Twój Koszyk

Właściwości i zastosowania tranzystorów HEMT na bazie azotku galu

nr katalogowy: 93242

10.15199/48.2015.09.18

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-6

Efficiency optimization of totem pole PFC with Gallium Nitride semiconductors

nr katalogowy: 132280

10.15199/48.2021.06.07

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-1

Niskonapięciowy prostownik synchroniczny z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN

nr katalogowy: 103222

10.15199/48.2017.01.50

Comparative molecular dynamics studies of Si, GaN and SiC thermal conductivity

Bohdan ANDRIYEVSKY

nr katalogowy: 93226

10.15199/48.2015.09.02

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-7

AMMONO-GaN substrates for microwave and RF electronics applications

nr katalogowy: 69621

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-10

Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN

nr katalogowy: 109838

10.15199/48.2017.10.21

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

nr katalogowy: 141641

10.15199/13.2023.1.3

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

nr katalogowy: 141641

10.15199/13.2023.1.3

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

nr katalogowy: 141641

10.15199/13.2023.1.3

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-1

Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC

nr katalogowy: 103250

10.15199/48.2017.01.78

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si techniką skaningowej mikroskopii pojemnościowej

nr katalogowy: 108527

10.15199/48.2017.08.15

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2023-3

Next level epitaxy (NLE) – a novel approach for the mass production of semiconductor layers

nr katalogowy: 144061

10.15199/28.2023.3.2

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2023-3

Next level epitaxy (NLE) – a novel approach for the mass production of semiconductor layers

nr katalogowy: 144061

10.15199/28.2023.3.2

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2023-3

Next level epitaxy (NLE) – a novel approach for the mass production of semiconductor layers

nr katalogowy: 144061

10.15199/28.2023.3.2

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-10

Numerical simulation of UV LED single quantum well based on AlGaN/GaN/AlGaN

Fatima Zohra RAHOU

nr katalogowy: 150749

10.15199/48.2024.10.23

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Badanie elektrycznych właściwości powierzchni heterostruktur AlGaN/GaN/Si technikami mikroskopii ze skanującą sondą i oświetleniem

nr katalogowy: 122093

10.15199/48.2019.09.33

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10

Modularny Przekształtnik Wielopoziomowy z Wykorzystaniem Półprzewodników z Azotku Galu

nr katalogowy: 122742

10.15199/48.2019.10.39

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9

Zasilacz sterowany cyfrowo z przetwornicą reverse buck

nr katalogowy: 145281

10.15199/48.2023.09.59

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2018-1

Stan technologii mikrofalowych elementów z azotku galu

nr katalogowy: 111808

10.15199/13.2018.1.4

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9

Współczesne tranzystory mocy w impulsowych przekształtnikach napięcia Flyback

nr katalogowy: 115801

10.15199/48.2018.09.02

Projekt kompaktowego lasera typu VECSEL wykonanego na bazie materiałów azotkowych

nr katalogowy: 108529

10.15199/48.2017.08.17

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-10

Wpływ warstwy ZnO na parametry pracy azotkowych laserów o emisji krawędziowej

nr katalogowy: 145814

10.15199/48.2023.10.49

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2012-1

Krzem jest kluczem w produkcji tanich lamp typu LED

nr katalogowy: 64957

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2011-2

Najlepsze na świecie kryształy azotku galu powstają w Polsce

nr katalogowy: 57309

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-10

Komputerowa analiza zjawisk pojemnościowych w azotkowych laserach VCSEL

nr katalogowy: 139778

10.15199/48.2022.10.58

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-10

Komputerowa analiza zjawisk pojemnościowych w azotkowych laserach VCSEL

nr katalogowy: 139778

10.15199/48.2022.10.58

Mody poprzeczne w azotkowym laserze typu VCSEL

nr katalogowy: 93257

10.15199/48.2015.09.33

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-4

Geometria uzwojeń i wyznaczanie parametrów pasożytniczych dławika o zredukowanej pojemności

nr katalogowy: 104917

10.15199/48.2017.04.03

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Projekt azotkowego lasera VCSEL z bezpośrednim wstrzykiwaniem prądu do obszaru czynnego

nr katalogowy: 115204

10.15199/48.2018.08.01

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Wpływ niedokładności wykonania wybranych elementów azotkowego lasera VCSEL na jego charakterystyki emisyjne

nr katalogowy: 122083

10.15199/48.2019.09.26

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-11

Cooling of minimized surface-mount packages in power electronics applications

nr katalogowy: 128845

10.15199/48.2020.11.31

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10

Electrothermal Model of SiC Power Schottky Diodes

nr katalogowy: 63352

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5

Spis Treści / Contents

nr katalogowy: 98216

Small-signal microwave measurements and modeling of GaN FET devices manufactured by ITME

nr katalogowy: 93227

10.15199/48.2015.09.03

Termiczna analiza azotkowych laserów VCSEL ze złączem tunelowym

nr katalogowy: 108519

10.15199/48.2017.08.07

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9

Analiza wpływu zmian konstrukcyjnych lasera azotkowego na możliwość zwiększenia jego wyjściowej mocy optycznej

nr katalogowy: 86914

10.12915/pe.2014.09.17

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9

Tłumienie efektu thermal crosstalk w linijkach laserowych

nr katalogowy: 139296

10.15199/48.2022.09.36

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9

Tłumienie efektu thermal crosstalk w linijkach laserowych

nr katalogowy: 139296

10.15199/48.2022.09.36

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-7

Tutorial on epitaxy of semiconductor materials

nr katalogowy: 77846

Parametry tranzystorów GaN HEMT - wyniki I etapu projektu PolHEMT

nr katalogowy: 93279

10.15199/48.2015.09.55

Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

nr katalogowy: 93235

10.15199/48.2015.09.01

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-3

WZMACNIACZ AKUSTYCZNY DUŻEJ MOCY Z TRANZYSTORAMI Z GaN

nr katalogowy: 136857

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-6

Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN

nr katalogowy: 91808

10.15199/13.2015.6.1

Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

nr katalogowy: 93253

10.15199/48.2015.09.29

Początek i rozwój półprzewodnikowych laserów VCSEL

nr katalogowy: 108513

10.15199/48.2017.08.01

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-3

WZMACNIACZ AKUSTYCZNY DUŻEJ MOCY Z TRANZYSTORAMI Z GaN

nr katalogowy: 136857

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-2

Solar Power Plant with Distributed System of PV Panels

nr katalogowy: 118378

10.15199/48.2019.02.11

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9

Wpływ światła na rezystancję powierzchniową heterostruktury AlGaN/GaN

nr katalogowy: 115806

10.15199/48.2018.09.07

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2021-8

NOWA FALA GaN I SIC

nr katalogowy: 133104

Model DC tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem parametrów fizycznych

nr katalogowy: 93278

10.15199/48.2015.09.54

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008-3

Processes of cubic boron nitride crystallization in B-N-Mg-O system

nr katalogowy: 33616

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN

nr katalogowy: 79300

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Wyznaczanie profilu koncentracji nośników i domieszek w strukturach 2DEG na bazie GaN

nr katalogowy: 62689

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-12

BADANIA SYMULACYJNE PRZEKSZTAŁTNIKA DC/DC PODWYŻSZAJĄCEGO NAPIĘCIE OPARTEGO O TRANZYSTOR GaN

Piotr Paziewski

nr katalogowy: 141284

10.15199/13.2022.12.4

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-12

BADANIA SYMULACYJNE PRZEKSZTAŁTNIKA DC/DC PODWYŻSZAJĄCEGO NAPIĘCIE OPARTEGO O TRANZYSTOR GaN

Piotr Paziewski

nr katalogowy: 141284

10.15199/13.2022.12.4

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-12

BADANIA SYMULACYJNE PRZEKSZTAŁTNIKA DC/DC PODWYŻSZAJĄCEGO NAPIĘCIE OPARTEGO O TRANZYSTOR GaN

Piotr Paziewski

nr katalogowy: 141284

10.15199/13.2022.12.4

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-2

Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors

nr katalogowy: 118395

10.15199/48.2019.02.28

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-1

Wyznaczanie naprężeń w strukturach epitaksjalnych GaN

RYSZARD KORBUTOWICZ

nr katalogowy: 40885

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10

Procesy wytwarzania periodycznych struktur o wymiarach nanometrowych w GaN przy użyciu technik litografii NIL

nr katalogowy: 80122

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-11

Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty

Mirosław MIKOŁAJEWSKI

nr katalogowy: 116859

10.15199/48.2018.11.19

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

nr katalogowy: 62660

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1

Tranzystory TFT z amorficznego GaN otrzymane na powierzchni krzemowej lub kwarcowej z metalizowanym wzorem

nr katalogowy: 32596

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Modelowanie zjawisk fotoelektrycznych w zakresie ultrafioletu w strukturach metal/izolator/GaN

nr katalogowy: 62665

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2017-4

Possibilities of neural networks using in the design, simulation and verification of the controlled gas nitriding process

nr katalogowy: 108933

10.15199/28.2017.4.4

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-11b

Research on Jump Mechanism of Electric Charge Transfer Probability in Gallium Arsenide Irradiated with H+ Ions

nr katalogowy: 72361

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si

nr katalogowy: 70964

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-8

Technologia tranzystorów HEMT na bazie azotku galu do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy i energoelektronice

nr katalogowy: 100445

10.15199/13.2016.8.14

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Trójpoziomowy przekształtnik podwyższający napięcie z obwodem quasi-impedancyjnym i tranzystorami GaN HEMT

nr katalogowy: 126985

10.15199/48.2020.07.19

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET

nr katalogowy: 126978

10.15199/48.2020.07.12

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

Selektywne osadzanie warstw GaN na podłożach krzemowych metodą reaktywnego sputteringu

nr katalogowy: 8990

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-8

Application of GaN HEMT as a bidirectional switch in matrix converter

nr katalogowy: 121604

10.15199/48.2019.08.34

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-6

Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN

Piotr PAZIEWSKI

nr katalogowy: 132304

10.15199/48.2021.06.31

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Mechanizm wzrostu warstw GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu

nr katalogowy: 62678

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2

Czujnik wodoru AlGaN/GaN FAT-HEMT

nr katalogowy: 66154

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2013-4

Recognition and characterization of defects in GaN epilayers

nr katalogowy: 79713

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2008-6

Microstructure and its defect analysis of titanium nitride and chromium nitride multilayer tribological systems

nr katalogowy: 40429

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Symulacje i modelowanie zaawansowanych struktur tranzystorów HEMT AlGaN/GaN

nr katalogowy: 70973

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3

Jednofazowy mostkowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami GaN GIT

nr katalogowy: 112465

10.15199/48.2018.03.21

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2023-4

ZASTOSOWANIE ELEKTROD GRAFENOWYCH W PRZEŁĄCZNIKACH NA PASMO FAL MILIMETROWYCH WYKONANYCH W STRUKTURACH AlGaN/GaN

Jakub Sobolewski

nr katalogowy: 144760

10.15199/59.2023.4.32

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2015-6

Wpływ ciśnienia prasowania na właściwości kompozytów WCCo-cBN wytwarzanych metodą PPS

nr katalogowy: 95637

10.15199/28.2015.6.34

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

3-drożny wzmacniacz Doherty’ego w konfiguracji odwróconej na pasmo S z tranzystorami GaN HEMT

Marcin Góralczyk

nr katalogowy: 133041

10.15199/59.2021.4.1

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

3-drożny wzmacniacz Doherty’ego w konfiguracji odwróconej na pasmo S z tranzystorami GaN HEMT

Marcin Góralczyk

nr katalogowy: 133041

10.15199/59.2021.4.1

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

3-drożny wzmacniacz Doherty’ego w konfiguracji odwróconej na pasmo S z tranzystorami GaN HEMT

Marcin Góralczyk

nr katalogowy: 133041

10.15199/59.2021.4.1

PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY 2011-1

Koncentraty i soki owocowe z Izraela oraz ekologiczne Przysmaki Viands

nr katalogowy: 57198

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-3

WZMACNIACZE AKUSTYCZNE Z GAN (1)

nr katalogowy: 125612

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

nr katalogowy: 62662

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-11b

Charakteryzacja warstw azotku krzemu (SiNx) wytwarzanego metodą PECVD dla zastosowań w przyrządach M(O)EMS

nr katalogowy: 72264

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Kontrolowane trawienia plazmą BCl3/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN

nr katalogowy: 70966

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Diody elektroluminescencyjne na bazie GaN z powierzchniowymi kryształami fotonicznymi

nr katalogowy: 79303

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-12

Właściwości akustycznych fal powierzchniowych w płaszczyźnie Z kryształu GaN

nr katalogowy: 56726

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-11

Montaż struktur AlGaN/GaN na Si do podłoży DBC w oparciu o technologię SLID oraz zgrzewania dyfuzyjnego mikroproszkiem Ag

nr katalogowy: 123214

10.15199/48.2019.11.02

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN - wpływ przewodności cieplnej podłoża

nr katalogowy: 70972

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

nr katalogowy: 79296

Structure and properties of low temperature nitrided/oxidized NiTi alloy

nr katalogowy: 52682

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-11

Investigation of silicon nitride and DLC thin films hardness deposited with RF PECVD method

nr katalogowy: 95195

10.15199/13.2015.11.8

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2023-4

IMPLEMENTACJA METODY UKRYWANIA DANYCH W OBRAZACH Z WYKORZYSTANIEM SIECI GENERATYWNYCH

nr katalogowy: 144798

10.15199/59.2023.4.70

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2

Technologia SLID w montażu GaN-on-Si do podłoży Cu

nr katalogowy: 130179

10.15199/48.2021.02.15

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-3

Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SiC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT

nr katalogowy: 50822

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-10

Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy

nr katalogowy: 94543

10.15199/13.2015.10.5

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-5

Broadband power electronics controlled voltage source with output stage based on GaN transistors

Michał GWÓŹDŹ

nr katalogowy: 113556

10.15199/48.2018.05.12

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2006-4

Niebieska rewolucja

Weronika Śliwa

nr katalogowy: 19497

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

NAJMNIEJSZA REZYSTANCJA KANAŁU

nr katalogowy: 141637

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-6

Behavior of light emitting diodes at low temperature

JAKUB PAJĄKOWSKI

nr katalogowy: 60607

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2006-12

WYNALAZKI

nr katalogowy: 22831

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10

Pomiary in-situ jednorodności temperatury i ex-situ grubości osadzonej warstwy w systemie epitaksjalnym AIXTRON CCS 3 x 2"

nr katalogowy: 122743

10.15199/48.2019.10.40

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-11

electronica 2020

nr katalogowy: 129208

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

Komputerowe modelowanie przyrządów opartych na heterostrukturzen AIGaN-GaN-Al2O3

nr katalogowy: 9004

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

NAJMNIEJSZA REZYSTANCJA KANAŁU

nr katalogowy: 141637

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2013-3

Characterization of reaction products of liquid Al and Mg3N2

nr katalogowy: 78025

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-8

Origin of visible photoluminescence of Si-rich and N-rich silicon nitride films

nr katalogowy: 100011

10.15199/48.2016.08.50

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2023-3

Sygnały o technice

Jerzy Bojanowicz

nr katalogowy: 142456

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Model lasera o emisji krawędziowej z obszarem czynnym GaN/AlGaN emitującego promieniowanie ultrafioletowe

nr katalogowy: 79299

SZKŁO I CERAMIKA 2012-3

Zastosowanie metody PALS do oceny stopnia zdefektowania struktury szkieł tlenkowych ołowiowo-bizmutowo-galowych

nr katalogowy: 68551

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2017-2

Short-term ion nitriding process with active screen of technical titanium

nr katalogowy: 105201

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2015-5

Odporność na zużycie i korozję powłok wielowarstwowych CrCN/CrN wytworzonych na azotowanej stali 42CrMo4 metodą katodowego odparowania łukowego

nr katalogowy: 94655

10.15199/28.2015.5.18

GaN- materiał do konstrukcji przyrządów pracujących przy wysokich częstotliwościach (HEMT) i w ekstremalnych warunkach

nr katalogowy: 93297

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

nr katalogowy: 8984

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-5

Study of the side walls inclination angle after RIE process of piezotronic structures

nr katalogowy: 131574

10.15199/48.2021.05.16

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2007-3-4

Mechanism of nitride phases' formation in the reaction of liquid aluminium with nitrogen

nr katalogowy: 27531

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Komplementarne zastosowanie metod dyfrakcji i spektroskopii absorpcyjnej promieniowania X do charakteryzacji cienkich warstw Ti-Si-C

nr katalogowy: 70970

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8

Problemy montażu struktur SiC stosowanych w elektronice wysokich temperatur i dużych mocy

nr katalogowy: 37487

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2023-3

Sygnały o technice

Jerzy Bojanowicz

nr katalogowy: 142456

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-4

Możliwości zastąpienia wybranych łączników przez półprzewodnikowe łączniki fotokonduktancyjne

nr katalogowy: 131007

10.15199/48.2021.04.15

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2007-3-4

Optimization of Ti - Cr - N multilayer wear resistance coatings through microstructure control

nr katalogowy: 27561

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2017-4

The magnetic properties of steel after the gas nitriding process

nr katalogowy: 108932

10.15199/28.2017.4.3

HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE 2021-2

Efekt mechanicznej syntezy na mikrostrukturę kompozytów na osnowie miedzi umacnianych cząstkami azotku tytanu. Wytwarzanie i właściwości Cu-5% wag. TiN

nr katalogowy: 131513

10.15199/24.2021.2.1

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2024-8

WYDARZENIA

nr katalogowy: 149976

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Zintegrowany układ oświetlenia próbki do mikroskopu ze skanującą sondą

nr katalogowy: 115209

10.15199/48.2018.08.06

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Model diody elektroluminescencyjnej z ZnO

nr katalogowy: 62675

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2011-2

Kształtowanie odporności korozyjnej stopów magnezu metodą hybrydową

nr katalogowy: 57572

PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY 2024-1

Smaczne zakupy w galerii handlowej

nr katalogowy: 147593

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-11

Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl2/BCl3

nr katalogowy: 64035

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2

Technika grubowarstwowa i LTCC w realizacji elementów elektroniki wysokotemperaturowe

nr katalogowy: 66155

Platelets activation and adhesion on TiN+Ti2N+αTi(N) layer produced in plasma space on Ti6Al4V alloy

nr katalogowy: 52787

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2015-4

Wpływ parametrów mielenia wysokoenergetycznego na właściwości proszków kompozytowych aluminiowo-ceramicznych

nr katalogowy: 94596

10.15199/28.2015.4.3

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-8

KOMPOZYTOWY MATERIAŁ STYKOWY NA BAZIE SREBRA Z DODATKIEM AZOTKU CHROMU PRZEZNACZONY NA STYKI ELEKTRYCZNE

DARIUSZ KOŁACZ MARIAN CZEPELAK KRZYSZTOF RUDNICKI ADRIANA WRONA STANISŁAW KSIĘŻAREK MAŁGORZATA KAMIŃSKA MARIUSZ STASZEWSKI KATARZYNA BILEWSKA

nr katalogowy: 92982

10.15199/67.2015.8.2

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN

nr katalogowy: 70965

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Modelowanie zjawisk elektryczno-cieplnych w ultrafioletowej diodzie elektroluminescencyjnej

nr katalogowy: 79298

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2011-2-3

Mobilne stanowisko pomiarowe do badań propagacyjno-zasięgowych

nr katalogowy: 58478

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-10

Wpływ wysokiej temperatury na przebieg charakterystyk widmowych detektorów

nr katalogowy: 54986

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2015-6

Wybrane aspekty regulowanego azotowania gazowego (RAG) oraz azotowania w obniżonym ciśnieniu (LPN)

nr katalogowy: 95622

10.15199/28.2015.6.19

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-7

Koncepcja quasi-elastycznych mozaikowych baterii słonecznych

nr katalogowy: 77841

PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2014-10

Międzynarodowe Warsztaty Półprzewodników Azotkowych IWN 2014

Jakub Śliwiński

nr katalogowy: 87192

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2018-6

Characterization of a-C:N:H, a-SiNx:H and a-SiCx:Ny:H layers deposited on various substrates

Katarzyna Dyndał

nr katalogowy: 117686

10.15199/28.2018.6.1

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2017-5

The impact of TiN content on microstructure and mechanical properties of ceramic particulate composite Si3N4-TiN

nr katalogowy: 110244

10.15199/28.2017.5.4

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-12

WZROST ZAINTERESOWANIA LIDAREM

nr katalogowy: 129728

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-8

Physical and mechanical properties of nanostructured (Ti-Zr-Nb)N coatings obtained by vacuum-arc deposition method

nr katalogowy: 100010

10.15199/48.2016.08.49

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-12

A detailed review on Si, GaAs, and CIGS/CdTe based solar cells and efficiency comparison

nr katalogowy: 129259

10.15199/48.2020.12.02

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2018-4

Modification of titanium and its alloys implants by low temperature surface plasma treatments for cardiovascular applications

nr katalogowy: 115657

10.15199/28.2018.4.1

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-6

Analysis of selected factors reducing the efficiency of silicon solar cells

Agnieszka Stańco

nr katalogowy: 68597

PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY 2014-1

XII 2013 CO NOWEGO w Świecie aromatów, dodatków i składników do Żywności

Katarzyna Oleksy

nr katalogowy: 82267

PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY 2009-8

Desery Mus Pannacotta Mus Czekoladowy

nr katalogowy: 45446

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2014-2

Microstructure and mechanical properties of ODS steels sintered under high pressure

nr katalogowy: 84300

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2018-4

Thin SixCyNz:H coatings deposited with the RF PECVD method

nr katalogowy: 115658

10.15199/28.2018.4.2

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2018-8

ANALIZA WYBRANYCH WŁASNOŚCI TECHNOLOGICZNYCH PROSZKÓW KOMPOZYTOWYCH NA OSNOWIE MIEDZI Z DODATKIEM FAZY ZBROJĄCEJ TiN

nr katalogowy: 115420

10.15199/67.2018.8.4

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Próba zniwelowania wpływu naprężeń mechanicznych na działanie azotkowych diod elektroluminescencyjnych

nr katalogowy: 62673

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-9

Modelowanie kinetyki fotoprzewodnictwa półizolującego GaAs

nr katalogowy: 79566

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-1

Investigations of thermal parameters of GaAs and SiC MESFETs

nr katalogowy: 58350

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-7

BIULETYN INSTYTUT METALI NIEŻELAZNYCH

nr katalogowy: 92512

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-11

Emisja polowa z kompozytowych warstw TiOx + Ti wytworzontch metodą rozpylania magnetronowego

nr katalogowy: 64055

MATERIAŁY BUDOWLANE 2022-7

Odpowiedzialność w przypadku katastrofy budowlanej

Joanna Wawryniuk-Barańska

nr katalogowy: 138546

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-7

Investigation of crystalline structure defects in high-resistance monocrystals of gallium selenide

nr katalogowy: 53409

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-11

Synthesis and properties of doped ZnO ceramics

nr katalogowy: 101998

10.15199/48.2016.11.56

PRZEGLĄD GEODEZYJNY 2021-10

Pod paragrafem, czyli prawo na co dzień

Alicja Meusz

nr katalogowy: 133774

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2017-1

Badania wpływu długoterminowego wygrzewania na półprzewodnikowe detektory UV

nr katalogowy: 103747

10.15199/13.2017.1.5

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-1

Energy generation analysis of crystalline and thin-film silicon photovoltaic panels in the local conditions of the Southern Poland

nr katalogowy: 96288

10.15199/13.2016.1.13

The erosion resistance of Cr/CrN multilayer coating deposited using industrial Arc-PVD process for compressor blades application

Contents / Spis treści

nr katalogowy: 108564

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2023-3

nr katalogowy: 142350

10.15199/40.2023.3.1

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2013-24-25

Od pomysłu do przemysłu

nr katalogowy: 81653

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-9

Cienkie warstwy ZnO wytwarzane techniką magnetronowego rozpylania katodowego: mikrostruktura i funkcjonalność

nr katalogowy: 86741

10.15199/ELE-2014-121

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-10

Badania detektorów UV do zastosowań specjalnych w zakresie kriogenicznych wartości temperatury

nr katalogowy: 71968

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

STRESZCZENIA ARTYKUŁÓW

nr katalogowy: 62656

ELEKTROINSTALATOR 2019-1

Czujniki obecności i ruchu w instalacji oświetleniowej

nr katalogowy: 118851

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-9

Wzmacniacze dużej mocy GaAs, GaN w systemach radiolokacyjnych na pasmo C

nr katalogowy: 93944

10.15199/13.2015.9.1

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-3

Zachowanie dodatków w procesie rafinacji pozapiecowej stali

nr katalogowy: 89940

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2015-1

Moda na laser i grafen

Jerzy Bojanowicz

nr katalogowy: 88973

HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE 2010-4

nr katalogowy: 51124

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2013-6

Tailoring of multilayer structure to tribological conditions

nr katalogowy: 81489

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-11

POPRAWA TRWAŁOŚCI NARZĘDZI DO KUCIA NA GORĄCO PRZEZ ZASTOSOWANIE WARSTW HYBRYDOWYCH

nr katalogowy: 80990

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-11

Development of REFET for Differential Measurements of pH in a Fluidic System

nr katalogowy: 87765

10.12915/pe.2014.11.39

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-11b

Oddziaływanie azotu w wysokich stężeniach na korozyjne zachowanie żelaza i stali kwasoodpornych

nr katalogowy: 72363

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2011-7

nr katalogowy: 60942

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-6

Quantum Hall effect in exfoliated graphene

nr katalogowy: 60612

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2013-5

Influence of low-temperature oxynitriding glow-discharge treatment on corrosion resistance of NiTi shape memory alloys

nr katalogowy: 76444

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-7

Super-hard covering formation on metals by ion-beam assisted deposition: modeling

nr katalogowy: 53445

The effect of metallic inter-layers on multilayer ceramic/metal coatings properties

nr katalogowy: 52707

Microstructure and hardness of magnetron sputtering (Cr, Si)N coatings with up to 30 at. % Si

nr katalogowy: 52703

Characterization of titanium nitride layer on titanium alloy

nr katalogowy: 52679

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2015-5

Laser heat treatment of gas-nitrided layer produced on 42CrMo4 steel

nr katalogowy: 94658

10.15199/28.2015.5.21

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Wpływ wzajemnego oddziaływania cieplnego emiterów promieniowania na pracę matrycy zbudowanej na bazie GaN

nr katalogowy: 70974

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10