Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2015 - zeszyt 10

Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy

10.15199/13.2015.10.5

nr katalogowy: 94543
10.15199/13.2015.10.5

Rosnące zapotrzebowanie na energię i nowoczesne systemy generacji energii odnawialnej wymagają coraz bardziej efektywnych sposobów gospodarowania i przetwarzania energii elektrycznej, prowadzących do znaczących oszczędności ekonomicznych. Przekształtniki energoelektroniczne są opracowywane i konstruowane od ponad 40 lat w oparciu o przyrządy półprzewodnikowe wytwarzane w technologii krzemowej. Ze względu na dojrzałość technologii i parametry elektro-fizyczne podłoża przyrządy krzemowe w wielu aspektach osiągnęły już swoje szczytowe parametry. W związku z tym przewiduje się, że szansą dla dalszego rozwoju energoelektroniki są nowe materiały i wykonywane na ich bazie nowe przyrządy półprzewodnikowe. Do nowej grupy materiałów i przyrządów zaliczyć należy z całą pewnością azotek galu i tranzystory HEMT (High Electron Mobility Transistors) na bazie heterostruktury AlGaN/ GaN pracujące w zakresie napięć do 1,2 kV. Tranzystory HEMT AlGaN/GaN szybko zdobywają popularność rynkową dzięki doskonałym parametrom elektrycznym azotku galu i powstającego w tego typu strukturach dwuwymiarowego gazu elektronowego (2DEG) w kanale (koncentracja gazu elektronowego > 5×1012 cm-2, ruchliwość elektronów > 1500 cm/Vs, prędkość unoszenia elektronów > 2×107 cm/s oraz wartość krytycznego pola elektrycznego 3,3 MV/cm) [1]. Pierwszej generacji tranzystory HEMT AlGaN/GaN dla energoelektroniki wytwarzane były na drogich podłożach z węglika krzemu bądź szafiru, co było spowodowane przede wszystkim brakiem technologii wzrostu heterostruktur azotkowych na podłożu krzemowym,. Podłoża krzemowe są jednak znacznie tańsze i są wytwarzane w postaci płytek o dużej średnicy. Nie bez znaczenia jest w tym przypadku także relatywnie duża wartość przewodności cieplnej krzemu w porównaniu z szafirem (κszafir = 0,38 W/cmK, κSi = 1,49 W/cmK). Głównym, rozwiązywanym przez wiele lat, problemem technologii wzrostu struktur epitaksjalnych tranzystora HEMT na podłożu [...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 94543 "Konstrukcje tranzystorów ..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2015-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2015-10

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma