Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2024 - zeszyt 7

PORÓWNANIE CHARAKTERYSTYK PRZETWORNICY SEPIC ZAWIERAJĄCEJ TRANZYSTORY MOSFET WYKONANE Z KRZEMU I WĘGLIKA KRZEMU

Comparison of the characteristics of the SEPIC converter containing MOSFET transistors made of silicon and carborundum

10.15199/13.2024.7.8

Michał Downar-Zapolski

nr katalogowy: 149636
10.15199/13.2024.7.8

Streszczenie

W pracy przeanalizowano i dokonano porównania parametrów przetwornicy SEPIC w zależności od zastosowanego materia łu półprzewodnikowego z jakiego został wykonany tranzystor kluczujący. Badania obejmowały wpływ zastosowanego pół przewodnika na sprawność energetyczną przetwornicy dc-dc, jej napięcie wyjściowe oraz temperaturę diody. Z przeprowa dzonych pomiarów wynika, że już samo zastąpienie tranzystora krzemowego na tranzystor z węglika krzemu powoduję wzrost sprawności energetycznej przetwornicy. Istotną kwestią wyróż niającą przetwornice zbudowaną z tranzystora z węglika krzemu jest fakt niewielkich różnic w sprawności energetycznej takiej przetwornicy w momencie zmiany obciążenia na jej wyjściu, w odróżnieniu do klasycznego tranzystora krzemowego, który powodował duże różnice w sprawności energetycznej przetwor nicy w zależności od rezystancji obciążenia.

Abstract

The influence of the precursor dose of the ALD process on the In this study, we analyzed and compared the parameters of the SEPIC converter depending on the semiconductor material used for the switching transistor. The research covered the impact of the semiconductor used on the efficiency of the dc-dc converter, its output voltage, and the temperature of the diode. The findings indicate that merely replacing a silicon transistor with a silicon carbide transistor leads to an increase in the energy efficiency of the converter. A notable aspect distinguishing converters built with silicon carbide transistors is the minor differences in energy efficiency of such converters when there is a change in load at the output, unlike conventional silicon transistors, which caused significant variations in the energy efficiency of the converter depending on the resistance of the load.

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Philip G. Neudeck., SiC TECHNOLOGY, Glenn Research Cent er, Defense Advanced Research Projects Agency Arlington, VA, United States, 1998.
[2] J. Rabkowski, D. Peftitsis, Hans-Peter Nee, Silicon Carbide Power Transistors: A New Era in Power Electronics Is Initiated, IEEE Industrial Electronics Magazine, Volume: 6, Issue: 2, June 2012, doi: 10.1109/MIE.2012.2193291.
[3] Michael S. Shur, Chapter 4 SiC Transistors, Semiconductors and Semimetals, Volume 52, 1998.
[4] A. Lemmon, M. Mazzola, J. Gafford, Kevin M. Speer, Com parative analysis of commercially available silicon carbide transistors, 2012 Twenty-Seventh Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), doi: 10.1109/ APEC.2012.6166175.
[5] Hart D. W. Power electronics. New York: McGraw-Hill, 2011.
[6] Barlik R., Nowak M., Energoelektronika: elementy, podzespoły, układy. Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, 2014.
[7] W. Janke Impulsowe przetwornice napięcia stałego, Wydawnict wo Uczelniane Politechniki Koszalińskiej, 2014, Koszalin.
[8] M. Verma, S. Shiv Kumar, Hardware Design of SEPIC Con verter and its Analysis, 2018 International Conference on Cur rent Trends towards Converging Technologies (ICCTCT), doi: 10.1109/ICCTCT.2018.8551052.
[9] Sharp, G. N, SEPIC Converter Design and Operation , Worces ter Polytechnic Institute, 2014.
[10] A. DeNardo, N. Femia, F. Forrisi, M. Granato, SEPIC convert er passive components design, 2008 15th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems, doi: 10.1109/ ICECS.2008.4675025.
[11] Górecki K., Detka K., Influence of Power Losses in the Inductor Core on Characteristics of Selected DC-DC Converters, Ener gies 2019, doi: 10.3390/en12101991.
[12] E. Babaei, Mir Esmaeel Seyed Mahmoodieh, Calculation of Output Voltage Ripple and Design Considerations of SEPIC Converter, IEEE Transactions on Industrial Electronics (Volume: 61, Issue: 3, March 2014), doi: 10.1109/TIE.2013.2262748.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA- e-publikacja (pdf) z zeszytu 2024-7 , nr katalogowy 149636 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA- e-zeszyt (pdf) 2024-7 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	47.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2024-7

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma