Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2013 - zeszyt 9

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

nr katalogowy: 79303

Mimo, że upłynęło już niemal 20 lat od pojawienia się pierwszych doniesień o skonstruowaniu diody elektroluminescencyjnej na bazie GaN i jego związków pokrewnych, przyrządy te są stale w centrum zainteresowania zarówno badaczy, jak i przemysłu. Zakres ich stosowania stale się rozszerza i obejmuje coraz więcej dziedzin życia: od przemysłu oświetleniowego do medycyny, stomatologii, ochrony środowiska, motoryzacji a nawet kryminalistyki. Nic więc dziwnego, że wykonanie diody UV-DEL AlGaN/GaN należy do zadań projektu InTechFun. Jednym z głównych problemów przy konstrukcji takich DEL jest stosunkowo mała wydajność promieniowania. Ze względu na duży kontrast współczynnika załamania pomiędzy azotkiem galu (n = 2,4) a powietrzem, znaczna część promieniowania uwięziona jest we wnętrzu diody poprzez efekt całkowitego wewnętrznego odbicia, co powoduje, że współczynnik ekstrakcji promieniowania jest bardzo niski. Zastosowanie kryształów fotonicznych pozwala na istotną poprawę tego współczynnika z uwagi na stworzenie sprzężenia pomiędzy modami propagującymi się wewnątrz diody - normalnie ograniczonymi przez zjawisko całkowitego wewnętrznego odbicia - a promieniowaniem emitowanym w powietrze. W praktyce stosuje się różne sposoby strukturyzacji powierzchni obszaru świecącego diody, jednak kryształy fotoniczne należą do najskuteczniejszych sprzęgaczy optycznych [1-4]. Zgodnie z harmonogramem projektu InTechFun, efektem prac technologicznych miała być dioda elektroluminescencyjna o maksimum emisji dla λ = 385 nm. Celem niniejszej pracy jest zaprezentowanie uzyskanych efektów zarówno w zakresie projektowania, technologii, montażu, jak i parametrów użytkowych diody z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi. Projekt DEL Bazą do wytworzenia diody była struktura DEL Al(In)GaN/GaN 5QW wykonana metodą MOVPE na podłożu szafirowym w firmie TopGaN, przedstawiona schematycznie na rys. 1a. Podstawą do określenia parametrów geometrycznych diody b[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 79303 "Diody elektroluminescency..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2013-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2013-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma