Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2012 - zeszyt 9

Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN - wpływ przewodności cieplnej podłoża

nr katalogowy: 70972

Mimo obecności na rynku komercyjnie dostępnych tranzystorów HEMT na bazie azotku galu prowadzone są prace nad optymalizacją konstrukcji oraz dalszą poprawą parametrów tych przyrządów. Proces optymalizacji struktury przyrządu wymaga uwzględnienia wielu parametrów konstrukcyjnych. Zwiększa to koszty i czas jego realizacji. Stąd bardzo duże zainteresowanie zastosowaniem symulacji komputerowych do modelowania przyrządów półprzewodnikowych na bazie azotku galu. Obecnie na rynku istnieje wiele symulatorów przyrządów półprzewodnikowych, takich jak np. MEDICI i Sentaurus Device firmy Synopsys, czy ATLAS firmy Silvaco [1]. W każdym z nich zaimplementowano moduły i parametry materiałowe służące do symulacji przyrządów z azotku galu. Jednakże, duża część zaimplementowanych wartości parametrów modeli, jak i samych właściwości GaN i azotków z grupy III-N rożni się istotnie od danych eksperymentalnych bądź oszacowanych przy pomocy symulacji metodą Monte Carlo. Modelowanie oraz symulacje tranzystorów HEMT na bazie azotków stanowią od lat poważne wyzwanie. Wynika to z dużej liczby parametrów tranzystora zależnych od właściwości danego materiału a także z konieczności uwzględniania specyficznych właściwości azotków i budowanych na ich bazie hetero struktur, takich jak zjawiska polaryzacji efekty cieplne czy efekty kwantowe w obszarze kanału tranzystora. W pracy przedstawiono wyniki symulacji charakterystyk elektrycznych tranzystora HEMT na bazie heterostruktury Al0.28Ga0.72N/GaN. W pierwszej części artykułu przedstawiono wpływ przewodności cieplnej podłoża na charakterystyki tranzystora HEMT Al0.28Ga0.72N/GaN. Druga część artykułu dotyczy badania wpływu poziomu domieszkowania warstwy barierowej oraz trawienia warstwy barierowej pod kontaktem bramki na charakterystyki elektryczne tranzystora HEMT. Wykonano także symulacje charakterystyk tranzystora MOS-HEMT dla różnych grubości oraz wartości stałych[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 70972 "Symulacje i modelowanie t..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2012-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2012-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma