Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2014 - zeszyt 9

A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results

10.15199/ELE-2014-131

Wiesław Kordalski

nr katalogowy: 86751
10.15199/ELE-2014-131

Dynamic properties of the MOS transistor under small-signal excitation are determined by kinetic parameters of the carriers injected into the channel, i.e., the low-field mobility, velocity saturation, mobility at the quiescent-point (Q-point), longitudinal electric field in the channel, by dynamic properties of the channel, as well as by an electrical coupling between the perturbed carrier concentration in the channel and the gate and body. The above- mentioned phenomena are essential for a non-quasi-static (NQS) approach to modeling of the MOSFET, which is extremely important when the MOS transistor operates near or above the cut-off frequency fT. The purpose of this work is to present some important results of a new quasi‑2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET which is based on the results of [1, 2], where, respectively, a quasi‑2D representation of the channel is defined and basic equations for the time-dependent quasi-two-spacedimensional non-quasi-static small-signal MOSFET model are derived from first principles. Considerations presented here are performed for a p-channel MOS transistor. MOSFET under small-signal excitation Let us consider a quasi‑2D picture of phenomena occurring in a p‑channel MOSFET operating in saturation region of its output characteristics under dc and small-signal conditions, which is shown in Fig. 1. When the MOS transistor is biased with constant terminal voltages, all quantities of the quasi‑2D model of the transistor related to the channel, gate, and body depend only on the spatial variable ξ, as shown in Fig. 1a. Neither the gate nor the body displacement current occurs under steady state conditions, because electric charges of both the gate and the body do not vary. If we add in series small time-varying voltage sources υgs(t), υds(t), and υbs(t) to their respective biasing voltages VGS, VDS, and VBS, see Fig. 1[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 86751 "A quasi-2D small-signal M..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2014-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2014-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma