Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2010 - zeszyt 11a

Simulation based feasibility study of Junction Vertical Slit Field-Effect Transistor (JVeSFET)

nr katalogowy: 55696

This paper presents simulated DC characteristics of deep-submicron JFETs conforming to the principle of extreme layout regularity, that is a foundation of a new Vertical Slit geometry ICs (VeSTICs) vision proposed in [4]. Exploration of parameter space of this fully symmetrical dual gate JVeSFETs has been performed. As a conclusion an assessment of applicability of these devices in nano-size era SoCs is proposed. Streszczenie. W pracy przedstawiono oparte na symulacjach stałoprądowych studium wykonalności tranzystora polowego złączowego o głęboko submikrometrowych wymiarach, spełniającego wymagania ekstremalnej regularności layoutu wg zaproponowanej przez W. Malego [4] koncepcji pionowej szczelinowej geometrii układow scalonych VeSTIC. Taki symetryczny dwubramkowy JVeSFET proponowany jest do integracji w SoC. (Studium wykonalności złączowego tranzystora polowego o geometrii wertykalno-szczelinowej (JVeSFET)) Keywords: JFET, Vertical-Slit Transistor Integrated Circuit, JVeSFET Słowa kluczowe: JFET, wertykalna szczelinowa geometria układów scalonych, JVeSFET Introduction In last decade applications of junction field-effect transistors have been limited to few constantly shrinking niches, mainly as a pivotal component of radiation hardened analogue/digital circuits [1], [2]. This may change soon. In the deep-submicron era shortcomings of JFETs seem to be less pronounced and advantages to be more attractive. Especially attractive today seem to be: a potential for achieving superior Ion to Ioff ratio, low leakage currents and perhaps high level of radiation immunity as well as low noise [3]. This paper presents a simulation based feasibility study devoted to the deep-submicron JFETs, geometry of which has been dictated by the requirement for an extreme layout regularity that is a foundation of a new Vertical Slit geometry ICs (VeSTICs) vision, proposed by Maly in [4]. Owing to this geometry (Fig. 1) JFETs may be integrated in VeSTICs t[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 55696 "Simulation based feasibil..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2010-11a licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2010-11a

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma