Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2020 - zeszyt 6

Pojemności pasożytnicze w układach energoelektronicznych

Parasitic capacities in power electronics system

10.15199/48.2020.06.14

nr katalogowy: 126573
10.15199/48.2020.06.14

Streszczenie

Artykuł prezentuje metody wyznaczenia pojemności pasożytniczej w układzie zawierającym tranzystory MOSFET oraz dławik lub transformator. Metody zostały opisane, przeprowadzono symulację komputerową oraz zaprezentowano wyniki doświadczeń laboratoryjnych w celu potwierdzenia ich słuszności.

Abstract

The article presents methods for determining parasitic capacitance in a power electronics system containing MOSFET transistors and transformer or choke inductance. The methods were described in details and computer simulations were carried out. The results of laboratory experiments were presented to confirm their validity.

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Longobardi G., Efthymiou L. and Arnold M., GaN power devices for Electric Vehicles State-of-the-art and future perspective, 2018 IEEE International Conference on Electrical Systems for Aircraft, Railway, Ship Propulsion and Road Vehicles & International Transportation Electrification Conference (ESARS-ITEC), Nottingham, 2018, 1-6.
[2] Rąbkowski J., Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz), Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, 05/2016, 45-48.
[3] Kaczmarczyk Z., Zellner M., Frania K, Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, 3/2018, 55-59
[4] Janke W., Bączek M., Kraśniewski J., Wpływ efektów pasożytniczych na wybrane właściwości przetwornicy Flyback, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, 8/2018, 44-46
[5] Baherník M., Látková M., Kaprál D. and Braciník P., The mathematical model of the power transformer considering the parasitic capacitances, 2016 17th International Scientific Conference on Electric Power Engineering (EPE), Prague, 2016, 1-4.
[6] Zdanowski M. and Barlik R., Analytical and experimental determination of the parasitic parameters in high frequency inductor, Bull. Pol. Ac.: Tech. 65, 2017, 107?112.
[7] International Rectifier. A More Realistic Characterization of Power MOSFET Output Capacitance Coss.
[8] Biela J. and Kolar J. W., Using Transformer Parasitics for Resonant Converters—A Review of the Calculation of the Stray Capacitance of Transformers, IEEE Transactions on Industry Applications, vol. 44, no. 1, Jan.-feb. 2008, 223-233. 80 PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY, ISSN 0033-2097, R. 96 NR 6/2020
[9] Barlik R., Grzejszczak P., Zdanowski M., Determination of the basic parameters of the high-frequency planar transformer, Przegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, R. 92 NR 6/2016
[10] Young A., Characterizing the dynamic output capacitance of a MOSFET, ON Semiconductor, September 18, 2013.
[11] Chattopadhyay R., Juds M., Ohodnicki P. and Bhattacharya S., Modelling, design and analysis of three limb high frequency transformer including transformer parasitics, for SiC Mosfet based three port DAB, IECON 2016 - 42nd Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society, Florence, 2016, 4181-4186.
[12] Vijaya Kumar N., Satpathy S. and Lakshminarasamma N., Analysis and design methodology for Planar Transformer with low self-capacitance used in high voltage flyback charging circuit, 2016 IEEE International Conference on Power Electronics, Drives and Energy Systems (PEDES), Trivandrum, 2016, 1-5.
[13] Zdanowski M., Barlik R., Geometria uzwojeń i wyznaczanie parametrów pasożytniczych dławika o zredukowanej pojemności, PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY, , ISSN 0033-2097, 4/2017, 10-13.
[14] Jałbrzykowski S., Citko T., Current-fed resonant full-bridge boost DC/AC/DC converter, IEEE Trans. Ind. Electron., vol. 55, no. 3, Mar. 2008, 1198–1205.
[15] Bal S., Yelaverthi D. B., Rathore A. K. and Srinivasan D., Improved Modulation Strategy Using Dual Phase Shift Modulation for Active Commutated Current-Fed Dual Active Bridge, IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 33, no. 9, Sept. 2018, 7359-7375.
[16] Qin Z., Shen Z. and Blaabjerg F., Modelling and analysis of the transformer current resonance in dual active bridge converters, 2017 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), Cincinnati, OH, 2017, 4520-4524.
[17] Datasheet of STW20NK50Z - N-channel 500 V, 0.23 ?, 20 A SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected in TO-247 package.
[18] Datasheet of High-voltage Differential Probes TMDP0200 - THDP0200 - THDP0100 - P5200A - P5202A - P5205A - P5210A: https://www.tek.com/sites/default/files/media/media/resources/ TMDP-THDP-P5200A-High-Voltage-Differential-Probe- Datasheet-10_92.pdf

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-publikacja (pdf) z zeszytu 2020-6 , nr katalogowy 126573 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-zeszyt (pdf) 2020-6 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2020-6

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma