Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 9

Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

nr katalogowy: 62662

Znakomite właściwości optyczne, mechaniczne, dobre przewodnictwo cieplne, duże napięcie przebicia elektrycznego oraz odporność na promieniowanie jonizujące materiałów półprzewodnikowych zwanych szerokoprzerwowymi, do których zalicza się GaN i SiC sprawiają, że są one bardzo atrakcyjne do zastosowania w przyrządach elektronicznych wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości oraz urządzeniach pracujących w wysokiej temperaturze. Naszym celem jest opracowanie procesów trawienia GaN i SiC na potrzeby zaawansowanych przyrządów wytwarzanych na bazie tych materiałów. Nowoczesne konstrukcje wymagają z jednej strony trawień głębokich (kształtowanie kryształów fotonicznych o submikrometrowych średnicach otworów trawionych na głębokość kilku mikrometrów w strukturach optoelektronicznych, formowanie mes w strukturach tranzystorów HEMT, głębokie trawienia podłoża mające na celu separację struktur), a z drugiej - bardzo płytkich, jak na przykład kilkunanometrowe trawienia prowadzone po procesie wygrzewania poimplantacyjnego mające na celu planaryzację powierzchni SiC. Jednak ze względu na odporność chemiczną GaN i SiC, wytwarzanie wzorów metodami klasycznymi jest bardzo trudne bądź wręcz niemożliwe, zatem jedynie plazmowe metody trawienia mogą być stosowane. Trawienia GaN i SiC wymagają użycia agresywnych plazm chlorowych oraz plazmy o większej gęstości ICP (ang. Inductive Coupling Plasma). Jak donosi wiele publikacji naukowych, do trawienia azotku galu najbardziej odpowiednie są plazmy chlorowe bazujące na BCl3 i Cl2 [1-3] z dodatkiem innych gazów Ar [4], H2 [5], CH4 [6], SF6, N2 [7], w których poprzez szybsze usuwanie produktów reakcji z wytrawionej powierzchni zwiększa się szybkość trawienia. Publikacje dotyczące trawienia węglika krzemu mówią głównie o wykorzystaniu różnych plazm na bazie freonu z dodatkami innych gazów: CF4/O2 [8], SF6/O2 [9], C2F6 [10], CHF3/O2 [11], NF3/O2 [12]. Natomiast trawienie SiC w chlorowych plazmach ICP, takic[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 62662 "Trawienia półprzewodników..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma