Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2012 - zeszyt 2

Czujnik wodoru AlGaN/GaN FAT-HEMT

nr katalogowy: 66154

Heterostruktury AlGaN/GaN typu HEMT (ang. High Electron Mobility Transistors), ze względu na swoje unikalne właściwości [1], stanowią podstawę konstrukcji wielu przyrządów Elektronicznych - tranzystorów mikrofalowych [2], w tym na zakres THz, czujników gazów [3] i przetworników w czujnikach biologicznych [2]. Jest to związane z dużą nasyconą prędkością unoszenia elektronów 2DEG (ang. Two-Dimensional Electron Gas) w kanale tranzystora (~2,5 × 107 cm/s), dużym maksymalnym napięciem przebicia (~3,3 MV/cm) oraz odpornością materiału na działanie czynników chemicznych i wysokiej temperatury. Jednym z istotnych wyzwań współczesnej elektroniki jest ich zastosowanie do konstrukcji czujników wodoru, które będą mogły pracować w systemach bezpieczeństwa silników na paliwo wodorowe i wodorowych ogniw paliwowych. Aby czujniki te mogły być zastosowane, do detekcji nieszczelności muszą zapewniać szybki czas reakcji na wodór, już przy możliwie małych jego koncentracjach oraz szeroki zakres defekowanych stężeń. W WEMiF PWr opracowano technologię i konstrukcję diodowych i tranzystorowych czujników wodoru na bazie heterostruktur AlGaN/GaN z palladowymi i platynowymi elektrodami katalitycznymi [4]. Typowo odpowiedzi czujników wodoru na bazie hetero struktur AlGaN/GaN są badane w zakresie koncentracji wodoru od dziesiątek do setek ppm [5]. W artykule zbadano odpowiedzi opracowanego w WEMiF PWr, czujnika AlGaN typu FAT-HEMT (tzw. "Tłusty-HEMT") z bramką katalityczną Pt) w szerokim zakresie stężeń wodoru w azocie 0,1…3000 ppm w celu określenia potencjalnych obszarów zastosowań tego rodzaju czujników. Wytwarzanie czujników wodoru Heterostruktury AlGaN/GaN osadzano w stanowisku CCS 3 × 2" firmy AIXTRON na podłożach szafirowych o orientacji c techniką MOVPE (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy). Niedomieszkowana warstwa Al0.22Ga078N, o grubości 25 nm, była osadzana na wysokorezystywnej warstwie GaN o grubości 2 μm. Metodą spektroskopii imped[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 66154 "Czujnik wodoru AlGaN/GaN ..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2012-2 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2012-2

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma