Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 2

Influence of series resistance on thermally induced limitations of SiC Schottky diodes

nr katalogowy: 58292

Silicon carbide electronic devices seem to be able to operate in very high temperature, and high power density regions, therefore the thermal limitations of those devices should be carefully analyzed. According to some mentions in the literature [1-3] the junction temperature limit for SiC devices may be surprisingly low - only 110°C for some set of parameters assumed. The main object of the investigations presented in this paper, is a SiC Schottky Barrier Diode (SBD), the most mature and widely applied SiC device. In studying the thermal limitations, the self-heating effect, resulting in the junction temperature rise over the ambient temperature, should be taken into account. In the high current region of operation (where the self-heating is important), the parasitic series resistance RS of a diode strongly influences the shape of its I-V characteristics and the value of dissipated power. The values of diode series resistance depend on the particulars of a manufacturing process. The purpose of this paper is to investigate the influence of series resistance value on the thermal limitations involved with the self-heating occurring in a diode. The calculations and theoretical analysis are supported by results of measurements. Parasitic series resistance of SiC SBD The voltage drop VD across a diode conducting forward current I consists of two terms: ideal M-S junction voltage VJ, and the voltage drop across a regions beyond junction including semiconductor layer, contacts between the different metal layers, internal and external wire connections etc. It is usually described as: (1) where RS is an equivalent series resistance of a diode. The resistance of the semiconductor layer is usually the main term of RS. For increasing current, the second term in Eqn (1) increases faster than the first term so, for sufficiently high currents, the dependence of VD on I is nearly linear. It should be pointed out, that in contrary to p-n [...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 58292 "Influence of series resis..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-2 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-2

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma