Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2024 - zeszyt 10

Numerical simulation of UV LED single quantum well based on AlGaN/GaN/AlGaN

Numeryczna symulacja pojedynczej studni kwantowej diody UV LED na bazie AlGaN/GaN/AlGaN

10.15199/48.2024.10.23

Fatima Zohra RAHOU

nr katalogowy: 150749
10.15199/48.2024.10.23

Streszczenie

Optical sources such as light-emitting diodes (LEDs) are good solutions for creating more robust luminaires, with better conversion efficiency and more environmentally friendly. The objective of this work is to study and to simulate ultraviolet light-emitting diode with a single GaN quantum well sandwiched between two layers; respectively p-doped and n-doped AlGaN, using the SILVACO software. This simulation allowed us to extract different characteristics of the LED, such as the current-voltage (I-V) characteristic, the emitted light power, the spontaneous emission rate, radiative recombination, Auger recombination, Shockley-Read-Hall recombination, optical gain, luminous flux, spectral power density, overall efficiency. These simulations allowed us to extract the electrical and optical characteristics of the ultraviolet light-emitting diode with a single quantum well based on p-AlGaN/GaN/n-AlGaN and examine their performance

Abstract

Źródła optyczne, takie jak diody elektroluminescencyjne (LED), są dobrym rozwiązaniem do tworzenia bardziej wytrzymałych opraw oświetleniowych o lepszej wydajności konwersji i bardziej przyjaznych dla środowiska. Celem tej pracy jest zbadanie i symulacja diody elektroluminescencyjnej ultrafioletowej z pojedynczą studnią kwantową GaN umieszczoną pomiędzy dwiema warstwami; odpowiednio p-doped i n doped AlGaN, przy użyciu oprogramowania SILVACO. Ta symulacja pozwoliła nam wyodrębnić różne charakterystyki diody LED, takie jak charakterystyka prądowo-napięciowa (I-V), moc emitowanego światła, szybkość emisji spontanicznej, rekombinacja radiacyjna, rekombinacja Augera, rekombinacja Shockleya-Reada-Halla, wzmocnienie optyczne, strumień świetlny, gęstość widmowa mocy, ogólna wydajność. Te symulacje pozwoliły nam wyodrębnić charakterystyki elektryczne i optyczne diody elektroluminescencyjnej ultrafioletowej z pojedynczą studnią kwantową opartą na p-AlGaN/GaN/n-AlGaN i zbadać ich wydajność

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Thamer A. Tabbakh, Deepak Anandan, Michael J. Sheldon, Prashant Tyagi and Ahmad Alfaifi, Recent Advancements in GaN LED Technology, September 2022. DOI: 10.5772/intechopen.107365
[2] Seong T-Y, Han J, Amano H, Morkoc H, editors. III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications. Vol. 126. Dordrecht: Springer Netherlands; 2013. DOI: 10.1007/978-94 007-5863-6
[3] Ambacher O. Growth and applications of group III-nitrides. Journal of Physics D: Applied Physics. 1998;31(20):2653-2710. DOI: 10.1088/0022-3727/31/20/001
[4] Strite S. GaN, AlN, and InN: A review. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 1992;10(4):1237. DOI: 10.1116/1.585897
[5] Cho J, Park JH, Kim JK, Schubert EF. White light-emitting diodes: History, progress, and future: White light-emitting diodes. Laser & Photonics Reviews. 2017;11(2):1600147. DOI: 10.1002/lpor.201600147
[6] Chen Y et al. GaN in different dimensionalities: Properties, synthesis, and applications. Materials Science & Engineering R: Reports. 2019;138:60-84. DOI: 10.1016/j.mser.2019.04.001
[7] Yoshida H, Kuwabara M, Yamashita Y, Uchiyama K, Kan H. The current status of ultraviolet laser diodes: The current status of ultraviolet laser diodes. Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science. 2011;208(7):1586-1589. DOI: 10.1002/pssa.201000870
[8] Amano H et al. The 2018 GaN power electronics roadmap. Journal of Physics D: Applied Physics. 2018;51(16):163001. DOI: 10.1088/1361-6463/aaaf9d

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-publikacja (pdf) z zeszytu 2024-10 , nr katalogowy 150749 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-zeszyt (pdf) 2024-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	85.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2024-10

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma