Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2015 - zeszyt 12

Minimizing the switching energy losses in high-voltage MOFSET transistors operating in a hard-switching mode

10.15199/13.2015.12.2

nr katalogowy: 95849
10.15199/13.2015.12.2

The dynamic properties of structural diodes in high-voltage MOSFET silicon transistors have a decisive influence on the magnitude of energy losses in high-frequency hard-switching converters [1]. In this process (Fig. 1), the current iD2 associated with the reverse recovery charge Qrr of the diode D2 is added to the load current iL switched on by the transistor T1, causing a considerable increase in the switching energy Esw. Besides, the rapid decrease in the switch-on current iT1on at the end of the process (the ramp di/dt) causes overvoltages in the converter's parasitic inductances that are dangerous to the circuit, which might damage the transistors and are the source of strong electromagnetic disturbances. In addition, the high voltage ramp du/dt, accompanying the fast discharging of the connectors' capacities with a large current pulse is the cause of gate circuit disturbances that manifest themselves in repeated, uncontrolled switching on of the complementary connector, which adds up to the converter power losses. The literature proposes different methods of reducing the adverse influence of the parasitic properties of MOFSET body diodes. Most often, complex control algorithms are used, which allow the hard switching of transistors in the converter to be avoided [2]. Some constructional solutions are also found, which either restrict the participation of those diodes in the conduction of current [3] or totally eliminate their role in the operation of the circuit [4]. Each of these solutions causes a significant complication of the control system itself or the converter’s construction, which limits their application in practice. Examination of the dynamic properties of MOSFET body diodes In order to minimize the switching energy losses and effectively reduce the magnitude of power losses of the entire converter, the knowledge of the dynamic properties of the transistor body diodes will be required. Un[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 95849 "Minimizing the switching ..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2015-12 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2015-12

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma