Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2019 - zeszyt 2

Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors

Sterownik bramkowy wraz z obwodem zabezpieczaja˛cym dedykowany do tranzystorów mocy GaN

10.15199/48.2019.02.28

nr katalogowy: 118395
10.15199/48.2019.02.28

Streszczenie

The improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protection with the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in the half-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse Test (DPT) conditions.

Abstract

Poni˙zszy artykuł prezentuje zaawansowany sterownik bramkowy do tranzystorów mocy GaN. Proponowane rozwia˛zanie zawiera zabezpieczenie nadpra˛dowe/przeciwprzecia˛z˙eniowe z dwustopniowym wyła˛czaniem oraz umoz˙liwia niezalez˙ne ustawienie czasu wła˛czenia i wyła˛czenia tranzystora. Działanie sterownika zostało zbadane symulacyjnie i doswiadczalnie w układzie przekształtnika półmostkowego. Proponowane zabezpieczenie tranzystora zostało przetestowane w warunkach podwójnego pulsu z obcia˛z˙eniem indukcyjnym (DPT).

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] H. A. Mantooth, M. D. Glover, and P. Shepherd, “Wide bandgap technologies and their implications on miniaturizing power electronic systems," IEEE Journal of emerging and selected topics in Power Electronics, vol. 2, no. 3, pp. 374-385, 2014.
[2] M. Landel, C. Gautier, D. Labrousse, S. Levebvre, F. Zaki, and Z. Khatir, “Dispersion of electrical characteristics and short-circuit robustness of 600 v emode gan transistors," in PCIM Europe 2017; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management; Proceedings of. VDE, 2017, pp. 1-9.
[3] H. Li, X. Li, X. Wang, J. Wang, Y. Alsmadi, L. Liu, and S. Bala, “E-mode gan hemt short circuit robustness and degradation," in Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 2017 IEEE. IEEE, 2017, pp. 1995-2002.
[4] D. Pappis, K. Goebel, and P. Zacharias, “Short circuit capability of 650 v normally off gan e-hemt and mosfet-hemt cascode," in PCIM Europe 2017; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management; Proceedings of. VDE, 2017, pp. 1-8.
[5] D. Bortis, O. Knecht, D. Neumayr, and J. W. Kolar, “Comprehensive evaluation of GaN git in low- and high-frequency bridge leg applications," in Proc. IEEE 8th Int. Power Electronics and Motion Control Conf. (IPEMC-ECCE Asia), May 2016, pp. 21-30.
[6] B. Wittig, M. Boettcher, and F. W. Fuchs, “Analysis and design aspects of a desaturation detection circuit for low voltage power mosfets," in Power Electronics and Motion Control Conference (EPE/PEMC), 2010 14th International. IEEE, 2010, pp. T1-7.
[7] A. E. Awwad and S. Dieckerhoff, “Short-circuit evaluation and overcurrent protection for sic power mosfets," in Power Electronics and Applications (EPE’15 ECCE-Europe), 2015 17th European Conference on. IEEE, 2015, pp. 1-9.
[8] Z. Wang, X. Shi, Y. Xue, L. M. Tolbert, F. Wang, and B. J. Blalock, “Design and performance evaluation of overcurrent protection schemes for silicon carbide (sic) power mosfets," IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 61, no. 10, pp. 5570-5581, 2014.
[9] B. Huang, Y. Li, T. Q. Zheng, and Y. Zhang, “Design of overcurrent protection circuit for gan hemt," in Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 2014 IEEE. IEEE, 2014, pp. 2844-2848.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 118395 "Gate Driver with Overcurr..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2019-2 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2019-2

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma