Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2010 - zeszyt 10

Metody określania napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS

nr katalogowy: 54971

Napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku VFB w nowoczesnych, skalowanych przyrządach nanoelektronicznych odgrywa znaczącą rolę w określeniu wartości napięcia progowego VT . Napięcie VT , będące najważniejszym parametrem każdego tranzystora MOS decyduje m.in. mocy pobieranej przez układ. Napięcie VFB definiuje się jako napięcie bramki VG potrzebne do osiągnięcia stanu wyprostowanych pasm w półprzewodniku na powierzchni granicznej dielektryk-półprzewodnik, dla którego potencjał powierzchniowy półprzewodnika φS = 0. Sytuacja ta została schematycznie pokazana na rys. 1. Napięcie VFB jest określone następująco [1]: (1) OX eff FB MS C Q V = φ - gdzie: φ MS - efektywna kontaktowa różnica potencjałów [V], Qeff - ładunek efektywny na granicy dielektryk-półprzewodnik [C/cm2], COX - pojemność dielektryka [F/cm2]. Relatywny wpływ czynników φ MS i Qeff we wzorze (1) na wartość napięcia VFB zmieniał się w czasie wraz z postępem technologii. Osiągnięcie lepszej kontroli procesu technologicznego przyczyniło się do otrzymania niższych wartości ładunku Qeff na granicy dielektryk-półprzewodnik. Także, stale malejąca grubość warstwy dielektryka pozwoliła na znaczną redukcję stosunku Qeff /COX . Wszystko to sprawiło, że dominujący wpływ na wartość VFB odgrywa efektywna kontaktowa różnica potencjałów φ MS. Wartość φ MS może być bardzo dokładnie określona przy użyciu fotoelektrycznych technik pomiaru tego parametru [2]. W pracy tej omówiono różne metody określania napięcia wyprostowanych pasm VFB , a także dokonano porównania wyników otrzymanych za pomocą tych metod. Elektronika 10/2010 19 Metody określania napięcia VFB Metody określania napięcia VFB w strukturze MOS można podzielić na trzy grupy: metody obliczeniowe i graficzne - oparte na pomiarze elektrycznym charakterystyki pojemnościowonapięciowej C (VG ) struktury MOS oraz metodę fotoelektryczną, w której czynnikiem pobudzającym jest światło. Poniże[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 102043 "Nieizolowane przekształtn..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2010-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

402.00 zł

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE - papierowa prenumerata roczna	492.00 zł brutto 455.56 zł netto 36.44 zł VAT (stawka VAT 8%)
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

534.00 zł

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	600.00 zł brutto 555.56 zł netto 44.44 zł VAT (stawka VAT 8%)

600.00 zł

Zeszyt

2010-10

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma