Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AURA
AUTO MOTO SERWIS
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
GAZETA CUKROWNICZA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ODZIEŻ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Menu
Menu
Menu
Prenumerata
Prenumerata
Publikacje
Publikacje
Drukarnia
Drukarnia
Kolportaż
Kolportaż
Reklama
Reklama
O nas
O nas
ui-button
Twój Koszyk
Twój koszyk jest pusty.
Niezalogowany
Niezalogowany
Zaloguj się
Zarejestruj się
Reset hasła
Czasopismo
|
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
|
Rocznik 2017 - zeszyt 8
Początek i rozwój półprzewodnikowych laserów VCSEL
The beginnings and development of VCSELs
10.15199/48.2017.08.01
Robert Piotr SARZAŁA
Włodzimierz NAKWASKI
nr katalogowy: 108513
10.15199/48.2017.08.01
Streszczenie
pracy przedstawiono historię rozwoju laserów półprzewodnikowych o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową (laserów VCSEL). Odnotowano ich najważniejsze przełomowe rozwiązania technologiczne oraz konstrukcyjno-materiałowe. Podano też parametry eksploatacyjne tych przyrządów na poszczególnych etapach rozwoju i porównano ich własności z laserami o emisji krawędziowej. Szczególny nacisk położono na pokazanie rozwoju i obecnego stanu azotkowych laserów VCSEL. Przedstawiono też wybrane wyniki modelowania działania tych konstrukcji.
Abstract
History of a development of surface-emitting semiconductor lasers with a vertical cavity (VCSEL lasers) is presented. The most important turning points of their technology solutions and material structures are described. Laser operation parameters are shown for successive development stages. Properties of surface-emitting lasers are compared with those of edge-emitting ones. Development of structures of nitride VCSELs is shown together with characterization of their current state. Results of numerical simulations of an operation of various surface-emitting nitride lasers are presented. (The beginnings and development of VCSELs).
Słowa kluczowe
laser półprzewodnikowy
VCSEL
GaN
modelowanie
Keywords
semiconductor laser
VCSEL
GaN
numerical simulation
Bibliografia
[1] Hayashi I., Panish M.B., Foy P.W., Sumski S., Junction lasers which operate continuously at room temperature, Appl. Phys. Lett., 17 (1970), 109-110 [2] Dyment J.C., D’Asaro L.A., North J.C., Miller B.I. and Ripper J.E., Proton-bombardment formation of stripe-geometry heterostructure lasers for 300 K CW operation, Proc. IEEE 60 (1972), 726-8 [3] Tsukada T., GaAs-AlxGa1- xAs buried-heterostructure injection lasers, J. Appl. Phys. 45 (1974), 4899-6 [4] Kawaguchi H. and Kawakami T., Transverse-mode control in an injection laser by a strip-loaded waveguide, IEEE J.Quantum Electron. 13 (1977), 556-60 [5] Panish M.B. et al., Reduction of threshold current density in GaAs-AlxGa1-xAs heterostructure lasers by separate optical and carrier confinement, Appl. Phys. Lett., 22 (1973), 590-91 [6] Dupuis R.D. et al., Continuous 300 K laser operationof single quantum well AlxGa1-xAs-GaAs hetero-structure diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition, Appl. Phys. Lett., 34 (1979), 265-7 [7] Tsang W.T., A graded-index waveguide separate-confinement laser with very low threshold and a narrow Gaussian beam, Appl. Phys. Lett., 39 (1981), 134-37 [8] Hersee S.D., Baldy M., Assenat P., de Cremous B. and Duchemin J.P., Very low threshold GRIN-SCH GaAs/GaAlAs laser structure grown by OM-VPE, Electron. Lett. 18 (1982), 870-1 [9] Kogelnik H. et al., Stimulated emission in a periodic structure, Appl. Phys. Lett., 18 (1971), 152-54 [10] Scifres D.R., Burnham R.D. and Streifer W., Distributedfeedback single heterojunction GaAs diode laser, Appl. Phys. Lett., 25 (1973), 203-06 [11] Zory P. and Comerford L.D., Grating-coupled doubleheterostructure AlGaAs diode lasers, IEEE J.Quantum Electron. 11 (1974), 451-57 [12] Alferov Zh.I. et al., Semiconductor lasers with the light output through the diffraction grating on the surface of the waveguide layer, IEEE J.Quantum Electron., QE-11, 7 (1975), 449 [13] Zory P., and Comerford L.D., Grating-coupled doubleheterostructure AlGaAs diode lasers, IEEE J. of Quantum Electron., QE-11, 7 (1975), 451 [14] Springthorpe A.J., A novel double-heterostructure p-n junction laser, Appl. Phys. Lett., 31, 8 (1977), 524 [15] Iga K., Surface-emitting laser-its birth and generation of new optoelectronics field, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 6 (6) (2000), 1201-1215 [16] Melngailis I., Longitudinal injection-plasma laser of InSb, Appl. Phys. Lett., 6, 3 (1965), 59-60 [17] Soda H., Iga K., Kitahara C., and Suematsu Y., GalnAsP/lnP surface emitting injection lasers, Jpn. J. Appl. Phys. 18 (1979), 2329 [18] Kapron F.P. et al., Radiation losses in glass optical waveguides, Appl. Phys. Lett. 17 (1970), 423 [19] Iga K., Ishikawa S., Ohkouchi S., and Nishimura T., Room temperature pulsed oscillation of GaA/AlGaAs surface emitting injection laser, Appl. Phys. Lett. 45 (1984), 348 [20] Iga K. and Koyama F., Vertical-Cavity Surface Emiiting Lasers And Arrays, Chapter 3 in G.A. Evans and J.M. Hammer “Surface Emiting Semiconductor Lasers and Arrays" Academic Press, Inc., San Diego, 1993 [21] Koyama F., Kinoshita F., and Iga K., Room temperature cw operation of GaAs vertical cavity surface emitting laser, Trans. of IEICE of Japan, E11 (1988), 1089 [22] Kawasaki H., Koyama F., and Iga K., Improvement of a flat surface circular buried heterostructure GalnAsP/InP surface emitting laser, Jpn. J. Appl. Phys. 27 (1988), 1548 [23] Nomura Y. et al., Lasing characteristics of GaAs/AlGaAs multilayer composing distributed feedback cavity for surface emitting laser, Extended Abstracts of 17th Conf on Solid State Devices and Material, 71, 1985 [24] Uenohara H., Koyama F., and Iga K., Application of the multiquantum well (MQW) to a surface emitting laser, Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989), 740 [25] Geels R. et al., Analysis and design of a novel parallel-driven MQW DBR surface-emitting diode laser, The Conf. on Lasers and Electro-Optics, paper WM-1, 1988 [26] Jewell J.L., Scherer A., McCall S.L., Lee Y.H., Walker S., Harbison J.P., Florez L.T., Low threshold electrically pumped vertical-cavity surface-emitting microlasers, Electron. Lett. 25 (1989), 1123-1124 [27] Matin M.A. et al., Optically transparent indium-tin-oxide (ITO) ohmic contacts in the fabrication of vertical cavity surface emitting lasers, Electron. Lett., Vol. 30 (1994), no. 4, 318-320 [28] Sugimoto M. et al., Very low threshold current density in vertical cavity surface emitting laser diodes with periodically doped distributed bragg reflectors, Electron. Lett., Vol. 28 (1992), no. 4, 385-387 [29] Dallesasse J.M., Holonyak N., Sugg A.R., Richard T.A., and El- Zein N., Hydrolyzed oxidation of AlxGa1-xAs-AlAs-GaAs quantum well heterostructures and superlattices, Appl.Phys.Lett., Vol.57 (1990), 2844-6 [30] Huffaker D.L., Deppe D.G., Kumar K., and Rogers T.J., Native oxide defined ring contact for low threshold vertical cavity lasers, Appl. Phys. Lett., Vol. 65 (1994), 97-99 [31] Evans P.W., Wierer J.J., and Holonyak N., AlxGa1-xAs native oxide based distributed bragg reflectors for vertical cavity surface emitting lasers, J. Appl. Phys., Vol. 84 (1998), no. 10, 5436-5440 [32] Graham L.A., Huffaker D.L., and Deppe D.G., Spontaneous lifetime control in a native oxide aperture microcavity, Appl. Phys. Lett., Vol 74 (1999), no. 17, 2408-2410 [33] Yang G.M., MacDougal M., and Dupkus P.D., Ultralow threshold current vertical cavity surface emitting laser obtained with selective oxidation, Electron. Lett., Vol. 31 (1995), 886- 888 [34] Schmid W., Wiedenmann D., Grabber M., Jager R., Michalzik R., and Ebeling K.J., CW operation of a diode cascade InGaAs quantum well VCSEL, Electron. Lett., Vol. 34 (1998), no. 6, 553-555 [35] Miller M., Grabberr M., Jager R., and Ebeling K.J., High power VCSEL arrays for emission in Watt regime at room temperature, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 13 (2001), no. 3, 173-175 [36] Salet P. et al., Room temperature pulsed operating of 1.3 μm vertical cavity lasers including bottom InGaAsP/InP multilayer bragg mirrors, Electron. Lett., Vol. 33 (1997), no. 24, 2048- 2049 [37] Boucart J. et al., 1 mW CW-RT Monolithic VCSEL at 1.55 μm, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 11 (1999), no. 5, 629-631 [38] Babic D. et al., Room temperature continuous-wave operation of 1.54-μm vertical-cavity lasers, IEEE Photonics Technology Letters, 7(11) (1995), 1225-1227 [39] Qian Y. et al., 1.3 μm vertical cavity surface emitting lasers with double bonded GaAs/AlAs Bragg mirrors, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 9 (1997), no. 1, 8-10 [40] Rapp S. et al., Near room temperature continuous wave operation of electrical pumped 1.55 μm vertical cavity lasers with InGaAsP/InP bottom mirror, Electron. Lett., Vol. 35 (1999), no. 1, 49-50 [41] Kim J.K. et al., Room temperature, electrically pumped multiple active region VCSELs with high differential efficiency at 1.55 μm, Electron. Lett., Vol. 35 (1999), no. 13, 1084-1085 [42] Hall E., Almuneau G., Kim J.K., Sjolund O., Kroemer H., and Coldren L.A., Electrically pumped, single-epitaxial VCSELs at 1.55 mm Sb-based mirrors, Electron. Lett., Vol. 35 (1999), no. 16, 1337-1338 [43] Larson M.C. et al., GaInNAs/GaAs long wavelength vertical cavity surface emitting laser diodes, IEEE Photon. Technol. Lett., Vol. 10 (1998), no. 2, 188-190 [44] Lott J.A. et al., InAs-InGaAs quantum dot VCSELs on GaAs substrates emitting at 1.3 μm, Electron. Lett., Vol. 36 (2000), no. 16, 1384-1385 [45] Song D.S., Kim S.H., Park H.G., Kim C.K., and Lee Y.H., Single-fundamental-mode photonic-crystal vertical-cavity surface-emitting lasers, Appl. Phys. Lett., vol. 80 (2002), 3901- 3903 [46] Westbergh P., Haglund E.P., Haglund E., Safaisini R., Gustavsson J., Larsson A., High-speed 850 nm VCSELs operating error free up to 57 Gbit/s, Electron. Lett. 49(16) (2013), 1021-1023 [47] Moser P. et al., 85ºC error-free operation at 38 Gb/s of oxide8 PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY, ISSN 0033-2097, R. 93 NR 8/2017 confined 980-nm vertical-cavity surface-emitting lasers, Appl. Phys. Lett. 100(8) (2012), 081103-1-3 [48] Tan M.P., Fryslie S.T.M., Lott J.A., Ledentsov N.N., Bimberg D., Choquette K.D., Error-free transmission over 1-km OM4 multimode fiber at 25 Gb/s using a single mode photonic crystal vertical-cavity surface-emitting laser, IEEE Photonics Technol. Lett. 25(18) (2013), 1823-1825 [49] Haglund E. et al., 30 GHz bandwidth 850 nm VCSEL with sub- 100 fJ/bit energy dissipation at 25-50 Gbit/s, Electronics Letters, vol. 51 (2015), no. 14, 1096-1098 [50] Lear K.L. et al., Vertical cavity surface emitting lasers with 21% efficiency by metal organic vapour phase epitaxy, IEEE Photon. Technol. Lett. 6(9) (1994), 1053 [51] Jung C. et al., 4.8 mW single mode oxide confined top surface emitting vertical cavity laser diodes, Electron. Lett. 33(21) (1997), 1790 [52] Francis D.A. et al., Monolithic 1310 nm buried heterostructure VCSEL using InGaAsP/InP DBR reflectors, in Optoelectronic Devices, ed. by J. Piprek, Proceedings of SPIE, 6013 (2005), 60130A-1 [53] Syrbu A. et al., 10 Gbps VCSELs with high single mode output in 1310 nm and 1550 nm wavelength bands, in Proc. Conference on Optical Fiber Communication, paper OThS2, San Diego, CA, USA, 2008 [54] Caliman A. et al., 8 mW fundamental mode output of waferfused VCSELs emitting in the 1550 nm band, in Proc. Conference on Lasers and Electro Optics, paper CMRR1, Baltimore, MD, USA, 2009 [55] Yang H.P. et al., Characteristics of InGaAs submonolayer quantum dot and InAs quantum dot photonic crystal vertical cavity surface emitting lasers, J. Lightwave Technol. 26(11) (2008), 1387 [56] Furukawa A., Sasaki S., Hoshi M., Matsuzono A., Moritoh K., Baba T., High power single mode vertical cavity surface emitting lasers with triangular holey structure, Appl. Phys. Lett. 85(22) (2004), 5161 [57] Lott J.A., Schneider R.P., Choquette K.D., Kilcoyne S.P., Figiel J.J., Room temperature continuous wave operation of red vertical cavity surface emitting laser diodes, Electron. Lett. 29 (1993), 1693 [58] Johnson K., Hibbs-Brenner M., Hogan W., and Dummer M., Advances in Red VCSEL Technology, Advances in Optical Technologies, Volume 2012, Article ID 569379, 13 pages, 2012 [59] Jeon H. et al., Room temperature optically pumped bluegreen vertical cavity surface emitting lasers, Appl. Phys. Lett., Vol. 67 (1995), no. 12, 1668-1670 [60] Yokogawa T., Yoshii S., Tsujimura A., Sasai Y., and Merz J., Electrically pumped CdZnSe/ZnSe blue-green vertical-cavity surface-emitting lasers, Jap. J. Appl. Phys., vol. 34 (1995), no. 6B, L751 [61] Redwing J.M., Loeber D.A.S., Anderson N.G., Tischler M.A., Flynn J.S., An optically pumped GaN-AlGaN vertical cavity surface emitting laser, Appl. Phys. Lett. 69 (1996), 1 [62] Lu T.C., Kao C.C., Kuo H.C., Huang G.S., and Wang S.C., CW lasing of current injection blue GaN-based vertical cavity surface emitting laser, Appl. Phys. Lett., vol. 92 (2008), no. 14, 141102 [63] Higuchi Y. et al., Room-temperature CW lasing of a GaN-based vertical-cavity surface-emitting laser by current injection, Appl. Phys. Expr., vol. 1 (2008), no. 12, 121102 [64] Kasahara D. et al., Demonstration of blue and green GaNbased vertical-cavity surface-emitting lasers by current injection at room temperature, Appl. Phys. Express, vol. 4 (2011), no. 7, 072103 [65] Onishi T. et al., Continuous wave operation of GaN vertical cavity surface emitting lasers at room temperature, IEEE J. Quantum Electron., vol. 48 (2012), no. 9, 1107-1112 [66] Cosendey G. et al., Blue monolithic AlInN-based vertical cavity surface emitting laser diode on free-standing GaN substrate, Appl. Phys. Lett. 101 (2012), 151113 [67] Liu W.-J. et al., Room temperature continuous wave lasing of electrically injected GaN-based vertical cavity surface emitting lasers, Appl. Phys. Lett., vol. 104 (2014), no. 25, 251116 [68] Holder C., Speck J.S., DenBaars S.P., Nakamura S., and Feezell D., Demonstration of Nonpolar GaN-Based Vertical- Cavity Surface-Emitting Lasers, Applied Physics Express, 5 (2012), 092104 [69] Leonard J.T. et al., Demonstration of a III-nitride vertical-cavity surface-emitting laser with a III-nitride tunnel junction intracavity contact, Appl. Phys. Lett., vol. 107 (2015), no. 9, 091105 [70] Hamaguchi T. et al., Milliwatt-class GaN-based blue verticalcavity surface-emitting lasers fabricated by epitaxial lateral overgrowth, Phys. Status Solidi A, vol. 213 (2016), no. 5, 1170- 1176 [71] Yeh P.S. et al., GaN-based vertical-cavity surface emitting lasers with sub-milliamp threshold and small divergence angle, Appl. Phys. Lett., 109 (2016), 241103 [72] Ikeyama K. et al., Room temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surfaceemitting lasers with n-type conducting AlInN/GaN distributed bragg reflectors, Appl. Phys. Express, vol. 9 (2016), no. 10, 102101 [73] Matsui K. et al., GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with periodic gain structures, Jpn. J. Appl. Phys., 55 (2016) 05FJ08 [74] Matsui K. et al., 3-mW RT-CW GaN-Based VCSELs and Their Temperature Dependence, presented at the International Workshop on Nitride Semiconductors, Orlando, USA, October 2016 [75] Sarzała R.P., Piskorski Ł., Nakwaski W., Azotkowe lasery typu VCSEL, Elektronika, 11 (2014), 104-7 [76] Marciniak M. et al., Monolityczna siatka HCG jako zwierciadło w azotkowym laserze VCSEL, Elektronika, 9 (2016), 35-38 [77] Czyszanowski T. et al. Metallic monolithic high-contrast grating VCSELs: new concept of vertical current injection, SPIE OPTO Symposium Photonics West, Francisco (USA), 28.01-2.02 2017 [78] Śpiewak P. et al., Analysis of threshold currents and transverse modes in nitride VCSELs with different resonators, IEEE Journal of Quantum Electronics, Volume 52 (2016), Issue 11, id: 2400807 [79] Sarzała R.P. et al., Designing of TJ VCSEL based on nitride materials, Proc. of SPIE: Laser Technology 2016: Progress and Applications of Lasers, Vol. 10159 1015908-1, 2017 [80] Śpiewak P., Sokół A.K., Wasiak M., and Sarzała R.P., Impact of AlN-aperture on optical and electrical properties of nitride VCSEL, Opt Quant Electron, 49 (2017), 114 [81] Śpiewak P. et al., Wpływ parametrów fizycznych warstwy ITO na pracę azotkowych laserów typu VCSEL, Elektronika, 9 (2016), 47-50
Treść płatna
Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp -
zaloguj się
.
Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!
Publikacja
e-Publikacja (format pdf) - nr 108513 "Początek i rozwój półprze..."
licencja: Osobista
Produkt cyfrowy
10.00 zł
Do koszyka
Zeszyt
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2017-8
licencja: Osobista
Produkt cyfrowy
55.00 zł
Do koszyka
Prenumerata
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista
Produkt cyfrowy
Nowość
762.00 zł
Do koszyka
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista
Szczegóły pakietu
Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)
1002.00 zł brutto
927.78 zł netto
74.22 zł VAT
(stawka VAT 8%)
1002.00 zł
Do koszyka
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista
Szczegóły pakietu
Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna
960.00 zł brutto
888.89 zł netto
71.11 zł VAT
(stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka
42.00 zł brutto
34.15 zł netto
7.85 zł VAT
(stawka VAT 23%)
1002.00 zł
Do koszyka
Zeszyt
2017-8
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH