Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 9

Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu

nr katalogowy: 62666

Tranzystory MOSFET posiadają obecnie 30% udziału w rynku dyskretnych, półprzewodnikowych przyrządów mocy. Podstawowym ograniczeniem tranzystorów MOSFET wytwarzanych w technologii krzemowej jest ich graniczna częstotliwość pracy związana z pojemnością obszaru aktywnego, który musi posiadać odpowiednio dużą grubość i niskie domieszkowanie, aby zapewnić wysokie napięcie przebicia na poziomie powyżej 900 V. Zmniejszenie tej pojemności jest możliwe poprzez zastosowanie materiałów półprzewodnikowych z szeroką przerwą zabronioną, które charakteryzują się znacznie większą wartością krytycznego pola elektrycznego. Dziesięciokrotnie większa wartość tego parametru w przypadku węglika krzemu pozwala jednocześnie na średnio 200-krotne zwiększenie poziomu domieszkowania obszaru aktywnego oraz kilkukrotne zmniejszenie grubości obszaru aktywnego. Zmiana materiału półprzewodnikowego prowadzi do obniżenia rezystancji kanału tranzystora MOSFET w stanie włączenia i zmniejszenia przełączanej pojemności. Na zmniejszenie pasożytniczej pojemności wpływa także redukcja powierzchni zajmowanej przez tranzystor, ponieważ gęstość prądu przekracza znacznie wartość 1 A/mm2, która to wartość stanowi w zasadzie górną granicę w przypadku tranzystorów MOSFET Si. Dzięki temu można zmniejszyć wyraźnie statyczne straty mocy w stanie przewodzenia, ale przede wszystkim redukuje się w ten sposób starty dynamiczne przy przełączaniu tranzystora. Elementy półprzewodnikowe mocy wykonywane są typowo w topologii wertykalnej. Prezentowane szeroko w literaturze, w okresie ostatniej dekady, dwie konkurujące ze sobą topologie wertykalnych tranzystorów mocy MOSFET SiC posiadają swoje wyraźne zalety i wady. Podstawową zaletą tranzystorów typu UMOSFET SiC jest potencjalnie większa szybkość przełączania i mniejsza rezystancja w stanie włączenia wynikająca z większej ruchliwości nośników Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu mgr inż. AN[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 62666 "Konstrukcja i modelowanie..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma