Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2012 - zeszyt 9

Komplementarne zastosowanie metod dyfrakcji i spektroskopii absorpcyjnej promieniowania X do charakteryzacji cienkich warstw Ti-Si-C

nr katalogowy: 70970

Zaawansowane przyrządy elektroniczne oparte na azotku galu (GaN), w szczególności działające w reżimie wysokich mocy i wysokich częstości, czy też w atmosferze korozyjnej, wymagają opracowania stabilnych termicznie i chemicznie metalizacji kontaktowych. Obiecującymi materiałami dla takich zastosowań są materiały z grupy tzw. faz MAX, łączące w sobie metaliczne przewodnictwo elektryczne i cieplne z ceramiczną stabilnością temperaturową i odpornością na korozję [1, 2]. Przedmiotem szczególnego zainteresowania są fazy MAX oparte na związkach Ti lub Al z C lub N, m.in. będąca przedmiotem niniejszej pracy faza Ti3SiC2. Zainteresowanie to wynika z faktu, że dopiero niedawno zademonstrowano możliwość wytwarzania tego typu faz w formie cienkowarstwowej na drodze magnetronowego rozpylania katodowego w wysokiej (900oC), ale akceptowalnej w technologii przyrządów na bazie GaN temperaturze [3]. Niniejsza praca jest częścią projektu badawczego, którego celem jest opracowanie procesu wytwarzania cienkich warstw Ti- 3SiC2 przydatnych do technologii stabilnych termicznie metalizacji kontaktowych do GaN/AlGaN. Z uwagi na złożoność procesu wysokotemperaturowego rozpylania katodowego, w badaniach relacji parametrów procesu i struktury fazowej materiału zastosowane zostały dwie komplementarne techniki charakteryzacji: dyfrakcja promieniowania X (XRD) oraz spektroskopia absorpcyjna promieniowania X (XAS, ang. X-Ray Absorption Spectroscopy) w zakresie EXAFS (ang. Extended X-Ray Absorption Fine Structure). Omówione zostaną wyniki obydwu metod wraz z podkreśleniem ich komplementarności. Eksperyment Cienkie warstwy Ti-Si-C osadzono na podłożach Al2O3 (00.1) przy pomocy reaktora Surrey NanoSystems γ1000C, z targetów pierwiastkowych Ti, Si i C o czystościach 5N w atmosferze Ar o czystości 6N przy ciśnieniu 5 mtorr. Rozpylanie było prowadzone przy stałej mocy targetu Ti (70W) oraz zmiennych mocach targetów Si i C. Na podłoża podgrzane do temperatu[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 70970 "Komplementarne zastosowan..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2012-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2012-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma