Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2021 - zeszyt 12

Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS

10.15199/48.2021.12.39

nr katalogowy: 134785
10.15199/48.2021.12.39

Streszczenie

Praca dotyczy problematyki modelowania charakterystyk oraz parametrów tranzystorów MOS mocy wykonanych z węglika krzemu. Przedstawiono aktualny status komercyjny tranzystorów SiC-MOS oraz informacje w zakresie dostępności modeli firmowych rozważanych przyrządów półprzewodnikowych. Zaprezentowano budowę oraz zasadę działania modeli oferowanych przez wybranych producentów tranzystorów SiC-MOS. Przedstawiono wyniki oceny dokładności tych modeli poprzez porównanie wyników symulacji oraz charakterystyk katalogowych.

Abstract

The paper concerns on modelling of the characteristics and parameters of power MOSFETs made of silicon carbide. The current commercial status of SiC-MOSFETs and information on the availability of manufacturers models of considered transistors have been discussed. The structure and principle of operation of the models offered by selected manufacturers of SiC-MOSFETs have been presented. An evaluation of accuracy of these models have been presented by comparing the simulation results and catalogue characteristics. (Evaluation of accuracy of manufacturers models of SiC MOSFETs).

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Lubicz-Krośnicka E., Modelowanie tranzystorów MOS mocy wykonanych z materiałów o szerokiej przerwie energetycznej, Praca inżynierska, Uniwersytet Morski w Gdyni, Gdynia, 2020
[2] Zarębski J.: Tranzystory MOS mocy. Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia, 2007
[3] Vladimirescu A.: The Spice Book. John Wiley and Sons, New York, 1994
[4] Zarębski J., Bisewski D.: Modele i makromodele tranzystorów MOS mocy dla programu SPICE, Elektronika, 50 (2009), nr 6, 96-100
[5] Zarębski J., Bisewski D.: Modelowanie tranzystorów SiC-MOS, Elektronika, 50 (2009), nr 7, 177-180
[6] McNutt T. et al.: Silicon Carbide Power MOSFET Model and Parameter Extraction Sequence, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 22 (2007), No. 2, 353-363
[7] www.infineon.com – strona www firmy Infineon Technologies
[8] www.littelfuse.com – strona www firmy Littelfuse, Inc.
[9] www.onsemi.com – strona www firmy On Semiconductor
[10] www.rohm.com – strona www firmy Rohm Semiconductor
[11] www.st.com – strona www firmy ST Microelectronics
[12] www.wolfspeed.com – strona www firmy Wolfspeed
[13] karta katalogowa tranzystora SCT3060AR, Rohm Semiconductor
[14] karta katalogowa tranzystora SCT50N120, ST Microelectronics
[15] karta katalogowa tranzystora C3M0120090D, Wolfspeed

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-publikacja (pdf) z zeszytu 2021-12 , nr katalogowy 134785 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY- e-zeszyt (pdf) 2021-12 licencja: Osobista Produkt cyfrowy Nowość	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2021-12

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma