Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2024 - zeszyt 10

Charakterystyki i parametry tranzystora SiC BJT

Characteristics and parameters of SiC BJT transistor

10.15199/48.2024.10.62

nr katalogowy: 150788
10.15199/48.2024.10.62

Streszczenie

The paper presents the results of measurements of static characteristics and the values of the basic operating parameters of a BJT transistor made of silicon carbide. The shape of these characteristics was discussed and their simulations were performed using the bipolar transistor model built in the SPICE program. The program used in the simulations both parameter values taken from the manufacturer's website, and the parameter values obtained using the estimation procedure, respectively

Abstract

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk statycznych oraz wybranych na ich podstawie wartości podstawowych parametrów roboczych tranzystora bipolarnego wykonanego w technologii węglika krzemu. Przedyskutowano przebiegi tych charakterystyk oraz przeprowadzono ich symulacje za pomocą programu SPICE. W symulacjach wykorzystano zarówno wartości parametrów wbudowanego w programie SPICE modelu tranzystora bipolarnego, zaczerpnięte ze strony producenta, jak i autorskie wartości parametrów otrzymane z wykorzystaniem procedury estymacji

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Huang Y., Cheng S., Zhou W., Sheng K., “Modeling of a 1200 V 6 A SiC Bipolar Junction Transistor”, IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, Denver, CO, USA, 2013
[2] Zarębski J., Górecki K. and Dąbrowski J.,“Modeling of SiC MPS Diodes”, INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS , pp.192-195, 2008
[3] https://genesicsemi.com/pl/
[4] Bisewski D., „Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych”, Przegląd Elektrotechniczny, r. 98, nr 9/2022
[5] Zhang Q., Zhang Y., Zhang Y., Wang Y., “Modeling of Current Gain versus Recombination in Double Base Epilayer 4H-SiC BJTs”, 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), China, 2010
[6] PSPICE A/D Reference Guide Version 15.7, Cadence Design Systems, Inc., April 2006
[7] Dong P., Yan X., Zhang L., Jin S., Dai F., Zhang Y., Cui Y., Yu X., Huang B., “Relating Gain Degradation to Defects Production in Neutron-Irradiated 4H-SiC Transistors”, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 68, No. 3, pages 312 – 317, 2021
[8] Sadik D.P., Colmenares J., Lim J., Bakowski M., Nee H.P., “Comparison of Thermal Stress During Short-Circuit in Different Types of 1.2-kV SiC Transistors Based on Experiments and Simulations”, IEEE Transactions on Industrial Electronics, Vol. 68, No. 3, pages 2608-2616, 2021
[9] Górecki K., Detka K., “SPICE-Aided Models of Magnetic Elements—A Critical Review”, Energies, Vol. 16, No. 18, 2023

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-publikacja (pdf) z zeszytu 2024-10 , nr katalogowy 150788 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-zeszyt (pdf) 2024-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	85.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2024-10

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma