Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2019 - zeszyt 9

Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC

Investigation of reactive ion etching using BCl3 plasma on the 4H-SiC surface quality

10.15199/48.2019.09.38

nr katalogowy: 122098
10.15199/48.2019.09.38

Streszczenie

Jakość powierzchni materiałów po wykonaniu procesów technologicznych jest ważnym zagadnieniem niezbędnym do zoptymalizowania przy próbie wykonania dobrej jakości przyrzadów półprzewodnikowych. W zależnosci od parametrów procesu, jakość powierzchni się zmienia. W niniejszej pracy zaprezentowano wpływ parametrów suchego trawienia RIE (ang. reactive ion etching) wspomaganego plazmą BCl₃ na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC. Podczas prac modyfikowano moc dostarczaną do reaktora, ciśnienie w reaktorze stosunek gazów roboczyhc oraz czas trawania procesu. Powierzchnia materiału po trawieniu została zobrazowana za pomocą wysokorozdzielczego skaningowego mikroskopu elektronowego SEM (ang. scanning electron microscope). Chropowatość została zmierzona za pomocą mikroskopu sił atomowych AFM (ang. atomic force microscope).

Abstract

The quality of material surface after technological process is one of the most important issue, during semiconductors device manufacturing. The quality of the surface is changing depending on parameters of process that was realized. This paper presents influence of the RIE (reactive ion etching) parameters using BCl3 plasma on the 4H-SiC surface quality. After the process, the SiC surface using high resolution SEM (scanning electron microscope) was investigated. The roughness of the surface was measured using AFM (atomic force microscopy).

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] S. Wolf and R. N. Tauber, Silicon Processing for the VLSI Era. Vol. 1. Process Technology. California: Sunset Beach, 1987.
[2] G. Alfieri and T. Kimoto, “Structural stability and electronic properties of SiC nanocones: First-principles calculations and symmetry considerations," Appl. Phys. Lett., vol. 98, no. 12, p. 123102, Mar. 2011.
[3] P. R. Chalker, “Wide bandgap semiconductor materials for high temperature electronics," Thin Solid Films, vol. 343-344, pp. 616-622, Apr. 1999.
[4] J. Hong, R. J. Shul, L. Zhang, L. F. Lester, H. Cho, Y. B. Hahn, D.C Hays, K. B. Jung, S. J. Pearton, C. M. Zetterling and M. Östling, “Plasma chemistries for high density plasma etching of SiC," J. Electron. Mater., vol. 28, no. 3, pp. 196-201, Mar. 1999.
[5] A. Szczesny, P. Śniecikowski, J. Szmidt, and A. Werbowy, “Reactive ion etching of novel materials - GaN and SiC," User Model. User-adapt. Interact., vol. 70, no. 2-3, pp. 249-254, 2003.
[6] H. Matsunami, “Technological Breakthroughs in Growth Control of Silicon Carbide for High Power Electronic Devices," Jpn. J. Appl. Phys., vol. 43, no. 10, pp. 6835-6847, Oct. 2004.
[7] Y. Zhang, T. Guo, X. Tang, J. Yang, Y. He, and Y. Zhang, “Thermal stability study of n-type and p-type ohmic contacts simultaneously formed on 4H-SiC," 2018.
[8] D. Zhuang and J. H. Edgar, “Wet etching of GaN, AlN, and SiC: A review," Mater. Sci. Eng. R Reports, vol. 48, no. 1, pp. 1-46, 2005.
[9] M. Firdaus, A. Muttalib, R. Y. Chen, S. J. Pearce, and M. D. B. Charlton, “Optimization of reactive-ion etching (RIE) parameters for fabrication of tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ) waveguide using Taguchi method." EPJ Web Conf. vol. 162, International Conference on Applied Photonics and Electronics 2017 (InCAPE2017), p. 5, 2017.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 122098 "Wpływ reaktywnego trawien..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2019-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2019-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma