Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 9

Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN

nr katalogowy: 62665

Azotek galu (GaN) i związki pokrewne ze względu na swoją szeroką przerwę energetyczną, jak również wysoką stabilność chemiczną i termiczną są obiecującymi materiałami na nieczułe na światło słoneczne (ang. solar blind) detektory ultrafioletu (UV). Typowe fotodetektory oparte na GaN to fotorezystory, diody Schottky`ego oraz struktury metal/półprzewodnik/ metal z pomiarem fotoprądu [1]. Struktury metal/izolator// półprzewodnik (ang. MIS) z pomiarem fotopojemności powinny cechować się większą stabilnością termiczną oraz niższym poziomem szumów w porównaniu z przyrządami zawierającym złącza Schottky`ego. Dlatego fotodetektory MIS na bazie GaN wydają się szczególnie obiecujące jako sensory UV pracujące w wysokich temperaturach i w agresywnym środowisku chemicznym np. jako czujniki płomienia [2]. Istotnym problemem w strukturach MIS jest obecność stanów elektronowych na granicy izolator/półprzewodnik. Stany te - leżące w przerwie energetycznej półprzewodnika - są przyczyną wielu niekorzystnych z punktu widzenia zastosowań zjawisk m.in. niepromienistej rekombinacji nośników, zakotwiczenia poziomu Fermiego (ang. Fermi level pinning), a nawet tworzenia się nowych defektów i degradacji przyrządów [3, 4]. Dlatego w ramach niniejszej pracy podjęto problem roli stanów powierzchniowych oraz defektów objętościowych w działaniu fotodetektora UV na bazie struktury metal/izolator/ n-GaN. W tym celu przeprowadzono obliczenia teoretyczne fotopojemności oraz fotonapięcia powierzchniowego w modelowej strukturze MIS w funkcji natężenia światła ultrafioletowego i potencjału metalowej bramki oraz zbadano wpływ gęstości stanów elektronowych na granicy izolator/GaN i czasu życia nośników (ze względu na rekombinację przez defekty objętościowe w GaN) na owe zależności. Model i metoda obliczeń Obliczenia przeprowadzono dla jednowymiarowej modelowej struktury pokazanej na rys. 1a. Jako izolator przyjęto warstwę AlOx o grubości 63 nm i względnej przenika[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 62665 "Modelowanie zjawisk fotoe..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma