Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 11

Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl2/BCl3

nr katalogowy: 64035

Materiały z szerokim pasmem zabronionym takie, jak m.in. azotek galu (GaN), azotek galowo-glinowy (AlxGa1-xN) ze względu na swoje właściwości (duża ruchliwość nośników, praca w zakresie wysokich temperatur) umożliwiają wytwarzanie zupełnie nowych, zaawansowanych technologicznie, elementów elektronicznych i optoelektronicznych, takich jak: wzmacniacze dużych mocy (pracujące w zakresie wielkich częstotliwości), diody i detektory (z zakresu promieniowania niebieskiego, UV), czy też tranzystory z dużą ruchliwością nośników (HEMT) [1]. Uważa się, że odegrają one w elektronice XXI wieku większą rolę, niż krzem w ubiegłym stuleciu. Materiały te charakteryzuje wysoka odporność na chemiczne, "mokre", trawienie, co sprawia, że ich obróbka jest kłopotliwa i ogranicza możliwości wytwarzania struktur o oczekiwanych rozmiarach, kształtach oraz dobrej jakości trawionej powierzchni. Proces reaktywnego trawienia jonowego (RIE) jest współcześnie szeroko stosowany w technologii przyrządów półprzewodnikowych. Występujące w nim reakcje chemiczne, zachodzące na trawionej powierzchni, wspomagane bombardowaniem jonami gazów roboczych (źródłem których jest plazma wyładowania w.cz.) pozwalają na uzyskiwanie oczekiwanych kształtów struktury mesa trawionej z kontrolowaną szybkością trawienia. W przypadku technologii wykonania tranzystora HEMT, możliwe jest, wykorzystując trawienie chemiczne, tzw. "opuszczanie bramki", co umożliwia zmianę grubości kanału. Odpowiednie nachylenie, chropowatość, wysokość ścian struktury mesa, zapewnia przy tym ciągłość naniesionej metalizacji. Na jakość wytwarzanej struktury końcowej, a przez to na parametry elektryczne tranzystora HEMT, mają wpływ poszczególne etapy procesu technologicznego, w szczególności procesy: obróbki fotolitograficznej, "suchego" trawienia chemicznego (chemical dry etching) oraz pro[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 64035 "Reaktywne trawienie jonow..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-11 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-11

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma