Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2012 - zeszyt 7

AMMONO-GaN substrates for microwave and RF electronics applications

nr katalogowy: 69621

At present, next generation of high-efficiency lighting and highpower electronics are one of the focus areas for energy saving innovation technologies in world industry. Gallium Nitride semiconductor crystallizes in wurtzite-type structure and has wide, direct band-gap (about 3.44 eV at room temperature) [1]. Besides, it has high electron mobility, high breakdown voltage, good thermal conductivity and mechanical properties. Therefore, Gallium Nitride (GaN) has attracted a great attention for these material properties that are useful for applications in short-wavelength optoelectronic and high power electronic devices, such as white or colour light emitting diodes (LEDs), blue laser diodes (LDs), UV detectors and high-power -high-frequency transistors. For example, GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are characterized by at least one order of magnitude higher power density and efficiency than Si- and GaAs-based conventional devices [2], enabling 10-fold reduction of electronic chip size under the same output power. However, the currently available devices use GaN deposited by heteroepitaxy on sapphire or SiC substrates. The resulting thin films suffer from large defect concentrations (dislocation density 106 - 109 cm-2), mainly due to a difference in lattice parameters and thermal expansion coefficients between such non-native substrates and GaN. High dislocation density also increases the level of energy dissipation in HEMTs used for high power electronics. Therefore, the development of low-cost optoelectronic and HEMT devices of sufficiently high efficiency is limited due to a lack of suitable substrates for growing homoepitaxial structures. Under such circumstances, the use of truly bulk GaN substrates would be an ideal solution of this problem. At the moment, satisfactory results were obtained by growth of thick layer by Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) [3], used commercially for fabrication of lasers in [...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 69621 "AMMONO-GaN substrates for..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2012-7 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2012-7

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma