Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2015 - zeszyt 9

Comparative molecular dynamics studies of Si, GaN and SiC thermal conductivity

10.15199/48.2015.09.02

Bohdan ANDRIYEVSKY

nr katalogowy: 93226
10.15199/48.2015.09.02

Thermal conductivity of Si, SiC and GaN crystals have been calculated by the reversed non-equilibrium molecular dynamics method using the Forcite program with the Universal force field potentials of the Materials Studio 7.0 package. The dependencies of thermal conductivity on the length of crystal's supercell and density have been obtained and analyzed. Correlation of the degree of hybridization of vibrations of Si and C in SiC and Ga and N in GaN, from the one side, and coefficient of thermal conductivity, from the other one, has been revealed. Streszczenie. Obliczono przewodność cieplną kryształów Si, SiC i GaN metodą odwrotnej nierównoważnej dynamiki molekularnej za pomocą programu Forcite przy potencjałach pól siłowych typu Universal z pakietu Materials Studio 7.0. Otrzymano i przeanalizowano zależności przewodności cieplnej kryształów w funkcji długości odpowiedniej superkomórki oraz gęstości. Ujawniono korelację stopnia hybrydyzacji drgań atomów Si i C w SiC oraz Ga i N w GaN, z jednej strony, a współczynnika przewodności cieplnej, z drugiej. (Porównawcze badania przewodności cieplnej Si, GaN i SiC metodą dynamiki molekularnej). Keywords: semiconductors, coefficient of thermal conductivity, molecular dynamics. Słowa kluczowe: półprzewodniki, współczynnik przewodności cieplnej, dynamika molekularna. Introduction Silicon (Si), silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) are semiconductors widely used in electronics. SiC and GaN are known as excellent wide band gap materials for power electronics [1]. Thermal characteristics of these materials are therefore of great interest. Also, thermal characteristics of interfaces between these materials represents still one of the major concerns. Silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) are probably more suitable to the demands of high power electronics than Si [2]. In recent years, significant advancements have been achieved in the improvement of material quality and device [...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 93226 "Comparative molecular dyn..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2015-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2015-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma