50-kW isolated DC/DC converter with high-voltage IGBTs

nr katalogowy: 30324

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN

nr katalogowy: 70965

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej

nr katalogowy: 79298

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2011-2-3

Mobilne stanowisko pomiarowe do badań propagacyjno-zasięgowych

nr katalogowy: 58478

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-10

Wpływ wysokiej temperatury na przebieg charakterystyk widmowych detektorów

nr katalogowy: 54986

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9

Modelowanie stałoprądowych charakterystyk tranzystorów SiC-MOS mocy w programie SPICE

nr katalogowy: 145282

10.15199/48.2023.09.60

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008-5

p-well type ion sensitive field effect transistor array in a flowthru system for detection of H+, K+, NH4

nr katalogowy: 34924

Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET

nr katalogowy: 139279

10.15199/48.2022.09.19

Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET

nr katalogowy: 139279

10.15199/48.2022.09.19

Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET

nr katalogowy: 139279

10.15199/48.2022.09.19

Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET

nr katalogowy: 139279

10.15199/48.2022.09.19

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-10

Charakterystyki i parametry tranzystora SiC BJT

nr katalogowy: 150788

10.15199/48.2024.10.62

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9

Analiza wpływu zmian konstrukcyjnych lasera azotkowego na możliwość zwiększenia jego wyjściowej mocy optycznej

nr katalogowy: 86914

10.12915/pe.2014.09.17

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2024-7

PORÓWNANIE CHARAKTERYSTYK PRZETWORNICY SEPIC ZAWIERAJĄCEJ TRANZYSTORY MOSFET WYKONANE Z KRZEMU I WĘGLIKA KRZEMU

Michał Downar-Zapolski

nr katalogowy: 149636

10.15199/13.2024.7.8

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-3b

Magnetic component design and switching technique in high efficiency flyback SMPS

nr katalogowy: 75323

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-6

Praca napędu z silnikiem PM BLDC w warunkach awarii tranzystora komutatora elektronicznego

Marcin SKÓRA

nr katalogowy: 98784

10.15199/48.2016.06.09

Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET

nr katalogowy: 112454

10.15199/48.2018.03.10

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-1

The Load Torque Influence on Time-Optimal Position Control Process

Andrzej ANDRZEJEWSKI

nr katalogowy: 124191

10.15199/48.2020.01.31

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-12

Modelowanie charakterystyk Cj(u) tranzystora SiC-JFET

Kamil BARGIEŁ

nr katalogowy: 129283

10.15199/48.2020.12.26

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-2

Behawioralny model tranzystora IGBT

nr katalogowy: 49924

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-11

Hybrydowa metoda ewolucyjnej optymalizacji kombinacyjnych układów cyfrowych

Adam SŁOWIK

nr katalogowy: 48156

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-11b

Tranzystorowy przeciwsobny wzmacniacz mocy z nietypowym układem polaryzacji

Adam KRISTOF

nr katalogowy: 72269

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-11b

Układ polaryzacji tranzystorowego wzmacniacza przeciwsobnego umożliwiający pracę w klasie (A)B

Adam KRISTOF

nr katalogowy: 72268

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-8

Wytwarzanie nanoigieł z krzemku palladu

nr katalogowy: 70164

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-3

Trójfazowy dwupoziomowy falownik napięcia z łagodnym przełączaniem tranzystorów odpornym na zakłócenia sterowania

nr katalogowy: 97028

10.15199/48.2016.03.36

Udoskonalona metoda obliczania mocy traconej w tranzystorach wzmacniacza klasy AB

Juliusz MODZELEWSKI

nr katalogowy: 93260

10.15199/48.2015.09.36

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-12

WZROST ZAINTERESOWANIA LIDAREM

nr katalogowy: 129728

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-10

Wpływ warstwy ZnO na parametry pracy azotkowych laserów o emisji krawędziowej

nr katalogowy: 145814

10.15199/48.2023.10.49

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-7

Position and speed estimation of SRM

nr katalogowy: 45612

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a

Simulation based feasibility study of Junction Vertical Slit Field-Effect Transistor (JVeSFET)

nr katalogowy: 55696

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5

Analysis and design of high efficiency DC/DC buck converter

nr katalogowy: 98193

10.15199/48.2016.05.29

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5

Zmodyfikowana modulacja unipolarna dla silnika BLDC wraz z układem sterowania

nr katalogowy: 98185

10.15199/48.2016.05.21

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-4

Silicon carbide JFET - fast, high voltage semiconductor device for power electronics applications

Jacek RĄBKOWSKI

nr katalogowy: 43954

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-1

Contraction and elimination methods for finding multiple DC solutions of bipolar circuits

nr katalogowy: 49699

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-12

Minimizing the switching energy losses in high-voltage MOFSET transistors operating in a hard-switching mode

nr katalogowy: 95849

10.15199/13.2015.12.2

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-1

SiC-Based Magnetic-less DC-DC Converter with Wide Temperature Range Operation

nr katalogowy: 129831

10.15199/48.2021.01.10

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-12

Predicting and controlling FPGA device heat using system monitor and IBERT

nr katalogowy: 48906

Model of PV inverter in H4 and H5 topologies for power loss analysis

Dariusz SOBCZYŃSKI

nr katalogowy: 112475

10.15199/48.2018.03.31

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-12

Finding all the DC solutions of circuits containing diodes and bipolar transistors

nr katalogowy: 48898

Termiczna analiza azotkowych laserów VCSEL ze złączem tunelowym

nr katalogowy: 108519

10.15199/48.2017.08.07

PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY 2014-1

XII 2013 CO NOWEGO w Świecie aromatów, dodatków i składników do Żywności

Katarzyna Oleksy

nr katalogowy: 82267

PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY 2009-8

Desery Mus Pannacotta Mus Czekoladowy

nr katalogowy: 45446

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-6

Quasi - rezonansowy przekształtnik podwyższający napięcie z dławikiem sprzężonym

Michał HARASIMCZUK

nr katalogowy: 106218

10.15199/48.2017.06.18

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-1

Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE

nr katalogowy: 117991

:10.15199/48.2019.01.54

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-4

Modeling and Simulation of a Novel Neural PLL controller for Circuit of Series Resonant Inverter in High Frequency Induction Heating

nr katalogowy: 136955

10.15199/48.2022.04.15

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-4

Modeling and Simulation of a Novel Neural PLL controller for Circuit of Series Resonant Inverter in High Frequency Induction Heating

nr katalogowy: 136955

10.15199/48.2022.04.15

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Próba zniwelowania wpływu naprężeń mechanicznych na działanie azotkowych diod elektroluminescencyjnych

nr katalogowy: 62673

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9

Ocena przydatności wybranych modeli łącznika diodowotranzystorowego do wyznaczania charakterystyk przetwornicy SEPIC

nr katalogowy: 115808

10.15199/48.2018.09.09

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-4

Induction hardening of steel elements with complex shapes

Jerzy BARGLIK

nr katalogowy: 112996

10.15199/48.2018.04.13

Redukcja liczby przełączeń tranzystorów w falowniku kaskadowym z wektorową modulacją szerokości impulsów

nr katalogowy: 126975

10.15199/48.2020.07.09