Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AURA
AUTO MOTO SERWIS
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
GAZETA CUKROWNICZA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ODZIEŻ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Menu
Menu
Menu
Prenumerata
Prenumerata
Publikacje
Publikacje
Drukarnia
Drukarnia
Kolportaż
Kolportaż
Reklama
Reklama
O nas
O nas
ui-button
Twój Koszyk
Twój koszyk jest pusty.
Niezalogowany
Niezalogowany
Zaloguj się
Zarejestruj się
Reset hasła
Baza publikacji
Formularz wyszukiwania
Szukany tekst
Szukaj tylko w tych wybranych czasopismach
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Wyszukaj
Zobacz przykłady zapytań
title:węgiel
title:"węgiel kamienny"
title:"węgiel kamienny" AND issueYear:2020
authorDesc:"Grzegorz Ojczyk"
authorDesc:"Grzegorz Ojczyk" AND issueYear:2020
abstract:"problemy jakości"
keywords:"węgiel kamienny" AND issueYear:2020
titleAlias:quality
keywordsAlias:"hard coal"
abstractAlias:"food quality"
keywordsAlias:"thermal resistance" AND issueYear:2020
Wynik wyszukiwania
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-5
Dynamic performance evaluation of ultra-fast SiC MOSFET power module – a comprehensive approach
Dawid Zięba
Jacek Rąbkowski
nr katalogowy: 143222
10.15199/48.2023.05.33
SiC MOSFET
fast-switching
power modules
dynamic performances.
SiC MOSFET
szybko przełączające
moduły tranzystorowe
parametry dynamiczne.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-5
Dynamic performance evaluation of ultra-fast SiC MOSFET power module – a comprehensive approach
Dawid Zięba
Jacek Rąbkowski
nr katalogowy: 143222
10.15199/48.2023.05.33
SiC MOSFET
fast-switching
power modules
dynamic performances.
SiC MOSFET
szybko przełączające
moduły tranzystorowe
parametry dynamiczne.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC
Marcin KASPRZAK
Krzysztof PRZYBYŁA
nr katalogowy: 112455
10.15199/48.2018.03.11
falownik klasy D-ZVS
SiC
MOSFET
równoległe połączenie
Class D-ZVS inverter
SiC
MOSFET
parallel placement
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-7
Badania quasi - rezonansowego dwufazowego przekształtnika typu boost z zaworami Si i SiC
Piotr ZIMOCH
nr katalogowy: 114685
10.15199/48.2018.07.45
energoelektronika
przekształtnik boost
tranzystory SiC MOSFET
przekształtniki quasi - rezonansowe.
power electronics
boost converter
SiC MOSFET
quasi –
resonant converters.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-2
IDEALNY PRZEŁĄCZNIK Z SiC JFET WG POWER ELECTRONIC NEWS DECEMBER 2022
nr katalogowy: 142119
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10
Badania falownika napięcia z węglikowo - krzemowymi tranzystorami JFET o charakterystykach mieszanych
Mariusz ZDANOWSKI
Jacek RĄBKOWSKI
Marek PATOKA
Roman BARLIK
nr katalogowy: 80152
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC
Janusz Szewczyk
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142226
10.15199/48.2023.03.02
wielopoziomowy przekształtnik kaskadowy
SiC MOSFET
koncepcja hybrydowa filtracji du/dt
sterowanie PWM.
cascaded multilevel converter
SIC MOSFET
hybrid dv/dt filtering concept
PWM control.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC
Janusz Szewczyk
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142226
10.15199/48.2023.03.02
wielopoziomowy przekształtnik kaskadowy
SiC MOSFET
koncepcja hybrydowa filtracji du/dt
sterowanie PWM.
cascaded multilevel converter
SIC MOSFET
hybrid dv/dt filtering concept
PWM control.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC
Janusz Szewczyk
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142226
10.15199/48.2023.03.02
wielopoziomowy przekształtnik kaskadowy
SiC MOSFET
koncepcja hybrydowa filtracji du/dt
sterowanie PWM.
cascaded multilevel converter
SIC MOSFET
hybrid dv/dt filtering concept
PWM control.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-8
Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu
Krystian KRÓL
Mariusz SOCHACKI
Norbert KWIETNIEWSKI
Sylwia GIERAŁTOWSKA
Łukasz WACHNICKI
nr katalogowy: 108540
10.15199/48.2017.08.28
high-k
węglik krzemu
SiC
MOSFET
przyrządy mocy
high-k
silicon carbide
SiC
MOSFET
power devices
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-7
Flexible Rogowski current probes in measurements of ultra-fast SiC MOSFET modules – limitations and challenges
Dawid ZIĘBA
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 149502
10.15199/48.2024.07.01
SiC MOSFET
fast-switching
power modules
Rogowski coils
SiC MOSFET
szybko przełączające
moduły tranzystorowe
cewki Rogowskiego
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-5
Considerations on SiC MOSFET TSEP-based junction temperature measurement routines in practical use
Sebastian Bąba
Grzegorz Palesa
Jarosław Wiśniewski
Filip Mańka
nr katalogowy: 148591
10.15199/48.2024.05.06
SiC
MOSFET
TSEP
junction temperature
SiC
MOSFET
TSEP
temperatura złącza
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-1
Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC
Krzysztof PRZYBYŁA
nr katalogowy: 111563
10.15199/48.2018.01.33
straty mocy
MOSFET
obwód bramkowy
SiC
power losses
MOSFET
gate circuit
SiC.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Problematyka komutacji nieoptymalnych w pojedynczym szeregowym dwuczęstotliwościowym jednoczesnym falowniku do nagrzewania indukcyjnego
Kamil KIEREPKA
Piotr LEGUTKO
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 112456
10.15199/48.2018.03.12
nagrzewanie indukcyjne
rezonans
jednoczesny falownik dwuczęstotliwościowy
SiC MOSFET
komutacja twarda.
induction heating
resonance
simultaneous dual-frequency inverter
SiC MOSFET
hard switching.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-1
Dwugałęziowy przekształtnik prądu stałego z tranzystorami SiC MOSFET do bateryjnego magazynu energii o napięciu 1.5 kV
Radosław SOBIESKI
Rafał MIŚKIEWICZ
Rafał KOPACZ
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 147110
10.15199/48.2024.01.30
bateryjny magazyn energii
przekształtnik prądu stałego
SiC MOSFET
moduł mocy
battery storage system
DC-DC converter
SiC MOSFET
power module
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9
Jednoczesny, dwuczęstotliwościowy falownik do nagrzewania indukcyjnego o strukturze półmostka SiC MOSFET
Kamil KIEREPKA
nr katalogowy: 115822
10.15199/48.2018.09.23
nagrzewanie indukcyjne
rezonans
jednoczesny falownik dwuczęstotliwościowy
SiC MOSFET.
induction heating
resonance
simultaneous dual-frequency inverter
SiC MOSFET.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET
Krzysztof PRZYBYŁA
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 126978
10.15199/48.2020.07.12
falownik klasy DE
wysoka częstotliwość
SiC
GaN
MOSFET
drajwer
Class DE inverter
high frequency
SiC
GaN
MOSFET
driver
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu
ANDRZEJ TAUBE
KATARZYNA KORWIN-MIKKE
TOMASZ GUTT
TOMASZ MAŁACHOWSKI
IWONA PASTERNAK
MAREK WZOREK
ADAM ŁASZCZ
MARIUSZ PŁUSKA
WITOLD RZODKIEWICZ
ANNA PIOTROWSKA
SYLWIA GIERAŁTOWSKA
MARIUSZ SOCHACKI
ROBERT MROCZYŃSKI
ELŻBIETA DYNOWSKA
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 62687
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-4
PODWÓJNA FUNKCJA TRANZYSTORA MOCY MOSFET
nr katalogowy: 142999
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Diody Schottky'ego z węglika krzemu w falownikach napięcia z tranzystorami MOSFET- badania symulacyjne
Mieczysław NOWAK
Roman BARLIK
Piotr GRZEJSZCZAK
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 63350
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-4
PODWÓJNA FUNKCJA TRANZYSTORA MOCY MOSFET
nr katalogowy: 142999
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-11
Analityczny opis nieliniowej pojemności wysokonapięciowych łączników energoelektronicznych przy wyznaczaniu strat energii
Piotr GRZEJSZCZAK
Mieczysław NOWAK
Roman BARLIK
nr katalogowy: 87748
10.12915/pe.2014.11.22
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7
Aktywna metoda kontroli rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach SiC MOSFET w łączniku 3,3 kV
Przemysław TROCHIMIUK
nr katalogowy: 126981
10.15199/48.2020.07.15
SiC MOSFET
szeregowe łączenie
aktywne wyrównywanie napięć
SiC MOSFET
series-connection
active voltage sharing
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Diody Schottky'ego z SiC w falownikach napięcia z krzemowymi tranzystorami MOSFET- badania eksperymentalne
Mieczysław NOWAK
Roman BARLIK
Piotr GRZEJSZCZAK
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 63349
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC
Mariusz Sochacki
Norbert Kwietniewski
Andrzej Taube
Krystian Król
Jan Szmidt 
nr katalogowy: 79301
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
Sebastian Giziewski
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142230
10.15199/48.2023.03.06
falownik SiC 4-gałęziowy
SiC MOSFET
napięcie common mode
silnik wysokoobrotowy.
4-legm SiC inverter
SIC MOSFET
common mode voltage
high speed motor.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
Sebastian Giziewski
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142230
10.15199/48.2023.03.06
falownik SiC 4-gałęziowy
SiC MOSFET
napięcie common mode
silnik wysokoobrotowy.
4-legm SiC inverter
SIC MOSFET
common mode voltage
high speed motor.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym
Sebastian Giziewski
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142230
10.15199/48.2023.03.06
falownik SiC 4-gałęziowy
SiC MOSFET
napięcie common mode
silnik wysokoobrotowy.
4-legm SiC inverter
SIC MOSFET
common mode voltage
high speed motor.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-12
Stanowisko do monokrystalizacji SiC
WOJCIECH ŁOBODZIŃSKI
MAREK ORZYŁOWSKI
ZBIGNIEW RUDOLF
ZYGMUNT ORZECHOWSKI
JACEK KOZŁOWSKI
JÓZEF WIECHOWSKI
nr katalogowy: 40368
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC
Jędrzej Pietryka
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142231
10.15199/48.2023.03.07
izolowany przekształtnik DC-DC
SiC MOSFET
transformator macierzowy
pokładowa ładowarka akumulatorów.
isolated DC-DC converter
SiC MOSFET
matrix transformer
onboard battery charger.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-3
Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC
Jędrzej Pietryka
Marek Adamowicz
Zbigniew Krzemiński
nr katalogowy: 142231
10.15199/48.2023.03.07
izolowany przekształtnik DC-DC
SiC MOSFET
transformator macierzowy
pokładowa ładowarka akumulatorów.
isolated DC-DC converter
SiC MOSFET
matrix transformer
onboard battery charger.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2
Trójfazowy falownik prądu PWM z tranzystorami SiC JFET
JACEK RĄBKOWSKI
MARIUSZ ZDANOWSKI
nr katalogowy: 50172
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz
Krzysztof PRZYBYŁA
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 112460
10.15199/48.2018.03.16
falownik klasy DE
wysoka częstotliwość
SiC
MOSFET
drajwer
Class DE inverter
high frequency
SiC
MOSFET
driver
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky’ego
NORBERT KWIETNIEWSKI
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
MAREK GUZIEWICZ
ELIANA KAMIŃSKA
ANNA PIOTROWSKA
nr katalogowy: 37981
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7
Porównanie parametrów tranzystorów MO SFET wykonanych w technologii Si oraz SiC
WITOLD Kardyś
Krystian Król
nr katalogowy: 85782
10.15199/ELE-2014-066
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8
Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)
TOMASZ BIENIEK
JĘDRZEJ STĘSZEWSKI
MARIUSZ SOCHACK
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 37485
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu
ANDRZEJ TAUBE
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 62666
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-3
Quasi-two-level method as an universal approach for voltage balancing of series-connected SiC MOSFETs
Rafał KOPACZ
nr katalogowy: 147725
10.15199/48.2024.03.03
multilevel converters. power electronics
series connection
SiC MOSFET
energoelektronika
przekształtniki wielopoziomowe
szeregowe łączenie
SiC MOSFET
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-11
Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC
Krystian Król
Mariusz Sochacki
Michał Waśkiewicz
Jan Szmidt
nr katalogowy: 95200
10.15199/13.2015.11.13
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Charakterystyki statyczne i parametry tranzystorów MOSFET mocy z krzemu i z węglika krzemu
Krzysztof Górecki
Janusz Zarębski
nr katalogowy: 70992
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-SiC
ANDRZEJ TAUBE
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 44770
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-12
Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS
Damian BISEWSKI
Emilia LUBICZ-KROŚNICKA
nr katalogowy: 134785
10.15199/48.2021.12.39
modelowanie
MOSFET
SiC
SPICE
modelling
MOSFET
SiC
SPICE
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2013-8
Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE
Tomasz Sak
Marcin Parchomiuk
nr katalogowy: 78254
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-12
Wpływ domieszkowania na właściwości węglika krzemu (SiC) - przegląd
Katarzyna Racka-Szmidt
nr katalogowy: 95862
10.15199/13.2015.12.14
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Charakterystyki DC tranzystorów MOSFET SiC oraz Si pracujących w obszarze silnego przewodzenia, w szerokim zakresie temperatur
Aneta Hapka
Włodzimierz Janke
Jarosław Kraśniewski
Maciej Oleksy
nr katalogowy: 70993
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7
Utlenianie węglika krzemu: charakteryzacja procesu i metody symulacji kinetyki
Krystian Król
Mariusz Sochacki
Jan Szmidt
nr katalogowy: 85802
10.15199/ELE-2014-086
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-1
SiC-Based Magnetic-less DC-DC Converter with Wide Temperature Range Operation
Maciej CHOJOWSKI
Robert STALA
Andrzej MONDZIK
Adam PENCZEK
nr katalogowy: 129831
10.15199/48.2021.01.10
Switched capacitor voltage converter
High temperature power converter
Zero current switching
DC-DC converter
Przełączalne kondensatory
Praca układu w wysokiej temperaturze
przełączanie w zerze prądu
Przekształtnik DC-DC.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-7
Układ sterowania stanowiska do monokrystalizacji SiC jako element systemu CIM
MICHAŁ CZERWIŃSKI
MAREK ORZYŁOWSKI
nr katalogowy: 61161
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-6
DC-DC converter based on silicon carbide (SiC) power devices with P+ based current controller
Łukasz J. NIEWIARA
Tomasz TARCZEWSKI
Lech M. GRZESIAK
nr katalogowy: 98779
10.15199/48.2016.06.04
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-7
Badania walidacyjne stanowiska do monokrystalizacji SiC
Krzysztof Grasza
Emil Tymicki
Marek Orzyłowski
nr katalogowy: 91943
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2024-7
PORÓWNANIE CHARAKTERYSTYK PRZETWORNICY SEPIC ZAWIERAJĄCEJ TRANZYSTORY MOSFET WYKONANE Z KRZEMU I WĘGLIKA KRZEMU
Michał Downar-Zapolski
nr katalogowy: 149636
10.15199/13.2024.7.8
węglik krzemu (SIC)
krzem (SI)
prze twornica dc-dc
SEPIC
tranzystor (SiC)
carborundum (SIC)
dc-dc converters
SEPIC
transistor (SiC)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9
Modelowanie stałoprądowych charakterystyk tranzystorów SiC-MOS mocy w programie SPICE
Damian BISEWSKI
Emilia LUBICZ-KROŚNICKA
nr katalogowy: 145282
10.15199/48.2023.09.60
modelowanie
MOSFET
węglik krzemu
modelling
MOSFET
silicon carbide
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-5
Three-Level Interleaved Non-isolated DC/DC Converter as a Battery Interface in an EV Charging System with Bipolar DC-Link
Rafał Kopacz
Michał Harasimczuk
Radosław Sobieski
Jacek Rąbkowski
nr katalogowy: 143224
10.15199/48.2023.05.35
power electronics
DC/DC power conversion
multilevel converters
electric vehicle charging systems.
energoelektronika
przekształcanie energii prądu stałego
przekształtniki wielopoziomowe
systemy ładowania pojazdów elektrycznych.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-5
Three-Level Interleaved Non-isolated DC/DC Converter as a Battery Interface in an EV Charging System with Bipolar DC-Link
Rafał Kopacz
Michał Harasimczuk
Radosław Sobieski
Jacek Rąbkowski
nr katalogowy: 143224
10.15199/48.2023.05.35
power electronics
DC/DC power conversion
multilevel converters
electric vehicle charging systems.
energoelektronika
przekształcanie energii prądu stałego
przekształtniki wielopoziomowe
systemy ładowania pojazdów elektrycznych.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10
Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost
Janusz Zarębski
Krzysztof Górecki
nr katalogowy: 63244
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Sterowanie bazujące na sprzężeniu od wektora zmiennych stanu z ograniczeniami serwonapędem z silnikiem PMSM
Tomasz TARCZEWSKI
Michał SKIWSKI
Lech M. GRZESIAK
Marek ZIELIŃSKI
nr katalogowy: 112463
10.15199/48.2018.03.19
regulator liniowo-kwadratowy
sterowanie z ograniczeniami
serwonapęd PMSM
autostrojenie.
linear-quadratic regulator
constrained control
PMSM servo-drive
autotuning.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-1
Właściwości diod Schottky`ego z węglika krzemu (SiC) w warunkach przekształcania energii elektrycznej z wysoką częstotliwością
ANDRZEJ MICHALSKI
KRZYSZTOF ZYMMER
nr katalogowy: 57455
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-6
Wysokosprawny przekształtnik sieciowy AC-DC z łącznikami z węglika krzemu wspomagający diodowe systemy napędowe
Szymon PIASECKI
nr katalogowy: 98782
10.15199/48.2016.06.07
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Hybrydowe łączniki półprzewodnikowe złożone z Si – IGBT i diod Schottky’ego z SiC
ROMAN BARLIK
TADEUSZ PŁATEK
JACEK RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 62711
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-1
Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu
JANUSZ ZARĘBSKI
JOANNA PATRZYK
nr katalogowy: 96282
10.15199/13.2016.1.8
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-8
Process-oriented suboptimal controller for SiC bulk crystal growth system
Marek Orzyłowski
nr katalogowy: 70156
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-5
Szeregowy, dwuczęstotliwościowy falownik do nagrzewania indukcyjnego z pojedynczym mostkiem tranzystorowym typu H - problemy komutacji nieoptymalnych
Kamil KIEREPKA
Piotr LEGUTKO
nr katalogowy: 113574
10.15199/48.2018.05.30
nagrzewanie indukcyjne
rezonans
SiC MOSFET
jednoczesny falownik dwuczęstotliwościowy.
inductive heating
resonance
SiC MOSFET
simultaneous dual-frequency inverter.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-6
Pojemności pasożytnicze w układach energoelektronicznych
Maciej CHOJOWSKI
Stanisław PIRÓG
Marcin BASZYŃSKI
Aleksander DZIADECKI
nr katalogowy: 126573
10.15199/48.2020.06.14
pojemność pasożytnicza
pojemność tranzystora
pojemności transformatora.
parasitic capacitance
transistor capacitance
capacitance of the transformer.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-12
Sterownik bramkowy dla tranzystorów SiC pracujących w układzie mostka
Jacek RĄBKOWSKI
Mariusz ZDANOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 73368
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Spis treści / contents
nr katalogowy: 63430
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9
Zasilacz sterowany cyfrowo z przetwornicą reverse buck
Przemysław PTAK
Krzysztof GÓRECKI
Dawid KLEWER
nr katalogowy: 145281
10.15199/48.2023.09.59
Przetwornica DC-DC
topologia reverse buck
Si
GaN
MOSFET
JFET
DC-DC converter
reverse buck topology
Si
GaN
MOSFET
JFET
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET
Zbigniew KACZMARCZYK
Michał ZELLNER
Krystian FRANIA
nr katalogowy: 112454
10.15199/48.2018.03.10
falowniki rezonansowe
tranzystory MOSFET
nieliniowa pojemność
wysoka częstotliwość
straty mocy
resonant inverters
MOSFET transistors
nonlinear capacitance
high-frequency
power losses
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-5
DC-Coupled Extreme Fast Charging for Electric Vehicles Using DAB Converter
Omar H. Salim
Yasir M.Y. Ameen
nr katalogowy: 143195
10.15199/48.2023.05.06
DAB Converter
Extreme Fast Charging
CHAdeMO
CCCV
V2G
ZVS.
Konwerter DAB
ekstremalnie szybkie ładowanie
CHAdeMO
CCCV
V2G
ZVS.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-5
DC-Coupled Extreme Fast Charging for Electric Vehicles Using DAB Converter
Omar H. Salim
Yasir M.Y. Ameen
nr katalogowy: 143195
10.15199/48.2023.05.06
DAB Converter
Extreme Fast Charging
CHAdeMO
CCCV
V2G
ZVS.
Konwerter DAB
ekstremalnie szybkie ładowanie
CHAdeMO
CCCV
V2G
ZVS.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET
Adrian Pietruszka
Paweł Górecki
Jacek Tarasiuk
Agata Skwarek
nr katalogowy: 139279
10.15199/48.2022.09.19
MOSFET
parametry termiczne
lutowanie
pustki lutownicze.
MOSFET
thermal parameters
soldering
solder voids.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET
Adrian Pietruszka
Paweł Górecki
Jacek Tarasiuk
Agata Skwarek
nr katalogowy: 139279
10.15199/48.2022.09.19
MOSFET
parametry termiczne
lutowanie
pustki lutownicze.
MOSFET
thermal parameters
soldering
solder voids.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET
Adrian Pietruszka
Paweł Górecki
Jacek Tarasiuk
Agata Skwarek
nr katalogowy: 139279
10.15199/48.2022.09.19
MOSFET
parametry termiczne
lutowanie
pustki lutownicze.
MOSFET
thermal parameters
soldering
solder voids.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET
Adrian Pietruszka
Paweł Górecki
Jacek Tarasiuk
Agata Skwarek
nr katalogowy: 139279
10.15199/48.2022.09.19
MOSFET
parametry termiczne
lutowanie
pustki lutownicze.
MOSFET
thermal parameters
soldering
solder voids.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5
Opis procesu wyłączania tranzystora MOSFET w przekształtnikach wysokiej częstotliwości
Piotr GRZEJSZCZAK
nr katalogowy: 98196
10.15199/48.2016.05.32
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Procesy trawienia suchego ICP w plazmie BCl3 cienkich warstw HfO2 wytworzonych techniką reaktywnego rozpylania katodowego
RENATA KRUSZKA
KRYSTYNA GOŁASZEWSKA
ANDRZEJ TAUBE
IWONA PASTERNAK
mgr inż. KATARZYNA KORWIN-MIKKE
MAREK WZOREK
ELIANA KAMIŃSKA
ANNA PIOTROWSKA
nr katalogowy: 62680
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-6
Spis treści / Contents
nr katalogowy: 98822
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Falownik klasy DE 13,56 MHz/450 W – wpływ nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora Mosfet na sterowanie metodą AM
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 67705
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-5
Symulacja termiczna sterownika bramkowego tranzystora MOSFET mocy pracującego z częstotliwością 30 MHz
Piotr LEGUTKO
nr katalogowy: 137339
10.15199/48.2022.05.09
wysoka częstotliwość
niskostratny sterownik bramkowy
sterownik MOSFET
symulacja termiczna
metoda elementów skończonych
falownik rezonansowy
symulacja termiczna w stanie ustalonym.
high frequency
FEM analysis
low-losses driver
MOSFET driver
thermal simulation
finite element method
resonance inverter
steady state thermal simulation.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-5
Symulacja termiczna sterownika bramkowego tranzystora MOSFET mocy pracującego z częstotliwością 30 MHz
Piotr LEGUTKO
nr katalogowy: 137339
10.15199/48.2022.05.09
wysoka częstotliwość
niskostratny sterownik bramkowy
sterownik MOSFET
symulacja termiczna
metoda elementów skończonych
falownik rezonansowy
symulacja termiczna w stanie ustalonym.
high frequency
FEM analysis
low-losses driver
MOSFET driver
thermal simulation
finite element method
resonance inverter
steady state thermal simulation.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-5
Wysokoczęstotliwościowe drajwery tranzystorów MOSFET mocy
Piotr LEGUTKO
nr katalogowy: 84489
10.12915/pe.2014.05.051
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-2
Wykorzystanie modeli symulacyjnych do wyznaczania strat łączeniowych w tranzystorach podwójnego mostka aktywnego
Piotr GRZEJSZCZAK
Mieczysław NOWAK
Roman BARLIK
nr katalogowy: 82722
10.12915/pe.2014.02.48
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-7
Parallel operation of MOSFET and IGBT transistors in resonant mode converter
Cezary WOREK
Sławomir LIGENZA
nr katalogowy: 53442
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-4
Wysokoczęstotliwościowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE
Piotr LEGUTKO
nr katalogowy: 97605
10.15199/48.2016.04.07
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-12
Wytwarzanie i charakteryzacja warstw SiO2 na powierzchni SiC metodą utleniania termicznego
Andrzej Kozłowski
Lech Dobrzański
Marcin Pisarek
Małgorzata Możdżonek
nr katalogowy: 64792
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2005-4
Wpływ pojemności wyjściowych tranzystorów typu MOSFET na pracę jednofazowego szeregowego falownika napięcia
Elżbieta SZYCHTA
nr katalogowy: 11694
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia
Marek ADAMOWICZ
Jędrzej PIETRYKA
Sebastian GIZIEWSKI
Mariusz RUTKOWSKI
Zbigniew KRZEMIŃSKI
nr katalogowy: 67683
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Analityczny opis łączeniowych strat energii w wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET pracujących w mostku
Piotr GRZEJSZCZAK
Roman BARLIK
nr katalogowy: 93236
10.15199/48.2015.09.12
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-9
Wysokosprawny sterownik bramkowy 4xUCC27516 pracujący w zakresie częstotliwości do 30MHz
Piotr LEGUTKO
nr katalogowy: 150384
10.15199/48.2024.09.45
sterownik bramkowy
małostratny drajwer
sprawność
tranzystor MOSFET
wysoka częstotliwość
driver
MOSFET Transistors
low-losses driver
efficiency
high-frequency
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC
KRZYSZTOF PISKORSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62685
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2016-6
WPŁYW DODATKU MIEDZI ORAZ ZAWARTOŚCI FAZY UMACNIAJĄCEJ SiC NA MIKROSTRUKTURĘ I TWARDOŚĆ KOMPOZYTÓW Al-SiC
ANNA WĄSIK BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ MARCIN MADEJ
nr katalogowy: 99103
10.15199/67.2016.6.5
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-12b
Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET
Sebastian GIZIEWSKI
nr katalogowy: 73211
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-3
Korozja stopu AZ91 i kompozytów typu AZ91/SiC w roztworze Ringera
IWONA KOT
JANUSZ LELITO
HALINA KRAWIEC
nr katalogowy: 66331
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym
Piotr LEGUTKO
nr katalogowy: 112457
10.15199/48.2018.03.13
falownik klasy E
niskostratny drajwer
tranzystor MOSFET
straty mocy
drajwer hybrydowy
cienkie połączenia drutowe
technologia platerowania.
class E Inverter
low-losses driver
resonant inverter
MOSFET Transistor
power losses
thermal clad
hybrid driver
wirebonding
ball-bonding.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8
Problematyka określenia sprawności niskostratnych drajwerów pracujących z częstotliwością 30 MHz
Piotr LEGUTKO
Marcin KASPRZAK
Kamil KIEREPKA
nr katalogowy: 115231
10.15199/48.2018.08.28
sterownik bramkowy
niskostratny drajwer
sprawność
tranzystor MOSFET
wysoka częstotliwość.
driver
MOSFET Transistor
low-losses driver
high-frequency
efficiency
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Power Losses in PWM Inverters using Silicon Carbide Devices
Jakub DAWIDZIUK
nr katalogowy: 67689
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-6
Problem zwarć skrośnych w scalonych sterownikach bramkowych pracujących z częstotliwością 30 MHz
Piotr LEGUTKO
nr katalogowy: 114161
10.15199/48.2018.06.13
sterownik bramkowy
niskostratny drajwer
tranzystor MOSFET
wysoka częstotliwość
zwarcia skrośne
straty mocy.
MOSFET driver
MOSFET
low-losses driver
high-frequency
power losses
short circuit.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11
Niskonapięciowy filtr analogowy CMOS wykorzystujący konwerter ujemnoimpedancyjny
WALDEMAR JENDERNALIK
nr katalogowy: 39674
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2004-11
Domieszkowanie MgB2 nanokrystalicznym SiC przy zastosowaniu mieszania w wysokim ciśnieniu gazu obojętnego i izostatycznego
Andrzej MORAWSKI
Tomasz. LADA
Adam PRESZ
Tadeusz MAZUR
Ryszard DIDUSZKO
nr katalogowy: 3929
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-12
Procesy łączeniowe tranzystorów MOSFET w mostkach wysokonapięciowych
Piotr Grzejszczak
Mieczysław Nowak
Roman Barlik
nr katalogowy: 73355
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-9
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
Wiesław Kordalski
nr katalogowy: 86751
10.15199/ELE-2014-131
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET
Sebastian GIZIEWSKI
nr katalogowy: 67697
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10
Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC
Agnieszka MARTYCHOWIEC
Norbert KWIETNIEWSKI
Mariusz SOCHACKI
nr katalogowy: 122738
10.15199/48.2019.10.35
węglik krzemu
SiC
przygotowanie powierzchni SiC
technologia półprzewodnikowa.
silicon carbide
SiC
SiC surface preparation
semiconductor technology.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8
Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze
MIROSŁAW KULIK
JERZY ŻUK
WITOLD RZODKIEWICZ
KRZYSZTOF PYSZNIAK
ANDRZEJ DROŹDZIEL
MARCIN TUREK
SŁAWOMIR PRUCNAL
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 37486
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2007-4
Wpływ nanocząstek SiC na właściwości mechaniczne i ochronne powłok lakierowych
MAŁGORZATA ZUBIELEWICZ
nr katalogowy: 25496
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-11
Odporność korozyjna kompozytu na osnowie stopu magnezu AM50 umacnianego cząstkami SiC
KINGA KAMIENIAK
MARCIN A. MALIK
nr katalogowy: 72695
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-5
ANALIZA PARAMETRÓW PROCESU WYTWARZANIA KOMPOZYTÓW Al-SiC
BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
MARCIN MADEJ
nr katalogowy: 76633
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2016-7
WPŁYW ATMOSFERY SPIEKANIA ORAZ ZAWARTOŚCI FAZY UMACNIAJĄCEJ SiC NA MIKROST RUKTURĘ I WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE KOMPOZYTÓW AlCu-Si
ANNA WĄSIK BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
MARCIN MADEJ
nr katalogowy: 99667
10.15199/67.2016.7.5
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Comparative molecular dynamics studies of Si, GaN and SiC thermal conductivity
Bohdan ANDRIYEVSKY
nr katalogowy: 93226
10.15199/48.2015.09.02
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-6
Sterowanie falownika klasy DE metodą PWM-FM
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 84707
10.12915/pe.2014.06.016
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9
Evaluation of SiC and GaN FETs in Zero-Voltage Switching Interleaved Boost Converters
Piotr ZIMOCH
nr katalogowy: 122100
10.15199/48.2019.09.40
wielofazowe przekształtniki typu boost
węglik krzemu
azotek galu
miękkie przełączenia
interleaved boost converters
silicon carbide
gallium nitride
zero voltage switching
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2
Spektroskopia pojemnościowa głębokich poziomów defektowych (DLTS) w diodach Schottky’ego z węglika krzemu (4H-SiC) implantowanych jonami
Łukasz Gelczuk
Maria Dąbrowska -Szata
nr katalogowy: 66140
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Ocena parametrów statycznych diod Schottky’ego z SiC
ARKADIUSZ SZEWCZYK
ALICJA KONCZAKOWSKA
BARBARA STAWARZ-GRACZYK
nr katalogowy: 44768
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2021-8
NOWA FALA GaN I SIC
nr katalogowy: 133104
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych
Damian Bisewski
nr katalogowy: 139281
10.15199/48.2022.09.21
algorytm genetyczny
optymalizacja
modelowanie
MOSFET.
genetic algorithm
optimalization
modelling
MOSFET
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych
Damian Bisewski
nr katalogowy: 139281
10.15199/48.2022.09.21
algorytm genetyczny
optymalizacja
modelowanie
MOSFET.
genetic algorithm
optimalization
modelling
MOSFET
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych
Damian Bisewski
nr katalogowy: 139281
10.15199/48.2022.09.21
algorytm genetyczny
optymalizacja
modelowanie
MOSFET.
genetic algorithm
optimalization
modelling
MOSFET
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Właściwości elektryczne i mechaniczne metalizacji kontaktowych Ni i Ti oraz wytworzonych na nich połączeń drutowych do n-SiC
RYSZARD KISIEL
MAREK GUZIEWICZ
nr katalogowy: 44771
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2
Reactive ion etching of 4H-SiC with BCl3 plasma
Bartłomiej STONIO1
2
Norbert KWIETNIEWSKI
Piotr FIREK
Mariusz SOCHACKI
nr katalogowy: 130178
10.15199/48.2021.02.14
węglik krzemu
4H-SiC
trawienie plazmowe
BCl3
RIE
silicon carbide
4H-SiC
plasma etching
BCl3
RIE
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-4
Modelowanie kinetyki procesu utleniania termicznego węglika krzemu
KRYSTIAN KRÓL
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 51408
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9
Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)
Krzysztof PISKORSKI
Henryk M. PRZEWŁOCKI
Mietek BAKOWSKI
nr katalogowy: 86921
10.12915/pe.2014.09.24
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC
RENATA KRUSZKA
KATARZYNA KORWIN-MIKKE
IWONA PASTERNAK
MAREK WZOREK
ELIANA KAMIŃSKA
ANNA PIOTROWSKA
nr katalogowy: 62662
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu
NORBERT KWIETNIEWSKI
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
ANDRZEJ DROŹDZIEL
MIROSŁAW KULIK
SŁAWOMIR PRUCNAL
KRZYSZTOF PYSZNIAK
MICHAŁ RAWSKI
MARCIN TUREK
JERZY ŻUK
nr katalogowy: 44772
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2006-11
Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice
Roman BARLIK
Jacek RĄBKOWSKI
Mieczysław NOWAK
nr katalogowy: 21990
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3
Modelowanie charakterystyk I-U tranzystora MOS na węgliku krzemu 4H-SIC oraz 6H-SiC
J. Stęszewski
A. Jakubowski
nr katalogowy: 8989
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-11
Właściwości korozyjne kompozytu typu stop aluminium A359-SiC po wielokrotnym procesie przetopu
MARCIN GROBELNY
ADAM KLASIK
nr katalogowy: 72692
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2014-3
Wpływ rozdrobnienia proszku fazy osnowy na mikrostrukturę i właściwości mechaniczne kompozytu ziarnistego SiC-TiB2
Gabriela Górny
Marian Rączka
Paweł Rutkowski
Ludosław Stobierski
nr katalogowy: 85034
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-8
CHARAKTERYSTYKA WŁAŚCIWOŚCI KOMPOZYTU AK52/SiC UZYSKANEGO METODĄ IMPULSOWO-PLAZMOWEGO SPIEKANIA
MAGDALENA SUŚNIAK
DARIUSZ KOŁACZ
MARCIN LIS
JOANNA KARWAN-BACZEWSKA
TOMASZ SKRZEKUT
nr katalogowy: 78635
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3
Thermal stability of SiC MOS transistors
WITOLD J. STEPOWICZ
nr katalogowy: 58376
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-7
EFFECT OF PLASTIC DEFORMATION ON THE MICROSTRUCTURE, SIZE AND DISTRIBUTION OF SiC REINFORCING PARTICLES IN THE CAST F3K.10S COMPOSITE
PAWEŁ KURTYKA
nr katalogowy: 92509
10.15 199/67.2015.7.3
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2018-2
CHARAKTERYSTYKA KOMPOZYTÓW Al-Cu/SiC SPIEKANYCH W PRÓŻNI
ANNA WĄSIK
BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
MARCIN MADEJ
JAROSŁAW KASPRZYK
nr katalogowy: 112329
10.15199/67.2018.2.2
kompozyty Al-SiC
metalurgia proszków
mikrostruktura
wytrzymałość na ściskanie
wytrzymałość na zginanie
Al4Cu-SiC composites
powder metallurgy
microstructure
compressive strength
bending strength
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-9
SiC - materiał dla elektroniki
K. Kościewicz
E. Tymicki
K. Grasza
nr katalogowy: 16309
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-1
Badanie własności grubowarstwowego kontaktu srebro-węglik krzemu modyfikowanego wiązką laserową
Januszsz Woźny
Andrzej Kubiak
nr katalogowy: 135367
10.15199/48.2022.01.36
SiC
kontakt omowy
laser
SiC
ohmic contact
laser
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wpływ procesu wygrzewania wysokotemperaturowego na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO2/n-4H-SiC (0001)
MAŁGORZATA KALISZ
KRYSTIAN KRÓL
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 62688
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2019-8
UMOCNIENIE ODKSZTAŁCENIOWE KOMPOZYTÓW Z STOPU ALUMINIUM 6061+SiC
ŁUKASZ ZASADZIŃSKI
KRZYSZTOF ZABOROWSKI
JÓZEF ZASADZIŃSKI
nr katalogowy: 121961
10.15199/67.2019.8.1
własności mechaniczne
kompozyty metalowe
umocnienie odkształceniowe
mechanical properties
metal composites
strain hardening
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-5
Analysis of CMOS circuits having multiple DC operating points
Stanisław HAŁGAS
Michał TADEUSIEWICZ
nr katalogowy: 59946
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a
Wpływ modelu tranzystora MOS na charakterystyki przetwornicy BOOST w stanie ustalonym
Krzysztof GÓRECKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 55713
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-7
Detektory promieniowania sub-THz budowane z użyciem krzemowych tranzystorów typu MOSFET
Paweł Kopyt
nr katalogowy: 92658
10.15199/13.2015.7.8
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2014-8
Structure and properties of composite Ni-P/SiC surface layers produced by chemical reduction on aluminum and its alloys Struktura i właściwości warstw kompozytowych Ni-P/SiC wytwarzanych metodą redukcji chemicznej na aluminium i jego stopach
Maria Trzaska
nr katalogowy: 86088
10.12916/przemchem.2014.1286
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-1
Mechanical and thermal properties of SiC - ceramics substrate interface
Ryszard Kisiel
ZBIGNIEW Szczepański
Piotr Firek
MAREK Guziewicz
ARKADIUSZ Krajewski
nr katalogowy: 65204
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-9
Formation of Ni/Si based ohmic contacts to n-type 4H-SiC
Z. ADAMUS
A. V. KUCHUK
M. WZOREK
A. BARCZ
E. KAMISKA
ANNA PIOTROWSKA
nr katalogowy: 54288
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2015-6
Dobór składu fazowego kompozytu na bazie stopu AlSi pod kątem możliwości kształtowania powierzchni roboczych tłoków
Maciej Dyzia
Anna J. Dolata
Piotr Putyra
Lucyna Jaworska
nr katalogowy: 95638
10.15199/28.2015.6.35
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Spis treści / Contents
nr katalogowy: 93297
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2010-3
Antykorozyjne elektrolityczne nanostrukturalne powłoki kompozytowe
BENIGNA SZEPTYCKA
nr katalogowy: 50700
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-11
Węglik krzemu w energoelektronice – nadzieje i ograniczenia
Włodzimierz JANKE
nr katalogowy: 63894
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Badania elektronomikroskopowe kontaktów omowych do węglika krzemu wytwarzanych na bazie niklu
MAREK WZOREK
ANDRZEJ CZERWIŃSKI
ANDRIAN KUCHUK
ACEK RATAJCZAK
ANNA PIOTROWSKA
JERZY KĄTCKI
nr katalogowy: 62663
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-8
Example of Inrush Current Elimination After Connection of High Input DC Voltage
Jakub KELLNER
Michal PRAZENICA
nr katalogowy: 127352
10.15199/48.2020.08.20
prąd rozruchowy
tranzystor Mosfet
ograniczenie
przetwornik
Inrush current
Mosfet transistor
limitation
converter
CHŁODNICTWO 2017-4-5
Danfoss i General Electric łączą siły
nr katalogowy: 106015
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9
Termiczne formowanie tytanowych kontaktów omowych do węglika krzemu 4H-SiC
Norbert KWIETNIEWSKI
Jakub SZARAFIŃSKI
Mariusz SOCHACKI
Jan SZMIDT Wawrzyniec KASZUB
Tymoteusz CIUK
nr katalogowy: 122097
10.15199/48.2019.09.37
Ti/SiC
kontakty omowe
termiczne formowanie kontaktów.
Ti/SiC ohmic contacts
contacts thermal formation.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-6
Wpływ obwodów odciążających na łączeniowe straty energii w przekształtnikach wysokiej częstotliwości
Piotr GRZEJSZCZAK
Adam CZAPLICKI
Marek SZYMCZAK
Roman BARLIK
nr katalogowy: 126576
10.15199/48.2020.06.17
obwody odciążające
łączeniowe straty mocy
tranzystor mocy MOSFET
przekształtnik wysokiej częstotliwości.
snubber circuit
switching energy losses
power MOSFET
high frequency converter.
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2018-12
Wyznaczanie strat cieplnych wydzielanych w tranzystorach mocy typu MOSFET
Tadeusz Płatek
Marek Niewiadomski
nr katalogowy: 117574
10.15199/74.2018.12.2
układy energoelektroniczne
tranzystory mocy typu MOSFET
wyznaczanie strat cieplnych
power electronic systems
MOSFET power transistors
determination of thermal losses
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-4
Falownik klasy D-ZVS 300 kHz/1,5 kW do nagrzewania indukcyjnego – możliwości pracy w klasie D i DE
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 76294
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-2a
Falownik klasy DE 8 MHz/300 W z rezonansowym sterownikiem klasy D o sinusoidalnym kształcie napięcia bramkowego
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 74394
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-12
Start-up of SSTC semiconductor tesla coil - an example of an educational project
Piotr MIGO
Henryk NOGA
nr katalogowy: 95278
10.15199/48.2015.12.42
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5
An Analysis Of Overload Conditions In Mosfet-Based Power Resonant DC-DC Step-Up Converters In Switched Capacitor Voltage Multiplier Topology
Robert STALA
Andrzej MONDZIK
Adam KAWA
Adam PENCZEK
Stanisław PIRÓG
nr katalogowy: 98179
10.15199/48.2016.05.15
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-8
Three phase MLI implementation of V/F control for three phase induction motor based on FPGA and Gary wolf algorithm
Taha A. Hussein
Laith A. Mohammed
Laith A. Hamdy
nr katalogowy: 138628
10.15199/48.2022.08.08
przetwornik V/F
FPGA
algorytm szarego wilka
V/F
induction motor
FPGA
GWO
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-8
Three phase MLI implementation of V/F control for three phase induction motor based on FPGA and Gary wolf algorithm
Taha A. Hussein
Laith A. Mohammed
Laith A. Hamdy
nr katalogowy: 138628
10.15199/48.2022.08.08
przetwornik V/F
FPGA
algorytm szarego wilka
V/F
induction motor
FPGA
GWO
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-8
Three phase MLI implementation of V/F control for three phase induction motor based on FPGA and Gary wolf algorithm
Taha A. Hussein
Laith A. Mohammed
Laith A. Hamdy
nr katalogowy: 138628
10.15199/48.2022.08.08
przetwornik V/F
FPGA
algorytm szarego wilka
V/F
induction motor
FPGA
GWO
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-7
Modelowanie tranzystorów SiC-MOS
JANUSZ ZARĘBSKI
DAMIAN BISEWSKI
nr katalogowy: 45506
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-7
Parametry technologiczne stanowiska do monokrystalizacji SiC
MAREK ORZYŁOWSKI
ZBIGNIEW RUDOLF
nr katalogowy: 45499
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych - porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu
Paweł Borowicz
Zbigniew Adamus
Marek Ekielski
Anna Piotrowska
Adrian Kuchuk
Michał Borysiewicz
Eliana Kamińska
Mariusz Latek 
nr katalogowy: 70971
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8
Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET
Kamil BARGIEŁ
Damian BISEWSKI
nr katalogowy: 115220
10.15199/48.2018.08.17
tranzystor JFET
węglik krzemu
zjawisko samonagrzewania.
JFET
silicon carbide
self-heating phenomenon.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-2
Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT
Joanna SZELĄGOWSKA
Damian BISEWSKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 124715
10.15199/48.2020.02.42
BJT
transient thermal impedance
thermal resistance
silicon carbide.
przejściowa impedancja termiczna
rezystancja termiczna
tranzystor bipolarny
węglik krzemu.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-3
System dwupętlowej programowej regulacji temperatury stanowiska do monokrystalizacji SiC
MAREK ORZYŁOWSKI
WOJCIECH ŁOBODZIŃSKI
nr katalogowy: 33958
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8
Problemy montażu struktur SiC stosowanych w elektronice wysokich temperatur i dużych mocy
ZBIGNIEW SZCZEPAŃSKI
RYSZARD KISIEL
nr katalogowy: 37487
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2014-12
Nanopowder silicon carbide and carbon/silicon carbide composites prepared by the aerosol-assisted synthesis Nanoproszkowy węglik krzemu oraz nanokompozyty węgiel/węglik krzemu otrzymywane metodą syntezy aerozolowej
Cezary Czosnek
Jerzy F. Janik
nr katalogowy: 88652
10.12916/przemchem.2014.2020
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej
PAWEŁ BOROWICZ
ANDRIAN KUCHUK
ZBIGNIEW ADAMUS
MICHAŁ BORYSIEWICZ
MAREK EKIELSKI
ELIANA KAMIŃSKA
ANNA PIOTROWSKA
MARIUSZ LATEK
nr katalogowy: 62683
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2010-3
Al/SiC composites produced by direct extrusion using the KOBO method
Jarosław Woźniak
Marek Kostecki
Włodzimierz Bochniak
Andrzej Olszyna
nr katalogowy: 52709
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU 2016-2
PROBLEMY KLEJENIA KOMPONENTÓW Z LEKKICH KOMPOZYTÓW ODPORNYCH NA PRZEBICIA
Jan GODZIMIRSKI
Sławomir TKACZUK
nr katalogowy: 98596
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1
Badanie defektów punktowych w objętościowych monokryształach 6H-SiC otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
MICHAŁ KOZUBAL
PAWEŁ KAMIŃSKI
ROMAN KOZŁOWSKI
MARIUSZ PAWŁOWSKI
WŁADYSŁAW HOFMAN
nr katalogowy: 32580
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11
Przetwornica przepustowa AC/DC 200 W z diodami Schottky’ego SiC
DANIEL GRYGLEWSKI
WOJCIECH WOJTASIAK
BARTOSZ HREHORUK
nr katalogowy: 39668
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-8
Badania układu cienkowarstwowego ZrOx na powierzchni 6H-SiC (0001) metodami LEED i XPS
MARTA SKIŚCIM
KAROLINA IDCZAK
LESZEK MARKOWSKI
nr katalogowy: 61938
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9
Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC
Bartłomiej STONIO
Norbert KWIETNIEWSKI
Piotr FIREK
Mateusz SŁOWIKOWSKI
Krystian PAVŁOV
Piotr CABAN
Mariusz SOCHACKI
Jan SZMIDT
nr katalogowy: 122098
10.15199/48.2019.09.38
suche trawienie
4H-SiC
jakość powierzchni
techniki pazmowe.
silicon carbite
4H-SiC
plasma etching
surface quality
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-6
Układy dopasowania L-C oraz L-LC w falownikach klasy D do nagrzewania indukcyjnego - teoria i praktyka
Marcin KASPRZAK
Piotr LEGUTKO
Kamil KIEREPKA
nr katalogowy: 98777
10.15199/48.2016.06.02
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2017-5
Wpływ powłok SiC na właściwości żaroodporne stali zaworowych
RICHARD GAWEŁ
KAROL KYZIOŁ
MARCIN ŚRODA
ZBIGNIEW GRZESIK
ZBIGNIEW JURASZ
nr katalogowy: 105139
10.15199/40.2017.5.7
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Wpływ procesu wygrzewania w atmosferze O2 i N2O na właściwości warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik w kondensatorach MOS Al/SiO2/4H-SiC
Krystian Król
Małgorzata Kalisz
Mariusz Sochacki
Jan Szmidt
nr katalogowy: 70967
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO2 i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC
TOMASZ GUTT
TOMASZ MAŁACHOWSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
OLOF ENGSTROM
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62686
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-1
Investigations of thermal parameters of GaAs and SiC MESFETs
Damian BISEWSKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 58350
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2017-2
WYBRANE WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE KOMPOZYTÓW Al-SiC OTRZYMANYCH TECHNOLOGIĄ KONWENCJONALNEJ METALURGII PROSZKÓW
ANNA WĄSIK
BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
MARCIN MADEJ
PIOTR NOGA
nr katalogowy: 104036
10.15199/67.2017.2.1
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2019-6
Impact of vibro-compaction on microstructure and properties of aluminium matrix composite with SiC particles
Marcin Godzierz
Anita Olszówka-Myalska
Karolina Dudzińska
Mateusz Urbiczek
nr katalogowy: 124111
10.15199/28.2019.6.3
aluminium matrix composites
silicon carbide
functionally graded materials
quantitative analysis
vibro-compaction
tribological properties.
kompozyty z osnową aluminiową
węglik krzemu
funkcjonalne materiały gradientowe
zagęszczanie wibracyjne
właściwości tribologiczne.
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2007-3-4
Modification of surface layer of titanium alloy by laser alloying
RYSZARD FILIP
nr katalogowy: 27552
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2014-4
BEZPRĄDOWE NAKŁADANIE WIELOWARSTWOWYCH POWŁOK Zn/Ni-P/Ni-P-SiC NA STOPACH MAGNEZU AZ91D
EWA RUDNIK
MICHAŁ GDULA
nr katalogowy: 84010
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Electrothermal Model of SiC Power Schottky Diodes
Janusz ZARĘBSKI
Jacek DĄBROWSKI
nr katalogowy: 63352
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky’ego 4H-SiC
GRZEGORZ ZAREMBA
WOJCIECH JUNG
ELIANA KAMIŃSKA
MICHAŁ BORYSIEWICZ
KATARZYNA KORWIN-MIKKE
ZBIGNIEW ADAMUS
nr katalogowy: 62684
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Kompleksowa charakteryzacja struktur elektronicznych na podłożach SiC metodami fotoelektrycznymi, elektrycznymi i optycznymi
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
TOMASZ GUTT
KRZYSZTOF PISKORSKI
WITOLD RZODKIEWICZ
PAWEŁ BOROWICZ
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62667
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a
Structural investigation of silicon carbide with micro-Raman spectroscopy
Paweł BOROWICZ
Tomasz GUTT
Tomasz MAŁACHOWSKI
Mariusz ŁATEK
nr katalogowy: 55709
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a
Three-phase inverter with SiC JFETs and Schottky diodes
Jacek RĄBKOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 55707
PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2019-12
Wpływ FeSi oraz SiC jako źródeł krzemu na właściwości warstw chromokrzemowanych
Iwona Bauer
nr katalogowy: 123982
10.15199/62.2019.12.32
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2015-6
Właściwości technologiczne mieszanek formierskich na bazie węglika krzemu stosowanych do produkcji ceramicznych form odlewniczych
Marcin Małek
Paweł Wiśniewski
Jarosław Mizera
Krzysztof J. Kurzydłowski
nr katalogowy: 95647
10.15199/28.2015.6.44
RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-5
MIKROSTRUKTURA I WŁAŚCIWOŚCI KOMPOZYTÓW NA OSNOWIE STOPU ALUMINIUM UMACNIANYCH WĘGLIKIEM KRZEMU
BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ
ANNA TYLEK
MATEUSZ WĄSIK
nr katalogowy: 91379
10.15199/67.2015.5.3
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4
Koordynacja przydziału zasobów radiowych w systemach 5G z transmisją dupleksową z podziałem czasu
Anna Maria Łukowa
nr katalogowy: 133043
10.15199/59.2021.4.3
5G
zarządzanie interferencjami
przydział zasobów radiowych
IRC
SIC
5G
interference management
radio resource management
IRC
SIC
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4
Koordynacja przydziału zasobów radiowych w systemach 5G z transmisją dupleksową z podziałem czasu
Anna Maria Łukowa
nr katalogowy: 133043
10.15199/59.2021.4.3
5G
zarządzanie interferencjami
przydział zasobów radiowych
IRC
SIC
5G
interference management
radio resource management
IRC
SIC
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4
Koordynacja przydziału zasobów radiowych w systemach 5G z transmisją dupleksową z podziałem czasu
Anna Maria Łukowa
nr katalogowy: 133043
10.15199/59.2021.4.3
5G
zarządzanie interferencjami
przydział zasobów radiowych
IRC
SIC
5G
interference management
radio resource management
IRC
SIC
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4
Koordynacja przydziału zasobów radiowych w systemach 5G z transmisją dupleksową z podziałem czasu
Anna Maria Łukowa
nr katalogowy: 133043
10.15199/59.2021.4.3
5G
zarządzanie interferencjami
przydział zasobów radiowych
IRC
SIC
5G
interference management
radio resource management
IRC
SIC
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2020-7-8
PROJEKT I ANALIZA TERMICZNA WZMACNIACZA MOCY POWER MOSFET DLA SPECJALNYCH SYSTEMÓW NADAWCZYCH W ZAKRESIE FAL DŁUGICH I BARDZO DŁUGICH
Tomasz Aleksander Miś
nr katalogowy: 128956
10.15199/59.2020.7-8.50
LF
MOSFET
lampa
stratosfera
LF
MOSFET
tube
stratosphere
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2020-7-8
PROJEKT I ANALIZA TERMICZNA WZMACNIACZA MOCY POWER MOSFET DLA SPECJALNYCH SYSTEMÓW NADAWCZYCH W ZAKRESIE FAL DŁUGICH I BARDZO DŁUGICH
Tomasz Aleksander Miś
nr katalogowy: 128956
10.15199/59.2020.7-8.50
LF
MOSFET
lampa
stratosfera
LF
MOSFET
tube
stratosphere
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Wykorzystanie metody Neldera-Meada do identyfikacji wartości parametrów niequasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS
Damian TROFIMOWICZ
Wiesław KORDALSKI
nr katalogowy: 93274
10.15199/48.2015.09.50
OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2011-10
NOWE WYDAWNICTWA
nr katalogowy: 63050
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-7
Wpływ wygrzewania na jakość warstw SiO2 wytwarzanych na podłożach 4H-SiC metodą utleniania termicznego
KRYSTIAN KRÓL
MAŁGORZATA KALISZ
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 61156
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-1
Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE
Kamil BARGIEŁ
Damian BISEWSKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 117991
:10.15199/48.2019.01.54
tranzystor JFET
węglik krzemu
modelowanie
program PSPICE.
JFET
silicon carbide
modelling
PSPICE
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Influence of series resistance on thermally induced limitations of SiC Schottky diodes
WŁODZIMIERZ JANKE
ANETA HAPKA
nr katalogowy: 58292
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
