Twój Koszyk

Właściwości i zastosowania tranzystorów HEMT na bazie azotku galu

nr katalogowy: 93242

10.15199/48.2015.09.18

Parametry tranzystorów GaN HEMT - wyniki I etapu projektu PolHEMT

nr katalogowy: 93279

10.15199/48.2015.09.55

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-1

Niskonapięciowy prostownik synchroniczny z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN

nr katalogowy: 103222

10.15199/48.2017.01.50

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET

nr katalogowy: 126978

10.15199/48.2020.07.12

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Evaluation of SiC and GaN FETs in Zero-Voltage Switching Interleaved Boost Converters

Piotr ZIMOCH

nr katalogowy: 122100

10.15199/48.2019.09.40

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-3

Experimental evaluation of GaN Gate Injection Transistors

nr katalogowy: 89892

10.15199/48.2015.03.03

Jednofazowy mostkowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami GaN GIT

nr katalogowy: 112465

10.15199/48.2018.03.21

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9

Współczesne tranzystory mocy w impulsowych przekształtnikach napięcia Flyback

nr katalogowy: 115801

10.15199/48.2018.09.02

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

3-drożny wzmacniacz Doherty’ego w konfiguracji odwróconej na pasmo S z tranzystorami GaN HEMT

Marcin Góralczyk

nr katalogowy: 133041

10.15199/59.2021.4.1

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

3-drożny wzmacniacz Doherty’ego w konfiguracji odwróconej na pasmo S z tranzystorami GaN HEMT

Marcin Góralczyk

nr katalogowy: 133041

10.15199/59.2021.4.1

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

3-drożny wzmacniacz Doherty’ego w konfiguracji odwróconej na pasmo S z tranzystorami GaN HEMT

Marcin Góralczyk

nr katalogowy: 133041

10.15199/59.2021.4.1

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-7

AMMONO-GaN substrates for microwave and RF electronics applications

nr katalogowy: 69621

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-12

BADANIA SYMULACYJNE PRZEKSZTAŁTNIKA DC/DC PODWYŻSZAJĄCEGO NAPIĘCIE OPARTEGO O TRANZYSTOR GaN

Piotr Paziewski

nr katalogowy: 141284

10.15199/13.2022.12.4

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-12

BADANIA SYMULACYJNE PRZEKSZTAŁTNIKA DC/DC PODWYŻSZAJĄCEGO NAPIĘCIE OPARTEGO O TRANZYSTOR GaN

Piotr Paziewski

nr katalogowy: 141284

10.15199/13.2022.12.4

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-12

BADANIA SYMULACYJNE PRZEKSZTAŁTNIKA DC/DC PODWYŻSZAJĄCEGO NAPIĘCIE OPARTEGO O TRANZYSTOR GaN

Piotr Paziewski

nr katalogowy: 141284

10.15199/13.2022.12.4

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-10

Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN

nr katalogowy: 109838

10.15199/48.2017.10.21

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10

Modularny Przekształtnik Wielopoziomowy z Wykorzystaniem Półprzewodników z Azotku Galu

nr katalogowy: 122742

10.15199/48.2019.10.39

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-5

Broadband power electronics controlled voltage source with output stage based on GaN transistors

Michał GWÓŹDŹ

nr katalogowy: 113556

10.15199/48.2018.05.12

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2

Czujnik wodoru AlGaN/GaN FAT-HEMT

nr katalogowy: 66154

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2013-4

Recognition and characterization of defects in GaN epilayers

nr katalogowy: 79713

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2018-1

Stan technologii mikrofalowych elementów z azotku galu

nr katalogowy: 111808

10.15199/13.2018.1.4

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Trójpoziomowy przekształtnik podwyższający napięcie z obwodem quasi-impedancyjnym i tranzystorami GaN HEMT

nr katalogowy: 126985

10.15199/48.2020.07.19

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-11

Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty

Mirosław MIKOŁAJEWSKI

nr katalogowy: 116859

10.15199/48.2018.11.19

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-6

Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN

Piotr PAZIEWSKI

nr katalogowy: 132304

10.15199/48.2021.06.31

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-10

Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy

nr katalogowy: 94543

10.15199/13.2015.10.5

Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

nr katalogowy: 93235

10.15199/48.2015.09.01

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-3

WZMACNIACZ AKUSTYCZNY DUŻEJ MOCY Z TRANZYSTORAMI Z GaN

nr katalogowy: 136857

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-6

Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN

nr katalogowy: 91808

10.15199/13.2015.6.1

Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

nr katalogowy: 93253

10.15199/48.2015.09.29

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-3

WZMACNIACZ AKUSTYCZNY DUŻEJ MOCY Z TRANZYSTORAMI Z GaN

nr katalogowy: 136857

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9

Wpływ światła na rezystancję powierzchniową heterostruktury AlGaN/GaN

nr katalogowy: 115806

10.15199/48.2018.09.07

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2021-8

NOWA FALA GaN I SIC

nr katalogowy: 133104

Model DC tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem parametrów fizycznych

nr katalogowy: 93278

10.15199/48.2015.09.54

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN

nr katalogowy: 79300

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si techniką skaningowej mikroskopii pojemnościowej

nr katalogowy: 108527

10.15199/48.2017.08.15

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Wyznaczanie profilu koncentracji nośników i domieszek w strukturach 2DEG na bazie GaN

nr katalogowy: 62689

Comparative molecular dynamics studies of Si, GaN and SiC thermal conductivity

Bohdan ANDRIYEVSKY

nr katalogowy: 93226

10.15199/48.2015.09.02

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-1

Wyznaczanie naprężeń w strukturach epitaksjalnych GaN

RYSZARD KORBUTOWICZ

nr katalogowy: 40885

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10

Procesy wytwarzania periodycznych struktur o wymiarach nanometrowych w GaN przy użyciu technik litografii NIL

nr katalogowy: 80122

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-10

Numerical simulation of UV LED single quantum well based on AlGaN/GaN/AlGaN

Fatima Zohra RAHOU

nr katalogowy: 150749

10.15199/48.2024.10.23

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

nr katalogowy: 62660

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1

Tranzystory TFT z amorficznego GaN otrzymane na powierzchni krzemowej lub kwarcowej z metalizowanym wzorem

nr katalogowy: 32596

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN

nr katalogowy: 62665

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si

nr katalogowy: 70964

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-8

Technologia tranzystorów HEMT na bazie azotku galu do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy i energoelektronice

nr katalogowy: 100445

10.15199/13.2016.8.14

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

Selektywne osadzanie warstw GaN na podłożach krzemowych metodą reaktywnego sputteringu

nr katalogowy: 8990

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-8

Application of GaN HEMT as a bidirectional switch in matrix converter

nr katalogowy: 121604

10.15199/48.2019.08.34

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-6

Efficiency optimization of totem pole PFC with Gallium Nitride semiconductors

nr katalogowy: 132280

10.15199/48.2021.06.07

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem

nr katalogowy: 122093

10.15199/48.2019.09.33

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Mechanizm wzrostu warstw GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

nr katalogowy: 62678

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Symulacje i modelowanie zaawansowanych struktur tranzystorów HEMT AlGaN/GaN

nr katalogowy: 70973

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2023-4

ZASTOSOWANIE ELEKTROD GRAFENOWYCH W PRZEŁĄCZNIKACH NA PASMO FAL MILIMETROWYCH WYKONANYCH W STRUKTURACH AlGaN/GaN

Jakub Sobolewski

nr katalogowy: 144760

10.15199/59.2023.4.32

PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY 2011-1

Koncentraty i soki owocowe z Izraela oraz ekologiczne Przysmaki Viands

nr katalogowy: 57198

Small-signal microwave measurements and modeling of GaN FET devices manufactured by ITME

nr katalogowy: 93227

10.15199/48.2015.09.03

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-3

WZMACNIACZE AKUSTYCZNE Z GAN (1)

nr katalogowy: 125612

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

nr katalogowy: 62662

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-3

Spis treści / Contents

nr katalogowy: 89940

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Kontrolowane trawienia plazmą BCl3/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN

nr katalogowy: 70966

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

nr katalogowy: 79303

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-12

Właściwości akustycznych fal powierzchniowych w płaszczyźnie Z kryształu GaN

nr katalogowy: 56726

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9

Zasilacz sterowany cyfrowo z przetwornicą reverse buck

nr katalogowy: 145281

10.15199/48.2023.09.59

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-11

Montaż struktur AlGaN/GaN na Si do podłoży DBC w oparciu o technologię SLID oraz zgrzewania dyfuzyjnego mikroproszkiem Ag

nr katalogowy: 123214

10.15199/48.2019.11.02

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN - wpływ przewodności cieplnej podłoża

nr katalogowy: 70972

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

nr katalogowy: 79296

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Wpływ niedokładności wykonania wybranych elementów azotkowego lasera VCSEL na jego charakterystyki emisyjne

nr katalogowy: 122083

10.15199/48.2019.09.26

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2023-4

IMPLEMENTACJA METODY UKRYWANIA DANYCH W OBRAZACH Z WYKORZYSTANIEM SIECI GENERATYWNYCH

nr katalogowy: 144798

10.15199/59.2023.4.70

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-2

Solar Power Plant with Distributed System of PV Panels

nr katalogowy: 118378

10.15199/48.2019.02.11

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b

Sterowniki bramkowe dla tranzystorów z węglika krzemu (SiC) - przegląd rozwiązań

nr katalogowy: 67716

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2

Technologia SLID w montażu GaN-on-Si do podłoży Cu

nr katalogowy: 130179

10.15199/48.2021.02.15

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-12

NMOS current mirror thermal analysis

nr katalogowy: 48905

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-4

A novel voltage-to-voltage logarithmic converter with high accuracy

nr katalogowy: 59150

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5

Spis Treści / Contents

nr katalogowy: 98216

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-3

Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SiC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT

nr katalogowy: 50822

Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL

nr katalogowy: 93257

10.15199/48.2015.09.33

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2006-4

Niebieska rewolucja

Weronika Śliwa

nr katalogowy: 19497

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

NAJMNIEJSZA REZYSTANCJA KANAŁU

nr katalogowy: 141637

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-6

Behavior of light emitting diodes at low temperature

JAKUB PAJĄKOWSKI

nr katalogowy: 60607

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2006-12

WYNALAZKI

nr katalogowy: 22831

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10

Pomiary in-situ jednorodności temperatury i ex-situ grubości osadzonej warstwy w systemie epitaksjalnym AIXTRON CCS 3 x 2"

nr katalogowy: 122743

10.15199/48.2019.10.40

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10

Organiczne elementy i urządzenia elektroniczne: techniki wytwarzania i właściwości

Ireneusz GŁOWACKI

nr katalogowy: 80123

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-11

Experimental Research of the Analog Multiplier based on Field-effect Transistors

nr katalogowy: 110414

10.15199/48.2017.11.39

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-12

Finding multiple DC operating points of simulated submicrometer technology MOS circuits

nr katalogowy: 81440

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-11

electronica 2020

nr katalogowy: 129208

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Influence of low-temperature annealing of AlGaN/GaN heterostructures on adhesion of evaporated Pt-based Schottky contacts

nr katalogowy: 79325

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-12a

Ustalanie punktów pracy tranzystorów bipolarnych z zastosowaniem strategii ewolucyjnej

Mirosław GAJER

nr katalogowy: 64247

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

Komputerowe modelowanie przyrządów opartych na heterostrukturzen AIGaN-GaN-Al2O3

nr katalogowy: 9004

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

NAJMNIEJSZA REZYSTANCJA KANAŁU

nr katalogowy: 141637

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-7

Laboratory research of non-overvoltage transistors control method in AC voltage PWM controller

nr katalogowy: 99568

10.15199/48.2016.07.21

Udoskonalona metoda obliczania mocy traconej w tranzystorach wzmacniacza klasy AB

Juliusz MODZELEWSKI

nr katalogowy: 93260

10.15199/48.2015.09.36

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-8

Effective biclustering on GPU - capabilities and constraints

nr katalogowy: 92801

10.15199/48.2015.08.31

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-6

Pojemności pasożytnicze w układach energoelektronicznych

nr katalogowy: 126573

10.15199/48.2020.06.14

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2023-3

Sygnały o technice

Jerzy Bojanowicz

nr katalogowy: 142456

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-3

Technika linearyzacji niskoszumnego wzmacniacza mikrofalowego metodą superpozycji pochodnej

nr katalogowy: 50491

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Model lasera o emisji krawędziowej z obszarem czynnym GaN/AlGaN emitującego promieniowanie ultrafioletowe

nr katalogowy: 79299

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-7

Parallel operation of MOSFET and IGBT transistors in resonant mode converter

nr katalogowy: 53442

GaN- materiał do konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach

Spis treści / Contents

nr katalogowy: 93297

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

nr katalogowy: 8984

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2023-3

Next level epitaxy (NLE) – a novel approach for the mass production of semiconductor layers

nr katalogowy: 144061

10.15199/28.2023.3.2

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2023-3

Next level epitaxy (NLE) – a novel approach for the mass production of semiconductor layers

nr katalogowy: 144061

10.15199/28.2023.3.2

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2023-3

Next level epitaxy (NLE) – a novel approach for the mass production of semiconductor layers

nr katalogowy: 144061

10.15199/28.2023.3.2

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-5

Study of the side walls inclination angle after RIE process of piezotronic structures

nr katalogowy: 131574

10.15199/48.2021.05.16

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-12

Minimizing the switching energy losses in high-voltage MOFSET transistors operating in a hard-switching mode

nr katalogowy: 95849

10.15199/13.2015.12.2

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-3

Quasi-two-level method as an universal approach for voltage balancing of series-connected SiC MOSFETs

Rafał KOPACZ

nr katalogowy: 147725

10.15199/48.2024.03.03

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Komplementarne zastosowanie metod dyfrakcji i spektroskopii absorpcyjnej promieniowania X do charakteryzacji cienkich warstw Ti-Si-C

nr katalogowy: 70970

Projekt kompaktowego lasera typu VECSEL wykonanego na bazie materiałów azotkowych

nr katalogowy: 108529

10.15199/48.2017.08.17

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Projekt azotkowego lasera VCSEL z bezpośrednim wstrzykiwaniem prądu do obszaru czynnego

nr katalogowy: 115204

10.15199/48.2018.08.01

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-6

Przegląd metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy

Wojciech ŚLESZYŃSKI

nr katalogowy: 84718

10.12915/pe.2014.06.027

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8

Problemy montażu struktur SiC stosowanych w elektronice wysokich temperatur i dużych mocy

nr katalogowy: 37487

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9

Tłumienie efektu thermal crosstalk w linijkach laserowych

nr katalogowy: 139296

10.15199/48.2022.09.36

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9

Tłumienie efektu thermal crosstalk w linijkach laserowych

nr katalogowy: 139296

10.15199/48.2022.09.36

Komputerowa analiza zjawisk pojemnościowych w azotkowych laserach VCSEL

nr katalogowy: 139778

10.15199/48.2022.10.58

Komputerowa analiza zjawisk pojemnościowych w azotkowych laserach VCSEL

nr katalogowy: 139778

10.15199/48.2022.10.58

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2023-3

Sygnały o technice

Jerzy Bojanowicz

nr katalogowy: 142456

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-12b

Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET

Sebastian GIZIEWSKI

nr katalogowy: 73211

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-11b

Tranzystorowy przeciwsobny wzmacniacz mocy z nietypowym układem polaryzacji

Adam KRISTOF

nr katalogowy: 72269

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-3

Trójfazowy dwupoziomowy falownik napięcia z łagodnym przełączaniem tranzystorów odpornym na zakłócenia sterowania

nr katalogowy: 97028

10.15199/48.2016.03.36

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2018-12

Wyznaczanie strat cieplnych wydzielanych w tranzystorach mocy typu MOSFET

nr katalogowy: 117574

10.15199/74.2018.12.2

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-12

Start-up of SSTC semiconductor tesla coil - an example of an educational project

nr katalogowy: 95278

10.15199/48.2015.12.42

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-10

Wpływ rozrzutu technologicznego parametrów tranzystorów MOS mocy na dokładność pomiaru ich rezystancji termicznej

nr katalogowy: 150765

10.15199/48.2024.10.39

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2024-8

WYDARZENIA

nr katalogowy: 149976

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Zintegrowany układ oświetlenia próbki do mikroskopu ze skanującą sondą

nr katalogowy: 115209

10.15199/48.2018.08.06

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-11

Cooling of minimized surface-mount packages in power electronics applications

nr katalogowy: 128845

10.15199/48.2020.11.31

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Model diody elektroluminescencyjnej z ZnO

nr katalogowy: 62675

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-2

Integrated magnetic component in a 120 W resonant power supply dedicated for lighting applications

RAFAŁ WIDÓREK

nr katalogowy: 74680

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007-II

Finding parametric characteristics in diode-transistor circuits

nr katalogowy: 30335

PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY 2024-1

Smaczne zakupy w galerii handlowej

nr katalogowy: 147593

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-11

Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl2/BCl3

nr katalogowy: 64035

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2

Technika grubowarstwowa i LTCC w realizacji elementów elektroniki wysokotemperaturowe

nr katalogowy: 66155

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007-II

Finding operating points of the diode-transistor circuits via homotopy approach

nr katalogowy: 30347

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2007-7

Network-on-Chip-based realization of a lossless compression system

nr katalogowy: 27851

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN

nr katalogowy: 70965

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej

nr katalogowy: 79298

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2011-2-3

Mobilne stanowisko pomiarowe do badań propagacyjno-zasięgowych

nr katalogowy: 58478

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-10

Wpływ wysokiej temperatury na przebieg charakterystyk widmowych detektorów

nr katalogowy: 54986

Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz

nr katalogowy: 112460

10.15199/48.2018.03.16

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9

Analiza wpływu zmian konstrukcyjnych lasera azotkowego na możliwość zwiększenia jego wyjściowej mocy optycznej

nr katalogowy: 86914

10.12915/pe.2014.09.17

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-11

Simulation of neutron irradiation influence on p-n-p bipolar transistor characteristics

nr katalogowy: 101999

10.15199/48.2016.11.57

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-12

WZROST ZAINTERESOWANIA LIDAREM

nr katalogowy: 129728

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-10

Wpływ warstwy ZnO na parametry pracy azotkowych laserów o emisji krawędziowej

nr katalogowy: 145814

10.15199/48.2023.10.49

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2013-12

Z historii rozwoju EAZ - początek ery zabezpieczeń statycznych

nr katalogowy: 80957

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-11

Przeciwsobny wzmacniacz mocy klasy AB z wyjściem prądowym

Adam KRISTOF

nr katalogowy: 48163

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-8

Niskonapięciowy filtr bikwadratowy CMOS, pracujący w trybie prądowym na zakres małych częstotliwości

Tomasz KULEJ

nr katalogowy: 61651

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-5

Analysis of CMOS circuits having multiple DC operating points

nr katalogowy: 59946

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10

Badania falownika napięcia z węglikowo - krzemowymi tranzystorami JFET o charakterystykach mieszanych

nr katalogowy: 80152

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-6

Metody sterowania szeregowego falownika rezonansowego zapewniające jednoczesną komutację ZVS i "prawie ZCS"

Jan MUĆKO

nr katalogowy: 52956

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-1

Sinusoidal oscillator based on Adjustable Current Amplifier and Diamond Transistors with Buffers

nr katalogowy: 58349

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-9

Analiza asymetrii w sterowaniu tranzystorów przeciwsobnego wzmacniacza mocy w.cz. za pomocą transformatora z linią transmisyjną

Juliusz MODZELEWSKI

nr katalogowy: 100500

10.15199/48.2016.09.12

CHŁODNICTWO 2015-1-2

Badania nad zastosowaniem powietrznych mikrostrumieni do chłodzenia elektroniki

nr katalogowy: 89635

10.15199/8.2015.1-2.3

A Fully-Balanced Current-Tunable All-Pass Filter with CAPRIO Technique

nr katalogowy: 139785

10.15199/48.2022.10.65

A Fully-Balanced Current-Tunable All-Pass Filter with CAPRIO Technique

nr katalogowy: 139785

10.15199/48.2022.10.65

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-11b

Technologia i charakteryzacja struktur tranzystorów cienkowarstwowych (TFT)

nr katalogowy: 72258

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-1a

Hybrid IGBT-IGCT Switch

nr katalogowy: 65331

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10

Analiza porównawcza strat mocy w trójfazowych falownikach PWM z elementami aktywnymi z węglika krzemu

nr katalogowy: 63369

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-6

An Improvement of CMOS Voltage Reference

nr katalogowy: 77560

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3

Thermal stability of SiC MOS transistors

WITOLD J. STEPOWICZ

nr katalogowy: 58376

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-4

Badanie wpływu wybranych czynników na parametry cieplne tranzystorów mocy MOS

nr katalogowy: 43944

Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC

nr katalogowy: 112455

10.15199/48.2018.03.11

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-12

Testing of an optical feedback pixel driver using supply current

nr katalogowy: 48909

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-12

Multiple soft fault diagnosis of analog circuits using restart homotopy method

nr katalogowy: 81439

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-1a

An Improved Driving Circuit with TIP41C and TIP42C Transistors to Speed Up Operation of PCB Machine

nr katalogowy: 74191

Termiczna analiza azotkowych laserów VCSEL ze złączem tunelowym

nr katalogowy: 108519

10.15199/48.2017.08.07

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2024-7

PORÓWNANIE CHARAKTERYSTYK PRZETWORNICY SEPIC ZAWIERAJĄCEJ TRANZYSTORY MOSFET WYKONANE Z KRZEMU I WĘGLIKA KRZEMU

Michał Downar-Zapolski

nr katalogowy: 149636

10.15199/13.2024.7.8

PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY 2014-1

XII 2013 CO NOWEGO w Świecie aromatów, dodatków i składników do Żywności

Katarzyna Oleksy

nr katalogowy: 82267

PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY 2009-8

Desery Mus Pannacotta Mus Czekoladowy

nr katalogowy: 45446

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-12

Finding all the DC solutions of circuits containing diodes and bipolar transistors

nr katalogowy: 48898

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Próba zniwelowania wpływu naprężeń mechanicznych na działanie azotkowych diod elektroluminescencyjnych

nr katalogowy: 62673

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-5

Combined PS-PDM control method for voltage-source seriesresonant inverter

Pavlo HERASYMENKO

nr katalogowy: 131565

10.15199/48.2021.05.07

Początek i rozwój półprzewodnikowych laserów VCSEL

nr katalogowy: 108513

10.15199/48.2017.08.01

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-11

Emisja polowa z kompozytowych warstw TiOx + Ti wytworzontch metodą rozpylania magnetronowego

nr katalogowy: 64055

MATERIAŁY BUDOWLANE 2022-7

Odpowiedzialność w przypadku katastrofy budowlanej

Joanna Wawryniuk-Barańska

nr katalogowy: 138546

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-1

Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC

Krzysztof PRZYBYŁA

nr katalogowy: 111563

10.15199/48.2018.01.33

Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET

nr katalogowy: 112454

10.15199/48.2018.03.10

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Aktywna metoda kontroli rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach SiC MOSFET w łączniku 3,3 kV

Przemysław TROCHIMIUK

nr katalogowy: 126981

10.15199/48.2020.07.15

MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2012-2

Tranzystory IGBT w układach mocy

nr katalogowy: 66866

A Fully-Balanced Current-Tunable All-Pass Filter with CAPRIO Technique

nr katalogowy: 139785

10.15199/48.2022.10.65

A Fully-Balanced Current-Tunable All-Pass Filter with CAPRIO Technique

nr katalogowy: 139785

10.15199/48.2022.10.65

A Fully-Balanced Current-Tunable All-Pass Filter with CAPRIO Technique

nr katalogowy: 139785

10.15199/48.2022.10.65

A Fully-Balanced Current-Tunable All-Pass Filter with CAPRIO Technique

nr katalogowy: 139785

10.15199/48.2022.10.65

A Fully-Balanced Current-Tunable All-Pass Filter with CAPRIO Technique

nr katalogowy: 139785

10.15199/48.2022.10.65

A Fully-Balanced Current-Tunable All-Pass Filter with CAPRIO Technique

nr katalogowy: 139785

10.15199/48.2022.10.65

A Fully-Balanced Current-Tunable All-Pass Filter with CAPRIO Technique

nr katalogowy: 139785

10.15199/48.2022.10.65

Technologia i charakteryzacja modyfikowanych struktur ISFET na potrzeby detekcji awidyny

nr katalogowy: 139776

10.15199/48.2022.10.56