Twój Koszyk

Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

nr katalogowy: 93253

10.15199/48.2015.09.29

Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

nr katalogowy: 93235

10.15199/48.2015.09.01

Parametry tranzystorów GaN HEMT - wyniki I etapu projektu PolHEMT

nr katalogowy: 93279

10.15199/48.2015.09.55

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2018-1

Stan technologii mikrofalowych elementów z azotku galu

nr katalogowy: 111808

10.15199/13.2018.1.4

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-6

Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN

Piotr PAZIEWSKI

nr katalogowy: 132304

10.15199/48.2021.06.31

Model DC tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem parametrów fizycznych

nr katalogowy: 93278

10.15199/48.2015.09.54

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-3

Experimental evaluation of GaN Gate Injection Transistors

nr katalogowy: 89892

10.15199/48.2015.03.03

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-8

Technologia tranzystorów HEMT na bazie azotku galu do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy i energoelektronice

nr katalogowy: 100445

10.15199/13.2016.8.14

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-10

Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN

nr katalogowy: 109838

10.15199/48.2017.10.21

Small-signal microwave measurements and modeling of GaN FET devices manufactured by ITME

nr katalogowy: 93227

10.15199/48.2015.09.03

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-11

electronica 2020

nr katalogowy: 129208

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-11

Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty

Mirosław MIKOŁAJEWSKI

nr katalogowy: 116859

10.15199/48.2018.11.19

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10

Pomiary in-situ jednorodności temperatury i ex-situ grubości osadzonej warstwy w systemie epitaksjalnym AIXTRON CCS 3 x 2"

nr katalogowy: 122743

10.15199/48.2019.10.40

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-5

Broadband power electronics controlled voltage source with output stage based on GaN transistors

Michał GWÓŹDŹ

nr katalogowy: 113556

10.15199/48.2018.05.12

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2005-10-11

Rekordowo szybki tranzystor

fi

nr katalogowy: 13150

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

nr katalogowy: 141641

10.15199/13.2023.1.3

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

nr katalogowy: 141641

10.15199/13.2023.1.3

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

nr katalogowy: 141641

10.15199/13.2023.1.3

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-3

WZMACNIACZ AKUSTYCZNY DUŻEJ MOCY Z TRANZYSTORAMI Z GaN

nr katalogowy: 136857

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-6

Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN

nr katalogowy: 91808

10.15199/13.2015.6.1

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-3

WZMACNIACZ AKUSTYCZNY DUŻEJ MOCY Z TRANZYSTORAMI Z GaN

nr katalogowy: 136857

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-1

Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC

nr katalogowy: 103250

10.15199/48.2017.01.78

Właściwości i zastosowania tranzystorów HEMT na bazie azotku galu

nr katalogowy: 93242

10.15199/48.2015.09.18

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9

Wpływ światła na rezystancję powierzchniową heterostruktury AlGaN/GaN

nr katalogowy: 115806

10.15199/48.2018.09.07

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2021-8

NOWA FALA GaN I SIC

nr katalogowy: 133104

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN

nr katalogowy: 79300

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si techniką skaningowej mikroskopii pojemnościowej

nr katalogowy: 108527

10.15199/48.2017.08.15

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Wyznaczanie profilu koncentracji nośników i domieszek w strukturach 2DEG na bazie GaN

nr katalogowy: 62689

Comparative molecular dynamics studies of Si, GaN and SiC thermal conductivity

Bohdan ANDRIYEVSKY

nr katalogowy: 93226

10.15199/48.2015.09.02

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-2

Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors

nr katalogowy: 118395

10.15199/48.2019.02.28

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-1

Wyznaczanie naprężeń w strukturach epitaksjalnych GaN

RYSZARD KORBUTOWICZ

nr katalogowy: 40885

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10

Procesy wytwarzania periodycznych struktur o wymiarach nanometrowych w GaN przy użyciu technik litografii NIL

nr katalogowy: 80122

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5

Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz)

Jacek RĄBKOWSKI

nr katalogowy: 98173

10.15199/48.2016.05.09

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-10

Numerical simulation of UV LED single quantum well based on AlGaN/GaN/AlGaN

Fatima Zohra RAHOU

nr katalogowy: 150749

10.15199/48.2024.10.23

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-3

Analiza wpływu samonagrzewania na charakterystyki liniowego stabilizatora napięcia z tranzystorem MOS

nr katalogowy: 41995

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

nr katalogowy: 62660

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1

Tranzystory TFT z amorficznego GaN otrzymane na powierzchni krzemowej lub kwarcowej z metalizowanym wzorem

nr katalogowy: 32596

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN

nr katalogowy: 62665

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si

nr katalogowy: 70964

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Trójpoziomowy przekształtnik podwyższający napięcie z obwodem quasi-impedancyjnym i tranzystorami GaN HEMT

nr katalogowy: 126985

10.15199/48.2020.07.19

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET

nr katalogowy: 126978

10.15199/48.2020.07.12

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

Selektywne osadzanie warstw GaN na podłożach krzemowych metodą reaktywnego sputteringu

nr katalogowy: 8990

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-1

Niskonapięciowy prostownik synchroniczny z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN

nr katalogowy: 103222

10.15199/48.2017.01.50

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-8

Application of GaN HEMT as a bidirectional switch in matrix converter

nr katalogowy: 121604

10.15199/48.2019.08.34

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-6

Efficiency optimization of totem pole PFC with Gallium Nitride semiconductors

nr katalogowy: 132280

10.15199/48.2021.06.07

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem

nr katalogowy: 122093

10.15199/48.2019.09.33

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Mechanizm wzrostu warstw GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

nr katalogowy: 62678

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-7

AMMONO-GaN substrates for microwave and RF electronics applications

nr katalogowy: 69621

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2

Czujnik wodoru AlGaN/GaN FAT-HEMT

nr katalogowy: 66154

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2013-4

Recognition and characterization of defects in GaN epilayers

nr katalogowy: 79713

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Symulacje i modelowanie zaawansowanych struktur tranzystorów HEMT AlGaN/GaN

nr katalogowy: 70973

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3

Jednofazowy mostkowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami GaN GIT

nr katalogowy: 112465

10.15199/48.2018.03.21

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2023-4

ZASTOSOWANIE ELEKTROD GRAFENOWYCH W PRZEŁĄCZNIKACH NA PASMO FAL MILIMETROWYCH WYKONANYCH W STRUKTURACH AlGaN/GaN

Jakub Sobolewski

nr katalogowy: 144760

10.15199/59.2023.4.32

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

3-drożny wzmacniacz Doherty’ego w konfiguracji odwróconej na pasmo S z tranzystorami GaN HEMT

Marcin Góralczyk

nr katalogowy: 133041

10.15199/59.2021.4.1

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

3-drożny wzmacniacz Doherty’ego w konfiguracji odwróconej na pasmo S z tranzystorami GaN HEMT

Marcin Góralczyk

nr katalogowy: 133041

10.15199/59.2021.4.1

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

3-drożny wzmacniacz Doherty’ego w konfiguracji odwróconej na pasmo S z tranzystorami GaN HEMT

Marcin Góralczyk

nr katalogowy: 133041

10.15199/59.2021.4.1

PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY 2011-1

Koncentraty i soki owocowe z Izraela oraz ekologiczne Przysmaki Viands

nr katalogowy: 57198

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-3

WZMACNIACZE AKUSTYCZNE Z GAN (1)

nr katalogowy: 125612

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

nr katalogowy: 62662

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Evaluation of SiC and GaN FETs in Zero-Voltage Switching Interleaved Boost Converters

Piotr ZIMOCH

nr katalogowy: 122100

10.15199/48.2019.09.40

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Kontrolowane trawienia plazmą BCl3/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN

nr katalogowy: 70966

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

nr katalogowy: 79303

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-12

Właściwości akustycznych fal powierzchniowych w płaszczyźnie Z kryształu GaN

nr katalogowy: 56726

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2013-21-22

Tranzystor po sześćdziesiątce

Marek Bielski

nr katalogowy: 80497

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10

Modularny Przekształtnik Wielopoziomowy z Wykorzystaniem Półprzewodników z Azotku Galu

nr katalogowy: 122742

10.15199/48.2019.10.39

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9

Zasilacz sterowany cyfrowo z przetwornicą reverse buck

nr katalogowy: 145281

10.15199/48.2023.09.59

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-11

SMIS - nowa struktura unipolarna

nr katalogowy: 21495

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-11

Montaż struktur AlGaN/GaN na Si do podłoży DBC w oparciu o technologię SLID oraz zgrzewania dyfuzyjnego mikroproszkiem Ag

nr katalogowy: 123214

10.15199/48.2019.11.02

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN - wpływ przewodności cieplnej podłoża

nr katalogowy: 70972

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

nr katalogowy: 79296

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Wpływ niedokładności wykonania wybranych elementów azotkowego lasera VCSEL na jego charakterystyki emisyjne

nr katalogowy: 122083

10.15199/48.2019.09.26

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2023-4

IMPLEMENTACJA METODY UKRYWANIA DANYCH W OBRAZACH Z WYKORZYSTANIEM SIECI GENERATYWNYCH

nr katalogowy: 144798

10.15199/59.2023.4.70

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2

Technologia SLID w montażu GaN-on-Si do podłoży Cu

nr katalogowy: 130179

10.15199/48.2021.02.15

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-10

Rozwój konstrukcji i technologii jonoczułych tranzystorów polowych

nr katalogowy: 1221

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

Stany elektronowe w tranzystorze jednoelektronowym formowanym w heterostrukturze GaAs-AlxGa1-x As

nr katalogowy: 9003

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-3

Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SiC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT

nr katalogowy: 50822

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-10

Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy

nr katalogowy: 94543

10.15199/13.2015.10.5

Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL

nr katalogowy: 93257

10.15199/48.2015.09.33

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2006-4

Niebieska rewolucja

Weronika Śliwa

nr katalogowy: 19497

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

NAJMNIEJSZA REZYSTANCJA KANAŁU

nr katalogowy: 141637

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-6

Behavior of light emitting diodes at low temperature

JAKUB PAJĄKOWSKI

nr katalogowy: 60607

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2006-12

WYNALAZKI

nr katalogowy: 22831

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-12

Sterownik bramkowy dla tranzystorów SiC pracujących w układzie mostka

nr katalogowy: 73368

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Influence of low-temperature annealing of AlGaN/GaN heterostructures on adhesion of evaporated Pt-based Schottky contacts

nr katalogowy: 79325

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

Komputerowe modelowanie przyrządów opartych na heterostrukturzen AIGaN-GaN-Al2O3

nr katalogowy: 9004

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2007-12

Małosygnałowy elektrotermiczny model przetwornicy boost

nr katalogowy: 32124

MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2012-6

Jednoatomowy tranzystor

nr katalogowy: 72500

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-8

Technologia Osadzania Warstw Atomowych – zastosowania w elektronice

nr katalogowy: 61961

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2023-3

Sygnały o technice

Jerzy Bojanowicz

nr katalogowy: 142456

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Model lasera o emisji krawędziowej z obszarem czynnym GaN/AlGaN emitującego promieniowanie ultrafioletowe

nr katalogowy: 79299

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2024-7

PORÓWNANIE CHARAKTERYSTYK PRZETWORNICY SEPIC ZAWIERAJĄCEJ TRANZYSTORY MOSFET WYKONANE Z KRZEMU I WĘGLIKA KRZEMU

Michał Downar-Zapolski

nr katalogowy: 149636

10.15199/13.2024.7.8

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11

Wyznaczanie statycznych charakterystyk w układach tranzystorowych z wykorzystaniem symulatora analizy dynamicznej SPICE

nr katalogowy: 39673

GaN- materiał do konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach

Spis treści / Contents

nr katalogowy: 93297

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

nr katalogowy: 8984

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2023-3

Next level epitaxy (NLE) – a novel approach for the mass production of semiconductor layers

nr katalogowy: 144061

10.15199/28.2023.3.2

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2023-3

Next level epitaxy (NLE) – a novel approach for the mass production of semiconductor layers

nr katalogowy: 144061

10.15199/28.2023.3.2

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2023-3

Next level epitaxy (NLE) – a novel approach for the mass production of semiconductor layers

nr katalogowy: 144061

10.15199/28.2023.3.2

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2008-5

Tranzystor - 60 lat minęło i co dalej?

nr katalogowy: 35331

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-5

Study of the side walls inclination angle after RIE process of piezotronic structures

nr katalogowy: 131574

10.15199/48.2021.05.16

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Komplementarne zastosowanie metod dyfrakcji i spektroskopii absorpcyjnej promieniowania X do charakteryzacji cienkich warstw Ti-Si-C

nr katalogowy: 70970

Projekt kompaktowego lasera typu VECSEL wykonanego na bazie materiałów azotkowych

nr katalogowy: 108529

10.15199/48.2017.08.17

Projekt azotkowego lasera VCSEL z bezpośrednim wstrzykiwaniem prądu do obszaru czynnego

nr katalogowy: 115204

10.15199/48.2018.08.01

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-4

PODWÓJNA FUNKCJA TRANZYSTORA MOCY MOSFET

nr katalogowy: 142999

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8

Problemy montażu struktur SiC stosowanych w elektronice wysokich temperatur i dużych mocy

nr katalogowy: 37487

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9

Tłumienie efektu thermal crosstalk w linijkach laserowych

nr katalogowy: 139296

10.15199/48.2022.09.36

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9

Tłumienie efektu thermal crosstalk w linijkach laserowych

nr katalogowy: 139296

10.15199/48.2022.09.36

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-10

Komputerowa analiza zjawisk pojemnościowych w azotkowych laserach VCSEL

nr katalogowy: 139778

10.15199/48.2022.10.58

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-10

Komputerowa analiza zjawisk pojemnościowych w azotkowych laserach VCSEL

nr katalogowy: 139778

10.15199/48.2022.10.58

AURA 2010-6

WIADOMOŚCI Z INTERNETU

Adam WIECZOREK

nr katalogowy: 52191

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-4

PODWÓJNA FUNKCJA TRANZYSTORA MOCY MOSFET

nr katalogowy: 142999

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2023-3

Sygnały o technice

Jerzy Bojanowicz

nr katalogowy: 142456

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2024-8

WYDARZENIA

nr katalogowy: 149976

Zintegrowany układ oświetlenia próbki do mikroskopu ze skanującą sondą

nr katalogowy: 115209

10.15199/48.2018.08.06

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-11

Cooling of minimized surface-mount packages in power electronics applications

nr katalogowy: 128845

10.15199/48.2020.11.31

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9

Współczesne tranzystory mocy w impulsowych przekształtnikach napięcia Flyback

nr katalogowy: 115801

10.15199/48.2018.09.02

ATEST - OCHRONA PRACY 2015-7

"Tranzystory"

Aleksander Stukowski

nr katalogowy: 92310

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-12

Jednołącznikowy falownik napięciowy klasy E w zastosowaniu do nagrzewania indukcyjnego – topologia, cykle pracy oraz koncepcja sterowania modelu układu – Część II

nr katalogowy: 81438

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Charakteryzacja elektryczna ceramicznej oprawki tranzystora RF

nr katalogowy: 62677

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-9

Wpływ parametrów źródła sygnału sterującego na właściwości przetwornicy Buck

nr katalogowy: 54295

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Model diody elektroluminescencyjnej z ZnO

nr katalogowy: 62675

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b

Sterowniki bramkowe dla tranzystorów z węglika krzemu (SiC) - przegląd rozwiązań

nr katalogowy: 67716

Wpływ modelu tranzystora MOS na charakterystyki przetwornicy BOOST w stanie ustalonym

nr katalogowy: 55713

PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY 2024-1

Smaczne zakupy w galerii handlowej

nr katalogowy: 147593

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-11

Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl2/BCl3

nr katalogowy: 64035

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2

Technika grubowarstwowa i LTCC w realizacji elementów elektroniki wysokotemperaturowe

nr katalogowy: 66155

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-8

Example of Inrush Current Elimination After Connection of High Input DC Voltage

nr katalogowy: 127352

10.15199/48.2020.08.20

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-7

Modelowanie tranzystorów SiC-MOS

nr katalogowy: 45506

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN

nr katalogowy: 70965

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej

nr katalogowy: 79298

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2011-2-3

Mobilne stanowisko pomiarowe do badań propagacyjno-zasięgowych

nr katalogowy: 58478

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-10

Wpływ wysokiej temperatury na przebieg charakterystyk widmowych detektorów

nr katalogowy: 54986

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9

Analiza wpływu zmian konstrukcyjnych lasera azotkowego na możliwość zwiększenia jego wyjściowej mocy optycznej

nr katalogowy: 86914

10.12915/pe.2014.09.17

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Właściwości i badania laboratoryjne wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF z ćwierćfalową linią długą

nr katalogowy: 126986

10.15199/48.2020.07.20

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-12

WZROST ZAINTERESOWANIA LIDAREM

nr katalogowy: 129728

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-10

Wpływ warstwy ZnO na parametry pracy azotkowych laserów o emisji krawędziowej

nr katalogowy: 145814

10.15199/48.2023.10.49

Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET

nr katalogowy: 115220

10.15199/48.2018.08.17

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2017-18

Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. I)

Jerzy KLAMKA

nr katalogowy: 108810

Termiczna analiza azotkowych laserów VCSEL ze złączem tunelowym

nr katalogowy: 108519

10.15199/48.2017.08.07

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2014-3

Moduły zwrotu energii do sieci zasilającej przeznaczone do przetwornic częstotliwości Danfoss VLT AutomationDrive

Jaromir Turlej

nr katalogowy: 82867

PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY 2014-1

XII 2013 CO NOWEGO w Świecie aromatów, dodatków i składników do Żywności

Katarzyna Oleksy

nr katalogowy: 82267

PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY 2009-8

Desery Mus Pannacotta Mus Czekoladowy

nr katalogowy: 45446

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10

Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost

nr katalogowy: 63244

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2016-11

Nieizolowane przekształtniki z dławikiem sprzężonym do zastosowań w systemach fotowoltaicznych

Michał Harasimczuk

nr katalogowy: 102043

10.15199/74.2016.11.1

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Próba zniwelowania wpływu naprężeń mechanicznych na działanie azotkowych diod elektroluminescencyjnych

nr katalogowy: 62673

Początek i rozwój półprzewodnikowych laserów VCSEL

nr katalogowy: 108513

10.15199/48.2017.08.01

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-11

Emisja polowa z kompozytowych warstw TiOx + Ti wytworzontch metodą rozpylania magnetronowego

nr katalogowy: 64055

MATERIAŁY BUDOWLANE 2022-7

Odpowiedzialność w przypadku katastrofy budowlanej

Joanna Wawryniuk-Barańska

nr katalogowy: 138546

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-5

Wysokoczęstotliwościowe drajwery tranzystorów MOSFET mocy

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 84489

10.12915/pe.2014.05.051

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2011-4

Inteligentne czujniki w projektowaniu systemów automatyki, pomiarów i sterowania

Jerzy Kołłątaj

nr katalogowy: 58691

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2

Modelowanie struktur MOS z podwójną barierą potencjału

nr katalogowy: 58267

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-2

Bezstykowy hybrydowy ogranicznik prądów zwarciowych

nr katalogowy: 103835

10.15199/48.2017.02.57

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-10

Potrajacz częstotliwości na pasmo K

Martyna Skweres

nr katalogowy: 94550

10.15199/13.2015.10.10

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-11

Simulation of neutron irradiation influence on p-n-p bipolar transistor characteristics

nr katalogowy: 101999

10.15199/48.2016.11.57

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-7

Model teoretyczny tunelowego tranzystora polowego

nr katalogowy: 99873

10.15199/13.2016.7.9

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-9

Modelowanie charakterystyk przetwornicy buck z uwzględnieniem zjawisk cieplnych w dławiku

nr katalogowy: 93953

10.15199/13.2015.9.10

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3

Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 112457

10.15199/48.2018.03.13

Problematyka określenia sprawności niskostratnych drajwerów pracujących z częstotliwością 30 MHz

nr katalogowy: 115231

10.15199/48.2018.08.28

PRZEGLĄD GEODEZYJNY 2021-10

Pod paragrafem, czyli prawo na co dzień

Alicja Meusz

nr katalogowy: 133774

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2017-3

Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów

nr katalogowy: 104807

10.15199/13.2017.3.5

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-10

Impulsy elektryczne wielkiej mocy z subnanosekundowym czasem narastania

Paweł SZCZUPAK

nr katalogowy: 87436

10.12915/pe.2014.10.20

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-10

Porównanie charakterystyk statycznych bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu

nr katalogowy: 87375

10.15199/ELE-2014-184

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Charakterystyki statyczne i parametry tranzystorów MOSFET mocy z krzemu i z węglika krzemu

nr katalogowy: 70992

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2

Nowe zadania pomiarów ostrzowych w procesie wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych

nr katalogowy: 66162

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10

Wpływ doboru rdzenia dławika na nieizotermiczne charakterystyki przetwornicy buck

nr katalogowy: 63243

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu

nr katalogowy: 62666

MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2011-4

Pamięci nieulotne

nr katalogowy: 61344

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

nr katalogowy: 79301

MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2013-3

Spinowy tranzystor

nr katalogowy: 77031

Model regulatora impulsowego współpracującego z synchroniczną przetwornicą dc-dc

Krzysztof GÓRECKI

nr katalogowy: 55751

Wpływ zastosowania elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu na charakterystyki przetwornicy buck

nr katalogowy: 55737

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-1

Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu

nr katalogowy: 96282

10.15199/13.2016.1.8

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2015-2-3

Najnowsza generacja optycznych systemów dostępowych

Krzysztof Perlicki

nr katalogowy: 89718

10.15199/59.2015.2-3.1

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2017-1

Badania wpływu długoterminowego wygrzewania na półprzewodnikowe detektory UV

nr katalogowy: 103747

10.15199/13.2017.1.5

MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2011-6

Diament w elektronice

nr katalogowy: 63686

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-1

Sinusoidal oscillator based on Adjustable Current Amplifier and Diamond Transistors with Buffers

nr katalogowy: 58349

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-4

Wysokoczęstotliwościowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 97605

10.15199/48.2016.04.07

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-3

Trójfazowy dwupoziomowy falownik napięcia z łagodnym przełączaniem tranzystorów odpornym na zakłócenia sterowania

nr katalogowy: 97028

10.15199/48.2016.03.36

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-10

Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for electronic sensing applications

nr katalogowy: 94024

10.15199/48.2015.10.34

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-6

Problem zwarć skrośnych w scalonych sterownikach bramkowych pracujących z częstotliwością 30 MHz

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 114161

10.15199/48.2018.06.13

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-4

Geometria uzwojeń i wyznaczanie parametrów pasożytniczych dławika o zredukowanej pojemności

nr katalogowy: 104917

10.15199/48.2017.04.03

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2013-24-25

Od pomysłu do przemysłu

nr katalogowy: 81653

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-9

Cienkie warstwy ZnO wytwarzane techniką magnetronowego rozpylania katodowego: mikrostruktura i funkcjonalność

nr katalogowy: 86741

10.15199/ELE-2014-121

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-10

Badania detektorów UV do zastosowań specjalnych w zakresie kriogenicznych wartości temperatury

nr katalogowy: 71968

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

STRESZCZENIA ARTYKUŁÓW

nr katalogowy: 62656

ELEKTROINSTALATOR 2019-1

Czujniki obecności i ruchu w instalacji oświetleniowej

nr katalogowy: 118851

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-9

Wzmacniacze dużej mocy GaAs, GaN w systemach radiolokacyjnych na pasmo C

nr katalogowy: 93944

10.15199/13.2015.9.1

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-3

Spis treści / Contents

nr katalogowy: 89940

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2015-1

Moda na laser i grafen

Jerzy Bojanowicz

nr katalogowy: 88973

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2018-12

Wyznaczanie strat cieplnych wydzielanych w tranzystorach mocy typu MOSFET

nr katalogowy: 117574

10.15199/74.2018.12.2

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-11

A numeric simulation of transient thermal field in a transistorradiator system and its verification by measurements

nr katalogowy: 80871

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-12a

A compact cap-free headphone driver

nr katalogowy: 73122

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-1a

Hybrid IGBT-IGCT Switch

nr katalogowy: 65331

Wysokosprawne układy do zasilania SSL LED dla potrzeb autonomicznych instalacji PV

nr katalogowy: 55724