Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AURA
AUTO MOTO SERWIS
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
GAZETA CUKROWNICZA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ODZIEŻ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Menu
Menu
Menu
Prenumerata
Prenumerata
Publikacje
Publikacje
Drukarnia
Drukarnia
Kolportaż
Kolportaż
Reklama
Reklama
O nas
O nas
ui-button
Twój Koszyk
Twój koszyk jest pusty.
Niezalogowany
Niezalogowany
Zaloguj się
Zarejestruj się
Reset hasła
Baza publikacji
Formularz wyszukiwania
Szukany tekst
Szukaj tylko w tych wybranych czasopismach
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Wyszukaj
Zobacz przykłady zapytań
title:węgiel
title:"węgiel kamienny"
title:"węgiel kamienny" AND issueYear:2020
authorDesc:"Grzegorz Ojczyk"
authorDesc:"Grzegorz Ojczyk" AND issueYear:2020
abstract:"problemy jakości"
keywords:"węgiel kamienny" AND issueYear:2020
titleAlias:quality
keywordsAlias:"hard coal"
abstractAlias:"food quality"
keywordsAlias:"thermal resistance" AND issueYear:2020
Wynik wyszukiwania
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8
Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze
MIROSŁAW KULIK
JERZY ŻUK
WITOLD RZODKIEWICZ
KRZYSZTOF PYSZNIAK
ANDRZEJ DROŹDZIEL
MARCIN TUREK
SŁAWOMIR PRUCNAL
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 37486
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3
Modelowanie charakterystyk I-U tranzystora MOS na węgliku krzemu 4H-SIC oraz 6H-SiC
J. Stęszewski
A. Jakubowski
nr katalogowy: 8989
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2013-8
Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE
Tomasz Sak
Marcin Parchomiuk
nr katalogowy: 78254
PRZEGLĄD MECHANICZNY 2020-1
Ceramika do specjalnych zastosowań
nr katalogowy: 124622
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-11
Węglik krzemu w energoelektronice – nadzieje i ograniczenia
Włodzimierz JANKE
nr katalogowy: 63894
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2014-12
Nanopowder silicon carbide and carbon/silicon carbide composites prepared by the aerosol-assisted synthesis Nanoproszkowy węglik krzemu oraz nanokompozyty węgiel/węglik krzemu otrzymywane metodą syntezy aerozolowej
Cezary Czosnek
Jerzy F. Janik
nr katalogowy: 88652
10.12916/przemchem.2014.2020
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-6
Konstrukcje diod Schottky'ego z węglika krzemu
J. Zarębski
J. Dąbrowski
nr katalogowy: 1055
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
Sebastian GIZIEWSKI
nr katalogowy: 67697
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-12b
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
Sebastian GIZIEWSKI
nr katalogowy: 73211
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2012-6
Węglik krzemu. Wczoraj, dziś, jutro
Magdalena Kurcz
Andrzej Huczko
nr katalogowy: 68512
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-11
Symulacje nieizotermicznych charakterystyk statycznych diody Schottky'ego z węglika krzemu w programie SPICE
J. Zarębski
J. Dąbrowski
nr katalogowy: 1238
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-9
SiC - materiał dla elektroniki
K. Kościewicz
E. Tymicki
K. Grasza
nr katalogowy: 16309
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2
Spektroskopia pojemnościowa głębokich poziomów defektowych (DLTS) w diodach Schottky’ego z węglika krzemu (4H-SiC) implantowanych jonami
Łukasz Gelczuk
Maria Dąbrowska -Szata
nr katalogowy: 66140
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8
Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)
TOMASZ BIENIEK
JĘDRZEJ STĘSZEWSKI
MARIUSZ SOCHACK
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 37485
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC
KRZYSZTOF PISKORSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62685
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-7
Modelowanie tranzystorów SiC-MOS
JANUSZ ZARĘBSKI
DAMIAN BISEWSKI
nr katalogowy: 45506
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2021-8
NOWA FALA GaN I SIC
nr katalogowy: 133104
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1
Reaktywne trawienie jonowe węglika krzemu SiC
KRZYSZTOF PIOTR GÓRA
nr katalogowy: 32581
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-12
Stanowisko do monokrystalizacji SiC
WOJCIECH ŁOBODZIŃSKI
MAREK ORZYŁOWSKI
ZBIGNIEW RUDOLF
ZYGMUNT ORZECHOWSKI
JACEK KOZŁOWSKI
JÓZEF WIECHOWSKI
nr katalogowy: 40368
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-1
Badanie własności grubowarstwowego kontaktu srebro-węglik krzemu modyfikowanego wiązką laserową
Januszsz Woźny
Andrzej Kubiak
nr katalogowy: 135367
10.15199/48.2022.01.36
SiC
kontakt omowy
laser
SiC
ohmic contact
laser
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-3
System dwupętlowej programowej regulacji temperatury stanowiska do monokrystalizacji SiC
MAREK ORZYŁOWSKI
WOJCIECH ŁOBODZIŃSKI
nr katalogowy: 33958
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8
Problemy montażu struktur SiC stosowanych w elektronice wysokich temperatur i dużych mocy
ZBIGNIEW SZCZEPAŃSKI
RYSZARD KISIEL
nr katalogowy: 37487
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-7
Badania walidacyjne stanowiska do monokrystalizacji SiC
Krzysztof Grasza
Emil Tymicki
Marek Orzyłowski
nr katalogowy: 91943
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-7
Parametry technologiczne stanowiska do monokrystalizacji SiC
MAREK ORZYŁOWSKI
ZBIGNIEW RUDOLF
nr katalogowy: 45499
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-7
Układ sterowania stanowiska do monokrystalizacji SiC jako element systemu CIM
MICHAŁ CZERWIŃSKI
MAREK ORZYŁOWSKI
nr katalogowy: 61161
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Wpływ procesu wygrzewania w atmosferze O2 i N2O na właściwości warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik w kondensatorach MOS Al/SiO2/4H-SiC
Krystian Król
Małgorzata Kalisz
Mariusz Sochacki
Jan Szmidt
nr katalogowy: 70967
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia
Marek ADAMOWICZ
Jędrzej PIETRYKA
Sebastian GIZIEWSKI
Mariusz RUTKOWSKI
Zbigniew KRZEMIŃSKI
nr katalogowy: 67683
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10
Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC
Agnieszka MARTYCHOWIEC
Norbert KWIETNIEWSKI
Mariusz SOCHACKI
nr katalogowy: 122738
10.15199/48.2019.10.35
węglik krzemu
SiC
przygotowanie powierzchni SiC
technologia półprzewodnikowa.
silicon carbide
SiC
SiC surface preparation
semiconductor technology.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11
Przetwornica przepustowa AC/DC 200 W z diodami Schottky’ego SiC
DANIEL GRYGLEWSKI
WOJCIECH WOJTASIAK
BARTOSZ HREHORUK
nr katalogowy: 39668
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-12
Wytwarzanie i charakteryzacja warstw SiO2 na powierzchni SiC metodą utleniania termicznego
Andrzej Kozłowski
Lech Dobrzański
Marcin Pisarek
Małgorzata Możdżonek
nr katalogowy: 64792
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2024-7
PORÓWNANIE CHARAKTERYSTYK PRZETWORNICY SEPIC ZAWIERAJĄCEJ TRANZYSTORY MOSFET WYKONANE Z KRZEMU I WĘGLIKA KRZEMU
Michał Downar-Zapolski
nr katalogowy: 149636
10.15199/13.2024.7.8
węglik krzemu (SIC)
krzem (SI)
prze twornica dc-dc
SEPIC
tranzystor (SiC)
carborundum (SIC)
dc-dc converters
SEPIC
transistor (SiC)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2
Modelowanie izotermicznych oraz nieizotermicznych statycznych charakterystyk diod MPS z węglika krzemu
JACEK DĄBROWSKI
JANUSZ ZARĘBSKI
nr katalogowy: 50195
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Badania elektronomikroskopowe kontaktów omowych do węglika krzemu wytwarzanych na bazie niklu
MAREK WZOREK
ANDRZEJ CZERWIŃSKI
ANDRIAN KUCHUK
ACEK RATAJCZAK
ANNA PIOTROWSKA
JERZY KĄTCKI
nr katalogowy: 62663
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-6
Wysokosprawny przekształtnik sieciowy AC-DC z łącznikami z węglika krzemu wspomagający diodowe systemy napędowe
Szymon PIASECKI
nr katalogowy: 98782
10.15199/48.2016.06.07
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2010-10-11
Pomysł z potencjałem - INNOWACJE
nr katalogowy: 51761
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-12
Wpływ domieszkowania na właściwości węglika krzemu (SiC) - przegląd
Katarzyna Racka-Szmidt
nr katalogowy: 95862
10.15199/13.2015.12.14
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9
Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)
Krzysztof PISKORSKI
Henryk M. PRZEWŁOCKI
Mietek BAKOWSKI
nr katalogowy: 86921
10.12915/pe.2014.09.24
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-5
Jonoluminescencja SiC wzbudzana bombardowaniem jonami H+
Krzysztof PYSZNIAK
Jerzy ŻUK
Andrzej DROŹDZIEL
Artur WÓJTOWICZ
Sławomir PRUCNAL
Marcin TUREK
nr katalogowy: 76821
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych - porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu
Paweł Borowicz
Zbigniew Adamus
Marek Ekielski
Anna Piotrowska
Adrian Kuchuk
Michał Borysiewicz
Eliana Kamińska
Mariusz Latek 
nr katalogowy: 70971
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9
Homoepitaksja węglika krzemu dla przyrządów mocy w Sieci Badawczej Łukasiewicz - ITME
T. CIUK
W. KASZUB
K. KOŚCIEWICZ
D. CZOŁAK
A. DOBROWOLSKI
J. JAGIEŁŁO
A. CHAMRYGA
R. BUDZICH
B. STAŃCZYK
K. PRZYBOROWSKA
A. HARMASZ
K. GÓRA
A. KOZŁOWSKI
P. MICHAŁOWSKI
P. CIEPIELEWSKI
I. JÓŹWIK
D. TEKLIŃSKA
E. TYMICKI
R. KOZŁOWSKI
M. KOZUBAL
P. KAMIŃSKI
nr katalogowy: 122092
10.15199/48.2019.09.32
węglik krzemu
homoepitaksja
przyrządy mocy
silicon carbide
homoepitaxy
power devices
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8
Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT
Joanna SZELĄGOWSKA
nr katalogowy: 115223
10.15199/48.2018.08.20
tranzystor SJT
węglik krzemu
samonagrzewanie.
SJT
silicon carbide
self-heating phenomenon
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu
NORBERT KWIETNIEWSKI
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
ANDRZEJ DROŹDZIEL
MIROSŁAW KULIK
SŁAWOMIR PRUCNAL
KRZYSZTOF PYSZNIAK
MICHAŁ RAWSKI
MARCIN TUREK
JERZY ŻUK
nr katalogowy: 44772
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1
Osadzanie warstw SiC na podłożach krzemowych metodą sputteringu
BEATA STAŃCZYK
ANDRZEJ JAGODA
LECH DOBRZAŃSKI
nr katalogowy: 32582
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-7
Wpływ wygrzewania na jakość warstw SiO2 wytwarzanych na podłożach 4H-SiC metodą utleniania termicznego
KRYSTIAN KRÓL
MAŁGORZATA KALISZ
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 61156
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wpływ procesu wygrzewania wysokotemperaturowego na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO2/n-4H-SiC (0001)
MAŁGORZATA KALISZ
KRYSTIAN KRÓL
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 62688
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2016-7
WPŁYW ATMOSFERY SPIEKANIA ORAZ ZAWARTOŚCI FAZY UMACNIAJĄCEJ SiC NA MIKROST RUKTURĘ I WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE KOMPOZYTÓW AlCu-Si
ANNA WĄSIK BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
MARCIN MADEJ
nr katalogowy: 99667
10.15199/67.2016.7.5
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9
Termiczne formowanie tytanowych kontaktów omowych do węglika krzemu 4H-SiC
Norbert KWIETNIEWSKI
Jakub SZARAFIŃSKI
Mariusz SOCHACKI
Jan SZMIDT Wawrzyniec KASZUB
Tymoteusz CIUK
nr katalogowy: 122097
10.15199/48.2019.09.37
Ti/SiC
kontakty omowe
termiczne formowanie kontaktów.
Ti/SiC ohmic contacts
contacts thermal formation.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Analiza porównawcza strat mocy w trójfazowych falownikach PWM z elementami aktywnymi z węglika krzemu
Mariusz ZDANOWSKI
Jacek RĄBKOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 63369
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10
Badania falownika napięcia z węglikowo - krzemowymi tranzystorami JFET o charakterystykach mieszanych
Mariusz ZDANOWSKI
Jacek RĄBKOWSKI
Marek PATOKA
Roman BARLIK
nr katalogowy: 80152
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-8
Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu
Krystian KRÓL
Mariusz SOCHACKI
Norbert KWIETNIEWSKI
Sylwia GIERAŁTOWSKA
Łukasz WACHNICKI
nr katalogowy: 108540
10.15199/48.2017.08.28
high-k
węglik krzemu
SiC
MOSFET
przyrządy mocy
high-k
silicon carbide
SiC
MOSFET
power devices
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-1
Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu
JANUSZ ZARĘBSKI
JOANNA PATRZYK
nr katalogowy: 96282
10.15199/13.2016.1.8
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9
Modelowanie stałoprądowych charakterystyk tranzystorów SiC-MOS mocy w programie SPICE
Damian BISEWSKI
Emilia LUBICZ-KROŚNICKA
nr katalogowy: 145282
10.15199/48.2023.09.60
modelowanie
MOSFET
węglik krzemu
modelling
MOSFET
silicon carbide
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2024-8
WYDARZENIA
nr katalogowy: 149976
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC
Mariusz Sochacki
Norbert Kwietniewski
Andrzej Taube
Krystian Król
Jan Szmidt 
nr katalogowy: 79301
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2014-3
Wpływ rozdrobnienia proszku fazy osnowy na mikrostrukturę i właściwości mechaniczne kompozytu ziarnistego SiC-TiB2
Gabriela Górny
Marian Rączka
Paweł Rutkowski
Ludosław Stobierski
nr katalogowy: 85034
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Electrothermal Model of SiC Power Schottky Diodes
Janusz ZARĘBSKI
Jacek DĄBROWSKI
nr katalogowy: 63352
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-5
MIKROSTRUKTURA I WŁAŚCIWOŚCI KOMPOZYTÓW NA OSNOWIE STOPU ALUMINIUM UMACNIANYCH WĘGLIKIEM KRZEMU
BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
ANNA TYLEK
MATEUSZ WĄSIK
nr katalogowy: 91379
10.15199/67.2015.5.3
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-3
Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SiC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT
PIOTR CABAN
WŁODZIMIERZ STRUPIŃSKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 50822
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Analiza stanów awaryjnych w trójfazowych falownikach z tranzystorami SiC-JFET
JACEK RĄBKOWSKI
MARIUSZ ZDANOWSKI
ROMAN BARLIK
MIECZYSŁAW NOWAK
nr katalogowy: 58280
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-7
Badania quasi - rezonansowego dwufazowego przekształtnika typu boost z zaworami Si i SiC
Piotr ZIMOCH
nr katalogowy: 114685
10.15199/48.2018.07.45
energoelektronika
przekształtnik boost
tranzystory SiC MOSFET
przekształtniki quasi - rezonansowe.
power electronics
boost converter
SiC MOSFET
quasi –
resonant converters.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-12
Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS
Damian BISEWSKI
Emilia LUBICZ-KROŚNICKA
nr katalogowy: 134785
10.15199/48.2021.12.39
modelowanie
MOSFET
SiC
SPICE
modelling
MOSFET
SiC
SPICE
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2016-6
WPŁYW DODATKU MIEDZI ORAZ ZAWARTOŚCI FAZY UMACNIAJĄCEJ SiC NA MIKROSTRUKTURĘ I TWARDOŚĆ KOMPOZYTÓW Al-SiC
ANNA WĄSIK BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ MARCIN MADEJ
nr katalogowy: 99103
10.15199/67.2016.6.5
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Sterowniki bramkowe dla tranzystorów z węglika krzemu (SiC) - przegląd rozwiązań
Jacek RĄBKOWSKI
Mariusz ZDANOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 67716
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-12
Modelowanie charakterystyk Cj(u) tranzystora SiC-JFET
Kamil BARGIEŁ
nr katalogowy: 129283
10.15199/48.2020.12.26
JFET
węglik krzemu
modelowanie
charakterystyki pojemnościowe
JFET
silicon carbide
modelling
C-V characteristics
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8
Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET
Kamil BARGIEŁ
Damian BISEWSKI
nr katalogowy: 115220
10.15199/48.2018.08.17
tranzystor JFET
węglik krzemu
zjawisko samonagrzewania.
JFET
silicon carbide
self-heating phenomenon.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a
Three-phase inverter with SiC JFETs and Schottky diodes
Jacek RĄBKOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 55707
SZKŁO I CERAMIKA 2014-3
Technologiczne właściwości mas formierskich z SiC z przeznaczeniem dla ceramicznych form odlewniczych dla przemysłu lotniczego
PAWEŁ WIŚNIEWSKI
MARCIN MAŁEK
RYSZARD SITEK
HUBERT MATYSIAK
KRZYSZTOF JAN KURZYDŁOWSKI
nr katalogowy: 84819
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7
Utlenianie węglika krzemu: charakteryzacja procesu i metody symulacji kinetyki
Krystian Król
Mariusz Sochacki
Jan Szmidt
nr katalogowy: 85802
10.15199/ELE-2014-086
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2009-9
NOWOŚCI - INFORMACJA
nr katalogowy: 46458
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-11
Trójfazowy, dwupoziomowy falownik napięcia z tranzystorami Z-FET z węglika krzemu (SiC)
Mariusz ZDANOWSKI
Jacek RĄBKOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 87755
10.12915/pe.2014.11.29
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9
Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC
Bartłomiej STONIO
Norbert KWIETNIEWSKI
Piotr FIREK
Mateusz SŁOWIKOWSKI
Krystian PAVŁOV
Piotr CABAN
Mariusz SOCHACKI
Jan SZMIDT
nr katalogowy: 122098
10.15199/48.2019.09.38
suche trawienie
4H-SiC
jakość powierzchni
techniki pazmowe.
silicon carbite
4H-SiC
plasma etching
surface quality
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu
ANDRZEJ TAUBE
KATARZYNA KORWIN-MIKKE
TOMASZ GUTT
TOMASZ MAŁACHOWSKI
IWONA PASTERNAK
MAREK WZOREK
ADAM ŁASZCZ
MARIUSZ PŁUSKA
WITOLD RZODKIEWICZ
ANNA PIOTROWSKA
SYLWIA GIERAŁTOWSKA
MARIUSZ SOCHACKI
ROBERT MROCZYŃSKI
ELŻBIETA DYNOWSKA
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 62687
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-1
Właściwości diod Schottky`ego z węglika krzemu (SiC) w warunkach przekształcania energii elektrycznej z wysoką częstotliwością
ANDRZEJ MICHALSKI
KRZYSZTOF ZYMMER
nr katalogowy: 57455
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2014-4
Wpływ udziału objętościowego TiB2 na mikrostrukturę i właściwości mechaniczne kompozytu ziarnistego SiC-TiB2
Gabriela Górny
Grzegorz Grabowski
Marian Rączka
Paweł Rutkowski
Ludosław Stobierski
nr katalogowy: 86399
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-1
Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE
Kamil BARGIEŁ
Damian BISEWSKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 117991
:10.15199/48.2019.01.54
tranzystor JFET
węglik krzemu
modelowanie
program PSPICE.
JFET
silicon carbide
modelling
PSPICE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2010-4
Charakterystyka powłoki SiC na stopie dentystycznym Wironit i jej wpływ na własności korozyjne w środowisku roztworu fizjologicznego NaCl
DOROTA RYLSKA
MONIKA DOMARECKA
JERZY SOKOŁOWSKI
nr katalogowy: 57167
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Charakterystyki DC tranzystorów MOSFET SiC oraz Si pracujących w obszarze silnego przewodzenia, w szerokim zakresie temperatur
Aneta Hapka
Włodzimierz Janke
Jarosław Kraśniewski
Maciej Oleksy
nr katalogowy: 70993
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky’ego 4H-SiC
GRZEGORZ ZAREMBA
WOJCIECH JUNG
ELIANA KAMIŃSKA
MICHAŁ BORYSIEWICZ
KATARZYNA KORWIN-MIKKE
ZBIGNIEW ADAMUS
nr katalogowy: 62684
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a
Structural investigation of silicon carbide with micro-Raman spectroscopy
Paweł BOROWICZ
Tomasz GUTT
Tomasz MAŁACHOWSKI
Mariusz ŁATEK
nr katalogowy: 55709
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2015-6
Właściwości technologiczne mieszanek formierskich na bazie węglika krzemu stosowanych do produkcji ceramicznych form odlewniczych
Marcin Małek
Paweł Wiśniewski
Jarosław Mizera
Krzysztof J. Kurzydłowski
nr katalogowy: 95647
10.15199/28.2015.6.44
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-9
Źródło jonów dla potrzeb implantacji jonami Al+
MARCIN TUREK
KRZYSZTOF PYSZNIAK
SŁAWOMIR PRUCNAL
ANDRZEJ DROŹDZIEL
JERZY ŻUK
nr katalogowy: 46919
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-6
Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN
Lech Dobrzański
Piotr Caban
Andrzej Kowalik
Jarosław Podgórski
Mariusz Rudziński
Krzysztof Góra
Andrzej Jagoda
Beata Stańczyk
Dariusz Wojnowski
Andrzej Kozłowski
Krystyna Przyborowska
Arkadiusz Lewandowski
Wojciech Wiatr
Regina Paszkiewicz
nr katalogowy: 91808
10.15199/13.2015.6.1
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2
Reactive ion etching of 4H-SiC with BCl3 plasma
Bartłomiej STONIO1
2
Norbert KWIETNIEWSKI
Piotr FIREK
Mariusz SOCHACKI
nr katalogowy: 130178
10.15199/48.2021.02.14
węglik krzemu
4H-SiC
trawienie plazmowe
BCl3
RIE
silicon carbide
4H-SiC
plasma etching
BCl3
RIE
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-7
Identyfikacja pieca do monokrystalizacji SiC jako obiektu sterowania
Marek Orzyłowski
nr katalogowy: 91942
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9
SiC-based phase-shift dual half bridge DC-DC converter as a key component of multilevel cascaded MV converters
Marek ADAMOWICZ
Patryk STRANKOWSKI
Jędrzej PIETRYKA
Janusz SZEWCZYK
Jarosław GUZIŃSKI
nr katalogowy: 86948
10.12915/pe.2014.09.50
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2024-6
Wpływ dodatku mikroproszków węglika krzemu (SiC) i węglika wolframu (WC) na termiczno-dynamiczne właściwości mechaniczne oraz temperaturę zeszklenia epoksydowych kompozytów ablacyjnych
Wojciech Kucharczyk
Marcin Bogucki
Sylwester Stawarz
Waldemar Samociuk
Anita Białkowska
Jiří Struž
Zbigniew Krzysiak
nr katalogowy: 149189
10.15199/62.2024.6.2
epoksydowe kompozyty ablacyjne
napełniacze proszkowe
węglik krzemu
węglik wolframu
termo-dynamiczna analiza mechaniczna
moduł lepkosprężysty
temperatura zeszklenia
epoxy ablative composites
powder fillers
silicon carbide
tungsten carbide
thermo-dynamic mechanical analysis
viscoelastic modulus
glass transition temperature
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9
Evaluation of SiC and GaN FETs in Zero-Voltage Switching Interleaved Boost Converters
Piotr ZIMOCH
nr katalogowy: 122100
10.15199/48.2019.09.40
wielofazowe przekształtniki typu boost
węglik krzemu
azotek galu
miękkie przełączenia
interleaved boost converters
silicon carbide
gallium nitride
zero voltage switching
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2006-11
Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice
Roman BARLIK
Jacek RĄBKOWSKI
Mieczysław NOWAK
nr katalogowy: 21990
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10
Wpływ materiału maskującego na jakość odwzorowania w procesie suchego trawienia węglika krzemu 4H-SiC w plazmie chlorowej
Bartłomiej STONIO
Norbert KWIETNIEWSKI
Piotr FIREK
Mateusz SŁOWIKOWSKI
Krystian PAVŁOV
Mariusz SOCHACKI
Jan SZMIDT
nr katalogowy: 122739
10.15199/48.2019.10.36
węglik krzemu
4H-SiC
trawienie plazmowe
Cl2
ICP.
silicon carbide
4H-SiC
plasma etching
Cl2
ICP
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 1987-6
Wpływ wybranych parametrów syntezy odgromnikowego węglika krzemu na jego przewodność elektryczną
KAZIMIERZ WOŹNIAK
nr katalogowy: 107881
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-10
Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN
Piotr PAZIEWSKI
Henryk SUPRONOWICZ
Marek SUPRONIUK
nr katalogowy: 109838
10.15199/48.2017.10.21
azotek galu GaN
tranzystory GaN
przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie
energoelektronika
gallium nitride GaN
transistors GaN
step-up DC/DC converter
power electronics
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-4
Modelowanie kinetyki procesu utleniania termicznego węglika krzemu
KRYSTIAN KRÓL
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 51408
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO2 i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC
TOMASZ GUTT
TOMASZ MAŁACHOWSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
OLOF ENGSTROM
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62686
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-10
Charakterystyki i parametry tranzystora SiC BJT
Joanna PATRZYK
Janusz ZARĘBSKI
Damian BISEWSKI
nr katalogowy: 150788
10.15199/48.2024.10.62
BJT
silicon carbide
SPICE
modeling
tranzystor bipolarny
węglik krzemu
SPICE
modelowanie
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2
Trójfazowy falownik prądu PWM z tranzystorami SiC JFET
JACEK RĄBKOWSKI
MARIUSZ ZDANOWSKI
nr katalogowy: 50172
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-8
Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu - pomiary, modelowanie i aplikacje
JANUSZ ZARĘBSKI
DAMIAN BISEWSKI
JACEK DĄBROWSKI
KRZYSZTOF GÓRECKI
KAMIL BARGIEŁ
JOANNA PATRZYK
nr katalogowy: 86294
10.15199/ELE-2014-097
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej
PAWEŁ BOROWICZ
ANDRIAN KUCHUK
ZBIGNIEW ADAMUS
MICHAŁ BORYSIEWICZ
MAREK EKIELSKI
ELIANA KAMIŃSKA
ANNA PIOTROWSKA
MARIUSZ LATEK
nr katalogowy: 62683
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-2
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik DC/DC z elementami z węglika krzemu - analiza symulacyjna
Mariusz ZDANOWSKI
Jacek RĄBKOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 82725
10.12915/pe.2014.02.51
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-9
Detektor ultrafioletu z węglika krzemu
L. Dobrzański
K. Grasza
nr katalogowy: 16308
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Wysokonapięciowa dioda z barierą Schottky'ego z węglika krzemu
LECH DOBRZAŃSKI
KRZYSZTOF GÓRA
ANDRZEJ JAGODA
ANDRZEJ KOZŁOWSKI
BEATA STAŃCZYK
KRYSTYNA PRZYBOROWSKA
nr katalogowy: 44769
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8
Epitaksja węglika krzemu metodą CVD
WŁODZIMIERZ STRUPIŃSKI
KINGA KOŚCIEWICZ
MAREK WESOŁOWSKI
nr katalogowy: 37490
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-11
Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC
Krystian Król
Mariusz Sochacki
Michał Waśkiewicz
Jan Szmidt
nr katalogowy: 95200
10.15199/13.2015.11.13
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2015-12
Electrochemical oxidation of organic compounds on boron-doped diamond electrodes Wykorzystanie elektrod diamentowych domieszkowanych borem (BDD) do elektrochemicznego utlenienia związków organicznych
Paweł Lochyński
Thomas Dittmar
Eckhard Worch
Krzysztof Kuczewski
nr katalogowy: 95916
10.15199/62.2015.12.38
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5
Analysis and design of high efficiency DC/DC buck converter
Piotr FALKOWSKI
Marek KORZENIOWSKI
Adam RUSZCZYK
Krzysztof KÓSKA
nr katalogowy: 98193
10.15199/48.2016.05.29
CHŁODNICTWO 2017-4-5
Danfoss i General Electric łączą siły
nr katalogowy: 106015
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-2
Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT
Joanna SZELĄGOWSKA
Damian BISEWSKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 124715
10.15199/48.2020.02.42
BJT
transient thermal impedance
thermal resistance
silicon carbide.
przejściowa impedancja termiczna
rezystancja termiczna
tranzystor bipolarny
węglik krzemu.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Diody Schottky'ego z SiC w falownikach napięcia z krzemowymi tranzystorami MOSFET- badania eksperymentalne
Mieczysław NOWAK
Roman BARLIK
Piotr GRZEJSZCZAK
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 63349
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Charakterystyki statyczne i parametry tranzystorów MOSFET mocy z krzemu i z węglika krzemu
Krzysztof Górecki
Janusz Zarębski
nr katalogowy: 70992
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-2
Dwuwzbudnikowa nagrzewnica indukcyjna do krystalizacji metodą PVT - koncepcja i symulacja
Marcin WESOŁOWSKI
Ryszard NIEDBAŁA
nr katalogowy: 82684
10.12915/pe.2014.02.10
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-9
Węglik krzemu i jego zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur - projekt konkursowy, geneza, założenia i przewidywane efekty
J. Szmidt
nr katalogowy: 16322
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-2
IDEALNY PRZEŁĄCZNIK Z SiC JFET WG POWER ELECTRONIC NEWS DECEMBER 2022
nr katalogowy: 142119
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10
Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost
Janusz Zarębski
Krzysztof Górecki
nr katalogowy: 63244
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2019-12
Wpływ FeSi oraz SiC jako źródeł krzemu na właściwości warstw chromokrzemowanych
Iwona Bauer
nr katalogowy: 123982
10.15199/62.2019.12.32
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Hybrydowe łączniki półprzewodnikowe złożone z Si – IGBT i diod Schottky’ego z SiC
ROMAN BARLIK
TADEUSZ PŁATEK
JACEK RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 62711
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky’ego
NORBERT KWIETNIEWSKI
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
MAREK GUZIEWICZ
ELIANA KAMIŃSKA
ANNA PIOTROWSKA
nr katalogowy: 37981
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Ocena parametrów statycznych diod Schottky’ego z SiC
ARKADIUSZ SZEWCZYK
ALICJA KONCZAKOWSKA
BARBARA STAWARZ-GRACZYK
nr katalogowy: 44768
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-11
LEKKIE MATERIAŁY KOMPOZYTOWE NA OSNOWIE PROSZKU ALUMINIUM UMOCNIONE CZĄSTKAMI WĘGLIKA KRZEMU OTRZYMANE PRZEZ KUCIE MATRYCOWE I WYCISKANIE
STEFAN SZCZEPANIK
nr katalogowy: 80997
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Diody Schottky'ego z węglika krzemu w falownikach napięcia z tranzystorami MOSFET- badania symulacyjne
Mieczysław NOWAK
Roman BARLIK
Piotr GRZEJSZCZAK
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 63350
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2010-4
Analiza procesu wytwarzania proszków SiC metodą zol-żel
ANNA BIEDUNKIEWICZ
Paweł Figiel
Urszula Gabriel
Marta Sabara
nr katalogowy: 57090
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-5
Dynamic performance evaluation of ultra-fast SiC MOSFET power module – a comprehensive approach
Dawid Zięba
Jacek Rąbkowski
nr katalogowy: 143222
10.15199/48.2023.05.33
SiC MOSFET
fast-switching
power modules
dynamic performances.
SiC MOSFET
szybko przełączające
moduły tranzystorowe
parametry dynamiczne.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-5
Dynamic performance evaluation of ultra-fast SiC MOSFET power module – a comprehensive approach
Dawid Zięba
Jacek Rąbkowski
nr katalogowy: 143222
10.15199/48.2023.05.33
SiC MOSFET
fast-switching
power modules
dynamic performances.
SiC MOSFET
szybko przełączające
moduły tranzystorowe
parametry dynamiczne.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-2
Zaburzenia generowane w przetwornicy impulsowej o wysokiej częstotliwości przełączania zawierającej diodę z węglika krzemu
Łukasz STARZAK
Kamil GRABOWSKI
Tomasz POŹNIAK
nr katalogowy: 65931
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-10
Modelowanie diod SiCPiN w programie SPICE
Janusz ZARĘBSKI
Damian BISEWSKI
Krystian KACZERSKI
nr katalogowy: 145809
10.15199/48.2023.10.44
węglik krzemu
dioda PiN
modelowanie
SPICE
silicon carbide
PiN diode
modeling
SPICE
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2012-12
WYBRANE WŁASNOŚCI KOMPOZYTÓW NA OSNOWIE PROSZKU ALUMINIUM, UMOCNIIONYCH CZĄSTKAMI SiC, OTRZYMANYCH PRZEZ WYCISKANIE NA GORĄCO
STEFAN SZCZEPANIK
MAREK WOJTASZEK
PIOTR NIKIEL
JERZY KRAWIARZ
nr katalogowy: 73390
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-SiC
ANDRZEJ TAUBE
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 44770
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-10
Warstwy termicznego SiO2 i Si3N4 na węgliku krzemu (4H-SiC) do przyrządów mocy MS i MIS
M. Sochacki
R. Łukasiewicz
J. Szmidt
W. Rzodkiewicz
M. Lesko
M. Wiatroszak
nr katalogowy: 1211
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2006-3
Powłoki ochronne SiC, SiCN i SiN na stopach metali osadzane reakcyjną metodą magnetronową przy niskich temperaturach
BOGDAN WENDLER
MARCIN JACHOWICZ
MAŁGORZATA KAROLUS
LIDIA ADAMCZYK
nr katalogowy: 17146
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2008-4-5
Właściwości antykorozyjne powłok zawierających nanocząstki węglika krzemu
MAŁGORZATA ZUBIELEWICZ
nr katalogowy: 34278
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-10
Porównanie charakterystyk statycznych bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu
JANUSZ ZARĘBSKI
DAMIAN BISEWSKI
JOANNA PATRZYK
nr katalogowy: 87375
10.15199/ELE-2014-184
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2
Wpływ procesów utleniania i wygrzewania w atmosferze zawieraja˛cej fosfor lub azot na jakos´c´ mie˛dzypowierzchni dielektryk/półprzewodnik w strukturze MOS Ti/SiO2/4H-SiC
Maciej Kamiński
Ernest Brzozowski
Andrzej Taube
Oskar Sadowski
Krystian Król
Marek Guziewicz
nr katalogowy: 130187
SiC
stany powierzchniowe
dielektryk bramkowy
mi˛edzypowierzchnia dielektryk/półprzewodnik
POCl3
NO
SiC
surface states
gate dielectric
semiconductor/dielectric interface
POCl3
NO
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-3
Korozja stopu AZ91 i kompozytów typu AZ91/SiC w roztworze Ringera
IWONA KOT
JANUSZ LELITO
HALINA KRAWIEC
nr katalogowy: 66331
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-11
Przejściowa impedancja termiczna diod Schottky’ego z węglika krzemu w szerokim zakresie temperatur
Włodzimierz JANKE
Aneta HAPKA
Maciej OLEKSY
nr katalogowy: 48169
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-10
Termiczne stany przejściowe w mikrofalowych tranzystorach MESFET z węglika krzemu
WŁODZIMIERZ JANKE
JAROSŁAW KRAŚNIEWSKI
MACIEJ OLEKSY
nr katalogowy: 54973
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-5
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z obwodami rezonansowymi pracującymi z wielokrotnością częstotliwości przekształtnika na przykładzie zastosowania w nagrzewnicach indukcyjnych
Maciej SWADOWSKI
Krzysztof ZYGOŃ
Andrzej JĄDERKO
nr katalogowy: 113569
10.15199/48.2018.05.25
Przekształtnik wysokiej częstotliwości
przekszatałtnik rezonansowy
nagrzewnica indukcyjna
węglik krzemu.
High frequency converter
resonant converter
induction heater
silicon carbide.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Power Losses in PWM Inverters using Silicon Carbide Devices
Jakub DAWIDZIUK
nr katalogowy: 67689
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC
Marcin KASPRZAK
Krzysztof PRZYBYŁA
nr katalogowy: 112455
10.15199/48.2018.03.11
falownik klasy D-ZVS
SiC
MOSFET
równoległe połączenie
Class D-ZVS inverter
SiC
MOSFET
parallel placement
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2019-6
Impact of vibro-compaction on microstructure and properties of aluminium matrix composite with SiC particles
Marcin Godzierz
Anita Olszówka-Myalska
Karolina Dudzińska
Mateusz Urbiczek
nr katalogowy: 124111
10.15199/28.2019.6.3
aluminium matrix composites
silicon carbide
functionally graded materials
quantitative analysis
vibro-compaction
tribological properties.
kompozyty z osnową aluminiową
węglik krzemu
funkcjonalne materiały gradientowe
zagęszczanie wibracyjne
właściwości tribologiczne.
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-5
ANALIZA PARAMETRÓW PROCESU WYTWARZANIA KOMPOZYTÓW Al-SiC
BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
MARCIN MADEJ
nr katalogowy: 76633
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-4
Geometria uzwojeń i wyznaczanie parametrów pasożytniczych dławika o zredukowanej pojemności
Mariusz ZDANOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 104917
10.15199/48.2017.04.03
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-10
Symulacja charakterystyk diod Schottky'ego z węglika krzemu z uwzględnieniem efektów termicznych
ANETA HAPKA
WŁODZIMIERZ JANKE
nr katalogowy: 47300
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-11
Właściwości korozyjne kompozytu typu stop aluminium A359-SiC po wielokrotnym procesie przetopu
MARCIN GROBELNY
ADAM KLASIK
nr katalogowy: 72692
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-4
Silicon carbide JFET - fast, high voltage semiconductor device for power electronics applications
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 43954
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8
Stanowisko i spiralno-wewnętrzna technika cięcia monokryształów SiC na płytki podłożowe
HOFMAN WŁADYSŁAW
nr katalogowy: 37489
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7
Aktywna metoda kontroli rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach SiC MOSFET w łączniku 3,3 kV
Przemysław TROCHIMIUK
nr katalogowy: 126981
10.15199/48.2020.07.15
SiC MOSFET
szeregowe łączenie
aktywne wyrównywanie napięć
SiC MOSFET
series-connection
active voltage sharing
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu
ANDRZEJ TAUBE
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 62666
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC
RENATA KRUSZKA
KATARZYNA KORWIN-MIKKE
IWONA PASTERNAK
MAREK WZOREK
ELIANA KAMIŃSKA
ANNA PIOTROWSKA
nr katalogowy: 62662
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-1
Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC
Piotr CZYŻ
Andrzej REINKE
Michał MICHNA
nr katalogowy: 103250
10.15199/48.2017.01.78
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-8
CHARAKTERYSTYKA WŁAŚCIWOŚCI KOMPOZYTU AK52/SiC UZYSKANEGO METODĄ IMPULSOWO-PLAZMOWEGO SPIEKANIA
MAGDALENA SUŚNIAK
DARIUSZ KOŁACZ
MARCIN LIS
JOANNA KARWAN-BACZEWSKA
TOMASZ SKRZEKUT
nr katalogowy: 78635
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2010-4
Charakterystyka powłok Ti-Si-C formowanych metodą IBAD na stali 316L
AGNIESZKA TWARDOWSKA
nr katalogowy: 57183
AUTO MOTO SERWIS 2022-5
Hitachi Energy wprowadza na rynek przełomowy półprzewodnikowy moduł mocy dla wszystkich typów pojazdów elektrycznych
nr katalogowy: 137927
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-4
PODWÓJNA FUNKCJA TRANZYSTORA MOCY MOSFET
nr katalogowy: 142999
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-6
DC-DC converter based on silicon carbide (SiC) power devices with P+ based current controller
Łukasz J. NIEWIARA
Tomasz TARCZEWSKI
Lech M. GRZESIAK
nr katalogowy: 98779
10.15199/48.2016.06.04
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-4
PODWÓJNA FUNKCJA TRANZYSTORA MOCY MOSFET
nr katalogowy: 142999
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-1
Investigations of thermal parameters of GaAs and SiC MESFETs
Damian BISEWSKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 58350
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2017-2
WYBRANE WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE KOMPOZYTÓW Al-SiC OTRZYMANYCH TECHNOLOGIĄ KONWENCJONALNEJ METALURGII PROSZKÓW
ANNA WĄSIK
BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
MARCIN MADEJ
PIOTR NOGA
nr katalogowy: 104036
10.15199/67.2017.2.1
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Zastosowanie metody MPAS do określania przekrojów czynnych pułapek powierzchniowych w węgliku krzemu
Tomasz Gutt
Henryk M. Przewłocki
nr katalogowy: 79295
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1
TLENEK GALU – NOWY MATERIAŁ PÓŁPRZEWODNIKOWY
nr katalogowy: 141632
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-8
Masowo-spektrometryczne badania reakcji jonowo-molekularnych w mieszaninie CF4, Ne i He
KRZYSZTOF BEDERSKI
nr katalogowy: 61950
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC
Paweł Kopyt
Wojciech Wojtasiak
Daniel Gryglewski
nr katalogowy: 79296
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9
Zasilacz sterowany cyfrowo z przetwornicą reverse buck
Przemysław PTAK
Krzysztof GÓRECKI
Dawid KLEWER
nr katalogowy: 145281
10.15199/48.2023.09.59
Przetwornica DC-DC
topologia reverse buck
Si
GaN
MOSFET
JFET
DC-DC converter
reverse buck topology
Si
GaN
MOSFET
JFET
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2021-5
Konferencja online Click-Watch-Talk 2.0 dla branży materiałów kompozytowych
Jerzy Polaczek
nr katalogowy: 131741
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2011-7-8
TWORZYWA Z PROSZKU ALUMINIUM I KOMPOZYTU Al-CZĄSTKI SiC, FORMOWANE W PROCESIE KUCIA MATRYCOWEGO
STEFAN SZCZEPANIK
MAREK WOJTASZEK
PIOTR NIKIEL
nr katalogowy: 61191
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9
Jednoczesny, dwuczęstotliwościowy falownik do nagrzewania indukcyjnego o strukturze półmostka SiC MOSFET
Kamil KIEREPKA
nr katalogowy: 115822
10.15199/48.2018.09.23
nagrzewanie indukcyjne
rezonans
jednoczesny falownik dwuczęstotliwościowy
SiC MOSFET.
induction heating
resonance
simultaneous dual-frequency inverter
SiC MOSFET.
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2011-4
Otrzymywanie, budowa i właściwości warstw węglowych na stopie Ti6Al4V
stanisława Jonas
Jadwiga Kone fał
anna małek
stanisława kluska
katarzyna tkacz -śmiech
sławo mirzimowski
marcin kot
nr katalogowy: 62453
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-1
Dwugałęziowy przekształtnik prądu stałego z tranzystorami SiC MOSFET do bateryjnego magazynu energii o napięciu 1.5 kV
Radosław SOBIESKI
Rafał MIŚKIEWICZ
Rafał KOPACZ
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 147110
10.15199/48.2024.01.30
bateryjny magazyn energii
przekształtnik prądu stałego
SiC MOSFET
moduł mocy
battery storage system
DC-DC converter
SiC MOSFET
power module
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-4
Charakteryzacja krzemowych kropek kwantowych w wielowarstwowych strukturach azotku krzemu
MAREK LIPIŃSKI
nr katalogowy: 59038
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-6
Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN
Piotr PAZIEWSKI
nr katalogowy: 132304
10.15199/48.2021.06.31
tranzystory GaN
przekształtnik DC/DC
energoelektronika.
transistors GaN
DC/DC converter
power electronics.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-1
SiC-Based Magnetic-less DC-DC Converter with Wide Temperature Range Operation
Maciej CHOJOWSKI
Robert STALA
Andrzej MONDZIK
Adam PENCZEK
nr katalogowy: 129831
10.15199/48.2021.01.10
Switched capacitor voltage converter
High temperature power converter
Zero current switching
DC-DC converter
Przełączalne kondensatory
Praca układu w wysokiej temperaturze
przełączanie w zerze prądu
Przekształtnik DC-DC.
AURA 2013-9
WIADOMOŚCI Z INTERNETU
Adam WIECZOREK
nr katalogowy: 79199
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Wpływ warunków pracy na charakterystyki statyczne diod MPS z węglika krzemu
Aneta HAPKA
Włodzimierz JANKE
nr katalogowy: 63382
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-1
Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC
Krzysztof PRZYBYŁA
nr katalogowy: 111563
10.15199/48.2018.01.33
straty mocy
MOSFET
obwód bramkowy
SiC
power losses
MOSFET
gate circuit
SiC.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET
Krzysztof PRZYBYŁA
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 126978
10.15199/48.2020.07.12
falownik klasy DE
wysoka częstotliwość
SiC
GaN
MOSFET
drajwer
Class DE inverter
high frequency
SiC
GaN
MOSFET
driver
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-12b
Projekt, budowa i badania dławika o zredukowanej pojemności pasożytniczej uzwojeń dla przekształtnika typu DC/DC
Mariusz ZDANOWSKI
Jacek RĄBKOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 73214
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Pomiary parametrów cieplnych elementów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu
Janusz ZARĘBSKI
Jacek DĄBROWSKI
Damian BISEWSKI
nr katalogowy: 63351
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2018-2
CHARAKTERYSTYKA KOMPOZYTÓW Al-Cu/SiC SPIEKANYCH W PRÓŻNI
ANNA WĄSIK
BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
MARCIN MADEJ
JAROSŁAW KASPRZYK
nr katalogowy: 112329
10.15199/67.2018.2.2
kompozyty Al-SiC
metalurgia proszków
mikrostruktura
wytrzymałość na ściskanie
wytrzymałość na zginanie
Al4Cu-SiC composites
powder metallurgy
microstructure
compressive strength
bending strength
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Badania właściwości struktur MOS na SiC dla wybranych rozwiązań technologiczno-konstrukcyjnych
Tomasz Gutt
Krzysztof Piskorski
Henryk M. Przewłocki
Paweł Borowicz
nr katalogowy: 70975
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-6
EFFECT OF THE TYPE OF ABRASIVE AGENT ON THE PROPERTIES OF CAST Co-Cr ALLOYS USED IN PROSTHETICS
JOANNA AUGUSTYN-PIENIĄŻEK
PAWEŁ KURTYKA
nr katalogowy: 91969
10.15199/67.2015.6.2
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-12
Sterownik bramkowy dla tranzystorów SiC pracujących w układzie mostka
Jacek RĄBKOWSKI
Mariusz ZDANOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 73368
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5
Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz)
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 98173
10.15199/48.2016.05.09
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Spis treści / contents
nr katalogowy: 63430
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Modelowanie numeryczne w procesie projektowania urządzeń do wytwarzania materiałów półprzewodnikowych
MARCIN WESOŁOWSKI
RYSZARD NIEDBAŁA
ADAM CZAPLICKI
nr katalogowy: 58278
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-4
Kwantowy efekt Hall'a w epitaksjalnym grafenie otrzymanym w ITME
Lech Dobrzański
Włodzimierz Strupiński
Rafał Stankiewicz
Marta Borysiewicz
Krzysztof Góra
Andrzej Kozłowski
Beata Stańczyk
nr katalogowy: 67025
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-12
Modelowanie diod Schottky'ego
nr katalogowy: 102964
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2021-5
Konferencja online Click-Watch-Talk 2.0 dla branży materiałów kompozytowych
Jerzy Polaczek
nr katalogowy: 131741
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7
Porównanie parametrów tranzystorów MO SFET wykonanych w technologii Si oraz SiC
WITOLD Kardyś
Krystian Król
nr katalogowy: 85782
10.15199/ELE-2014-066
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE 2004-7-8
Kompozyty stal szybkotnąca - węglik wolframu - miedź
MADEJ M.
LEŻANSKI J.
nr katalogowy: 2029
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 1988-12
Z PRASY ZAGRANICZNEJ
nr katalogowy: 107779
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Spis treści / contents
nr katalogowy: 67740
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2018-6
Właściwości mechaniczne nanokompozytowych warstw Ni-P/Si3N4 wytwarzanych metodą redukcji chemicznej na stopie aluminium AW-7075
Kazimierz Czapczyk
Stanisław Legutko
Piotr Siwak
Bartosz Gapiński
Grzegorz Cieślak
nr katalogowy: 114212
10.15199/62.2018.6.23
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2020-1
Wybrane zgłoszenia patentowe z dziedziny chemii (wg Biuletynu Urzędu Patentowego nr 19 i 20 z 2019 r.)
nr katalogowy: 124456
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Zależność parametrów elektrycznych struktury MOS wykonanej na podłożu SiC od wielkości metalowej bramki
Krzysztof Piskorski
Henryk M. Przewłocki
Romain Esteve
Mietek Bakowski
nr katalogowy: 70976
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2012-3
Modyfikacja powierzchni podłoża tytanowego warstwami węgloazotku krzemu
Jadwiga Konefał-Góral
Anna Małek
Stanisława Kluska
Stanisława Jonas
nr katalogowy: 69969
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7
Przekształtniki tranzystorowe działające w trybie prądu trójkątnego
Zbigniew KRZEMIŃSKI
nr katalogowy: 126973
10.15199/48.2020.07.07
węglik krzemu
falownik
prąd trójkątny
sterowanie
silicon carbide
inverter
triangular current
control
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2008-9
WŁASNOŚCI I STRUKTURA INFILTROWANYCH KOMPOZYTÓW STAL SZYBKOTNĄCA-WĘGLIK WOLFRAMU-MIEDŹ CZĘŚĆ II
MARCIN MADEJ
JAN LEŻAŃSKI
nr katalogowy: 38342
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2007-1
WPŁYW TEMPERATURY SPIEKANIA NA MIKROSTRUKTURĘ I WŁASNOŚCI SPIEKÓW KOBALT-WĘGLIK CHROMU
HANNA FRYDRYCH
JANUSZ KONSTANTY
WIKTORIA RATUSZEK
nr katalogowy: 23502
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
Sebastian Giziewski
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142230
10.15199/48.2023.03.06
falownik SiC 4-gałęziowy
SiC MOSFET
napięcie common mode
silnik wysokoobrotowy.
4-legm SiC inverter
SIC MOSFET
common mode voltage
high speed motor.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
Sebastian Giziewski
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142230
10.15199/48.2023.03.06
falownik SiC 4-gałęziowy
SiC MOSFET
napięcie common mode
silnik wysokoobrotowy.
4-legm SiC inverter
SIC MOSFET
common mode voltage
high speed motor.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
Sebastian Giziewski
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142230
10.15199/48.2023.03.06
falownik SiC 4-gałęziowy
SiC MOSFET
napięcie common mode
silnik wysokoobrotowy.
4-legm SiC inverter
SIC MOSFET
common mode voltage
high speed motor.
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2013-6
Pasywacja chemiczna i powłoka SiC jako sposoby poprawy odporności na korozję elektrochemiczną stopu dentystycznego z grupy Co-Cr-Mo-W Wirobond C
DOROTA RYLSKA
BOGDAN WENDLER
JERZY SOKOŁOWSKI
JOLANTA SOKOŁOWSKA
MONIKA ŁUKOMSKA-SZYMAŃSKA
nr katalogowy: 81510
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2008-8
WŁASNOŚCI I STRUKTURA INFILTROWANYCH KOMPOZYTÓW STAL SZYBKOTNĄCA-WĘGLIK WOLFRAMU-MIEDŹ CZĘŚĆ I
MARCIN MADEJ
JAN LEŻAŃSKI
nr katalogowy: 37029
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
