Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2016 - zeszyt 11

Simulation of neutron irradiation influence on p-n-p bipolar transistor characteristics

10.15199/48.2016.11.57

nr katalogowy: 101999
10.15199/48.2016.11.57

We have developed numerical model and software to simulate the ionizing radiation influence on the bipolar transistor parameters. The software allows to calculate the input and output characteristics, the current transmission coefficient and other parameters under the irradiation for various temperatures, base and collector voltages. Streszczenie. Opracowaliśmy model numeryczny i oprogramowanie do symulacji wpływu promieniowania jonizującego na parametry tranzystorów bipolarnych. Oprogramowanie pozwala obliczyć parametry wejściowe i wyjściowe, aktualny współczynnik transmisji i inne parametry na podstawie napromieniowania dla różnych temperatur, napięć bazy i kolektora. (Symulacja wpływu promieniowania neutronowego na charakterystyki p-n-p tranzystorów bipolarnych). Keywords: bipolar transistors, neutron flow, transmission coefficient, output characteristics. Słowa kluczowe: tranzystor bipolarny, przepływ neutronów, współczynnik transmisji, charakterystyki wyjściowe. Introduction Nowadays, the bipolar transistors are extensively used in many sectors of micro- and nanoelectronics as the amplifiers, generators, keys, regulators etc. Their operation in the radiation environment, e.g. in the open space, on the nuclear power plants, during the nuclear blast etc. can be difficult through the radiation-induced changes in operating parameters. The forecasting of these changes is a one of the main problems of development and production of the radiadiation-resistant hardware. The computer simulation is the most optimal method to resolve this problem. The subject We consider the p-n-p bipolar transistor that is the part of integral structure shown in figure 1. Fig.1.[...]

Bibliografia

[1] Vologdin E., Lysenko A., Radiation resistance of the bipolar transistors, Moscow Institute of Electronics and Mathematics (2000) (in Russian)
[2] Zejeger K., Physics of semiconductors, Mir (1977) (in Russian)
[3] Stepanenko I., Transistor and schemes fundamentals, Energia (1977) (in Russian)
[4] Vologdin E., Lysenko A., Integral radiation changes of semiconductor parameters, Moscow Institute of Electronics and Mathematics (1998) (in Russian)

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 101999 "Simulation of neutron irr..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2016-11 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2016-11

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma