Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2019 - zeszyt 8

Application of GaN HEMT as a bidirectional switch in matrix converter

Zastosowanie GaN HEMT jako łącznika dwukierunkowego w przekształtniku matrycowym

10.15199/48.2019.08.34

nr katalogowy: 121604
10.15199/48.2019.08.34

Streszczenie

This paper presents a study of the GaN HEMT as a bidirectional switch. The considerations were conducted for the purpose of application of bidirectional switch in a matrix converter. Semi-soft 4-step commutation method was analysed and laboratory tested on the 2-phase to 1-phase converter to verify all the possible commutation processes which occur in a matrix converter. The problem of wrong sign of current detection and output current interruption has also been raised.

Abstract

Artykuł przedstawia badania GaN HEMT jako łącznika dwukierunkowego. Rozważania były prowadzone w celu zastosowania łącznika dwukierunkowego w przekształtniku matrycowym. Metoda 4-krokowej półmiękkiej komutacji została przeanalizowana i przebadana laboratoryjnie na przekształtniku 2-fazowym na 1-fazowy, który odwzorowuje wszystkie procesy komutacyjne w przekształtniku matrycowym. Został również poruszony problem błędnej detekcji znaku prądu wyjściowego oraz jego przerwania.

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Szcześniak P., Three-Phase AC-AC Power Converters Based on Matrix Converter Topology: Matrix-Reactance Frequency Converters Concept, Springer, 2013, nr 5, 125-128
[2] Hirota T., Inomata K., Yoshimi D. and Higuchi M., Nine Switches Matrix Converter Using Bi-directional GaN Device, International Power Electronics Conference (2018), 3952-3957
[3] Umeda H., Yamada Y., Asanuma K., Kusama F., Kinoshita Y., Ueno H., Ishida H., Hatsuda T. and Ueda T., High power 3- phase to 3-phase matrix converter using dual-gate GaN bidirectional switches, IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (March 2018), 894-897
[4] Burany, N., Safe control of four-quadrant switches, Conference Record of the IEEE Industry Applications Society Annual Meeting (1989), 1190-1194
[5] Tammaruckwattana S., Yue C., Ikeda Y., and Ohyama K., Comparison of switching losses of matrix converters for commutation methods, IEEE European Conference on Power Electronics and Applications, 16th (2014), 133-137
[6] Zdanowski M., Rąbkowski J., Operation modes of the GaN HEMT in high-frequency half-bridge converter, Progress in Applied Electrical Engineering, PAEE., (2016), 468 - 474
[7] Datasheet of GS66506T from GaN Systems webpage www.gansystems.com, 2018
[8] “GS665xxT-EVBDB2-UserGuide-rev-2018.09.05" from GaN Systems webpage www.gansystems.com, 2018
[9] GN001 Application Guide Design with GaN Enhancement Mode HEMT from GaN Systems webpage www.gansystems.com, 2018

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 121604 "Application of GaN HEMT a..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2019-8 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2019-8

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma