Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 6

Quantum Hall effect in exfoliated graphene

nr katalogowy: 60612

Graphene is undoubtedly one the most exciting materials discovered in the last decades. Its peculiar mechanical and electronic properties suggest numerous applications, most of them based on the electronic transport properties of the material. Precision measurements of quantum Hall effect in graphene with uncertainty three part in billion has been already reported [1]. This makes graphene an excellent candidate to replace sophisticated semiconductor electrical resistance standards in the future. However, being the first material, which consists only of surface and not of bulk, these properties are strongly influenced by the choice of the supporting substrate, by potential contamination layers on the substrate, as well as by adsorbates or capping layers placed on top of the graphene mono- or few-atomic layers. E.g. the electronic mobility, one of the key parameters determining the transport properties, is highest for exfoliated graphene. Especially freely suspended graphene [2], or graphene placed on the well lattice matched host substrate boron nitride, exhibit extremely high mobilities allowing the observation of fractional quantum Hall effect [3]. Bottom-up methods like the growth of graphene on SiC or CVD growth on metal surfaces can provide much larger graphene sheet sizes, but of usually lower mobility [4, 5] up to now. The superior surface quality of GaAs compared to the usually very rough thermally oxidized SiO2 should positively influence graphene’s transport properties, and its higher dielectric would cause shorter screening lengths of charged impurities. In this paper we present our experimental results concerning quantum Hall effect observations in exfoliated graphene deposited onto two different substrates Si/SiO2 and GaAs/AlAs heterostructure. We show our work towards application of graphene in electrical quantum metrology as a resistance standard. Device fabrication process The graphene devices were[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 60612 "Quantum Hall effect in ex..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-6 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-6

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma