Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2015 - zeszyt 9

Small-signal microwave measurements and modeling of GaN FET devices manufactured by ITME

10.15199/48.2015.09.03

nr katalogowy: 93227
10.15199/48.2015.09.03

We present results of small-signal measurements and modeling of GaN FET devices manufactured by Institute of Electronics Materials Technology (ITME). The devices have 500 nm gate length and 100 μm gate width and are grown on 350 μm sapphire substrate. We measured scattering parameters of the devices on-wafer in the frequency range 0.01-15 GHz, and then extracted parameters of their small-signal equivalent circuits. These results show that the devices have repeatable parameters and are capable of delivering at least 14.4 dB of unilateral gain in S-band with fmax of at least 23 GHz. Streszczenie. W artykule przedstawiono wyniki małosygnałowych pomiarów w.cz. oraz modelowania tranzystorów GaN FET wyprodukowanych w Instytucie Technologii Materiałów Elektronowych (ITME). Badane tranzystory miały bramkę o długości 500 nm i szerokości 100 μm gate i zostały wyprodukowane na podłożu szafirowym o grubości 350 μm. Parametry rozproszenia tranzystorów zostały zmierzone na stacji ostrzowej w pasmie 0,01-15 GHz, a następnie na ich podstawie zostały wyznaczone parametry małosygnałowego schematu zastępczego. Otrzymane wyniki pokazują, że badane tranzystory mają powtarzalne parametry, uzyskując co najmniej 14,4 dB wzmocnienia unilateralnego w pasmie S oraz maksymalną częstotliwość generacji co najmniej 23 GHz. (Małosygnałowe pomiary w.cz. i modelowanie tranzystorów GaN FET wyprodukowanych w ITME). Keywords: gallium nitiride FET, small-signal measurements, equivalent-circuit modeling. Słowa kluczowe: tranzystor FET z azotku galu, pomiary małosygnałowe w.cz., identyfikacja parametrów schematu zastępczego. Introduction There in an on-going effort in Polish industry to deliver high-power microwave GaN FET devices. This effort is a part of a world-wide trend to switch to GaN technology in power devices due to their potentially better performance (e.g., higher breakdown voltage, higher per-width power density) as compared to currently used [...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 93227 "Small-signal microwave me..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2015-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2015-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma