Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2011 - zeszyt 1

Investigations of thermal parameters of GaAs and SiC MESFETs

nr katalogowy: 58350

The paper deals with a problem of measuring of the thermal parameters - the thermal resistance and the transient thermal impedance of MESFETs made of both the gallium arsenide (GaAs-MESFET) and silicon carbide (SiC-MESFETs). The measuring set proposed by the authors, is presented. SiC and GaAs MESFETs operating at different cooling conditions are investigated. The strong influence of the ambient temperature and the device dissipated power on the device thermal parameters are observed. The new analytical dependence of the MESFET thermal resistance on the ambient temperature and the dissipated power is proposed. (Badanie parametrów termicznych tranzystorów GaAs i SiC MESFET). Streszczenie. Praca dotyczy problematyki pomiaru i modelowania parametrów termicznych - rezystancji termicznej oraz przejściowej impedancji termicznej tranzystorów MESFET wykonanych z arsenku galu (GaAs-MESFET) oraz węglika krzemu (SiC-MESFET). Omówiono metodę pomiaru parametrów termicznych tranzystorów MESFET z wykorzystaniem zaproponowanego przez autorów systemu pomiarowego. Przedstawiono wpływ temperatury otoczenia oraz mocy cieplnej wydzielanej w tranzystorach na wartości ich parametrów termicznych. Keywords: MESFETs, modeling, thermal variable measurement, temperature measurement. Słowa kluczowe: tranzystory MESFET, modelowanie, pomiar parametrów termicznych, pomiar temperatury. Introduction Power MESFETs (Metal-Semiconductor Field Effect Transistors) have found applications in high frequency radiocommunication circuits e.g. power amplifiers, mixers and oscillators. This is observed, that increase of the device inner (junction) temperature, resulting from the selfheating, influences on the static and dynamic characteristics of the power MESFETs. So, values of the thermal parameters: the thermal resistance and the transient thermal impedance of the considered devices have to be known. The inner-to-ambient transient thermal impedance Zthj-a(t) of a semiconducto[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 58350 "Investigations of thermal..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2011-1 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2011-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2011-11 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2011-12a licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2011-12b licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2011-1

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma