Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2012 - zeszyt 9

Symulacje i modelowanie zaawansowanych struktur tranzystorów HEMT AlGaN/GaN

nr katalogowy: 70973

W celu poprawy parametrów tranzystorów HEMT na bazie GaN opracowano nowe, bardziej zaawansowane struktury. Należą do nich m.in. struktury z domieszkowaną warstwą AlxGa1-xN oraz tranzystory z heterostrukturą AlxGa1-xN/AlN/GaN. Tranzystory HEMT na bazie GaN są typowo tranzystorami normalnie włączonymi z kanałem wbudowanym. Ogranicza to zastosowanie tych przyrządów w układach cyfrowych oraz zwiększa stopnień złożoności układów analogowych. W celu uzyskania tranzystora z kanałem zbogacanym stosowane m.in. trawienie warstwy barierowej pod kontaktem bramki [2]. Powoduje to zmniejszenie koncentracji 2DEG pod kontaktem bramki w rezultacie prowadząc do zwiększenia napięcia progowego Vth do wartości powyżej 0 V. Zastosowanie w tranzystorze HEMT bramki MIS zamiast bramki Schottky’ego powoduje zmniejszenie prądu upływu bramki w stanie włączenia tranzystora, co powoduje zwiększenie maksymalnego napięcia bramki prowadząc do zwiększenia prądu wyjściowego tranzystora. Zastosowanie bramki MIS zmniejsza także niekorzystny efekt spadku prądu po poddaniu struktury stresom napięciowym (tzw. efekt current collapse) [3, 4]. W drugiej części artykułu przedstawiono wyniki symulacji bardziej złożonych struktur HEMT. Przeprowadzono symulacje tranzystora HEMT Al0.28Ga0.72N/GaN z domieszkowaną warstwą barierową i różną głębokością trawienia warstwy barierowej w obszarze bramki oraz tranzystora MOS-HEMT z warstwą dielektryka podbramkowego o różnej stałej dielektrycznej i różnej grubości. Wpływ domieszkowania warstwy Al0.28Ga0.72N na charakterystyki tranzystora HEMT Przyjmując strukturę tranzystora identyczną jak w pierwszej części artykułu wykonano symulację dla koncentracji domieszki równej kolejno 5×1017 cm-[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 70973 "Symulacje i modelowanie z..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2012-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2012-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma