Twój Koszyk

Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia

nr katalogowy: 67683

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10

Badania falownika napięcia z węglikowo - krzemowymi tranzystorami JFET o charakterystykach mieszanych

nr katalogowy: 80152

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-2

IDEALNY PRZEŁĄCZNIK Z SiC JFET WG POWER ELECTRONIC NEWS DECEMBER 2022

nr katalogowy: 142119

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-5

Dynamic performance evaluation of ultra-fast SiC MOSFET power module – a comprehensive approach

nr katalogowy: 143222

10.15199/48.2023.05.33

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-5

Dynamic performance evaluation of ultra-fast SiC MOSFET power module – a comprehensive approach

nr katalogowy: 143222

10.15199/48.2023.05.33

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-12

Wpływ domieszkowania na właściwości węglika krzemu (SiC) - przegląd

Katarzyna Racka-Szmidt

nr katalogowy: 95862

10.15199/13.2015.12.14

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC

nr katalogowy: 62685

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2016-6

WPŁYW DODATKU MIEDZI ORAZ ZAWARTOŚCI FAZY UMACNIAJĄCEJ SiC NA MIKROSTRUKTURĘ I TWARDOŚĆ KOMPOZYTÓW Al-SiC

ANNA WĄSIK BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ MARCIN MADEJ

nr katalogowy: 99103

10.15199/67.2016.6.5

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-12b

Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET

Sebastian GIZIEWSKI

nr katalogowy: 73211

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-3

Korozja stopu AZ91 i kompozytów typu AZ91/SiC w roztworze Ringera

nr katalogowy: 66331

Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym

nr katalogowy: 142230

10.15199/48.2023.03.06

Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym

nr katalogowy: 142230

10.15199/48.2023.03.06

Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym

nr katalogowy: 142230

10.15199/48.2023.03.06

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2

Trójfazowy falownik prądu PWM z tranzystorami SiC JFET

nr katalogowy: 50172

Power Losses in PWM Inverters using Silicon Carbide Devices

Jakub DAWIDZIUK

nr katalogowy: 67689

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

nr katalogowy: 79301

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2004-11

Domieszkowanie MgB2 nanokrystalicznym SiC przy zastosowaniu mieszania w wysokim ciśnieniu gazu obojętnego i izostatycznego

nr katalogowy: 3929

Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC

nr katalogowy: 142226

10.15199/48.2023.03.02

Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC

nr katalogowy: 142226

10.15199/48.2023.03.02

Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC

nr katalogowy: 142226

10.15199/48.2023.03.02

Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET

Sebastian GIZIEWSKI

nr katalogowy: 67697

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10

Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC

nr katalogowy: 122738

10.15199/48.2019.10.35

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8

Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze

nr katalogowy: 37486

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2007-4

Wpływ nanocząstek SiC na właściwości mechaniczne i ochronne powłok lakierowych

MAŁGORZATA ZUBIELEWICZ

nr katalogowy: 25496

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-11

Odporność korozyjna kompozytu na osnowie stopu magnezu AM50 umacnianego cząstkami SiC

nr katalogowy: 72695

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-5

ANALIZA PARAMETRÓW PROCESU WYTWARZANIA KOMPOZYTÓW Al-SiC

nr katalogowy: 76633

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2016-7

WPŁYW ATMOSFERY SPIEKANIA ORAZ ZAWARTOŚCI FAZY UMACNIAJĄCEJ SiC NA MIKROST RUKTURĘ I WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE KOMPOZYTÓW AlCu-Si

nr katalogowy: 99667

10.15199/67.2016.7.5

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9

Comparative molecular dynamics studies of Si, GaN and SiC thermal conductivity

Bohdan ANDRIYEVSKY

nr katalogowy: 93226

10.15199/48.2015.09.02

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-7

Flexible Rogowski current probes in measurements of ultra-fast SiC MOSFET modules – limitations and challenges

nr katalogowy: 149502

10.15199/48.2024.07.01

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-8

Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu

nr katalogowy: 108540

10.15199/48.2017.08.28

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Evaluation of SiC and GaN FETs in Zero-Voltage Switching Interleaved Boost Converters

Piotr ZIMOCH

nr katalogowy: 122100

10.15199/48.2019.09.40

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2

Spektroskopia pojemnościowa głębokich poziomów defektowych (DLTS) w diodach Schottky’ego z węglika krzemu (4H-SiC) implantowanych jonami

nr katalogowy: 66140

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6

Ocena parametrów statycznych diod Schottky’ego z SiC

nr katalogowy: 44768

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2021-8

NOWA FALA GaN I SIC

nr katalogowy: 133104

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-12

Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS

nr katalogowy: 134785

10.15199/48.2021.12.39

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6

Właściwości elektryczne i mechaniczne metalizacji kontaktowych Ni i Ti oraz wytworzonych na nich połączeń drutowych do n-SiC

nr katalogowy: 44771

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2

Reactive ion etching of 4H-SiC with BCl3 plasma

nr katalogowy: 130178

10.15199/48.2021.02.14

Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC

nr katalogowy: 142231

10.15199/48.2023.03.07

Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC

nr katalogowy: 142231

10.15199/48.2023.03.07

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9

Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)

nr katalogowy: 86921

10.12915/pe.2014.09.24

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

nr katalogowy: 62662

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-7

Układ sterowania stanowiska do monokrystalizacji SiC jako element systemu CIM

nr katalogowy: 61161

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6

Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu

nr katalogowy: 44772

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2006-11

Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice

nr katalogowy: 21990

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

Modelowanie charakterystyk I-U tranzystora MOS na węgliku krzemu 4H-SIC oraz 6H-SiC

nr katalogowy: 8989

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-11

Właściwości korozyjne kompozytu typu stop aluminium A359-SiC po wielokrotnym procesie przetopu

nr katalogowy: 72692

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2014-3

Wpływ rozdrobnienia proszku fazy osnowy na mikrostrukturę i właściwości mechaniczne kompozytu ziarnistego SiC-TiB2

nr katalogowy: 85034

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-8

CHARAKTERYSTYKA WŁAŚCIWOŚCI KOMPOZYTU AK52/SiC UZYSKANEGO METODĄ IMPULSOWO-PLAZMOWEGO SPIEKANIA

nr katalogowy: 78635

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3

Thermal stability of SiC MOS transistors

WITOLD J. STEPOWICZ

nr katalogowy: 58376

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-7

EFFECT OF PLASTIC DEFORMATION ON THE MICROSTRUCTURE, SIZE AND DISTRIBUTION OF SiC REINFORCING PARTICLES IN THE CAST F3K.10S COMPOSITE

PAWEŁ KURTYKA

nr katalogowy: 92509

10.15 199/67.2015.7.3

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3

Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC

nr katalogowy: 112455

10.15199/48.2018.03.11

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2018-2

CHARAKTERYSTYKA KOMPOZYTÓW Al-Cu/SiC SPIEKANYCH W PRÓŻNI

nr katalogowy: 112329

10.15199/67.2018.2.2

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-9

SiC - materiał dla elektroniki

nr katalogowy: 16309

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-1

Badanie własności grubowarstwowego kontaktu srebro-węglik krzemu modyfikowanego wiązką laserową

nr katalogowy: 135367

10.15199/48.2022.01.36

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-7

Badania walidacyjne stanowiska do monokrystalizacji SiC

nr katalogowy: 91943

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Wpływ procesu wygrzewania wysokotemperaturowego na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO2/n-4H-SiC (0001)

nr katalogowy: 62688

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-1

SiC-Based Magnetic-less DC-DC Converter with Wide Temperature Range Operation

nr katalogowy: 129831

10.15199/48.2021.01.10

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2019-8

UMOCNIENIE ODKSZTAŁCENIOWE KOMPOZYTÓW Z STOPU ALUMINIUM 6061+SiC

nr katalogowy: 121961

10.15199/67.2019.8.1

PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2014-8

Structure and properties of composite Ni-P/SiC surface layers produced by chemical reduction on aluminum and its alloys Struktura i właściwości warstw kompozytowych Ni-P/SiC wytwarzanych metodą redukcji chemicznej na aluminium i jego stopach

Maria Trzaska

nr katalogowy: 86088

10.12916/przemchem.2014.1286

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-1

Mechanical and thermal properties of SiC - ceramics substrate interface

nr katalogowy: 65204

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-9

Formation of Ni/Si based ohmic contacts to n-type 4H-SiC

nr katalogowy: 54288

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2015-6

Dobór składu fazowego kompozytu na bazie stopu AlSi pod kątem możliwości kształtowania powierzchni roboczych tłoków

nr katalogowy: 95638

10.15199/28.2015.6.35

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2010-3

Antykorozyjne elektrolityczne nanostrukturalne powłoki kompozytowe

BENIGNA SZEPTYCKA

nr katalogowy: 50700

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-11

Węglik krzemu w energoelektronice – nadzieje i ograniczenia

Włodzimierz JANKE

nr katalogowy: 63894

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Badania elektronomikroskopowe kontaktów omowych do węglika krzemu wytwarzanych na bazie niklu

nr katalogowy: 62663

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2024-7

PORÓWNANIE CHARAKTERYSTYK PRZETWORNICY SEPIC ZAWIERAJĄCEJ TRANZYSTORY MOSFET WYKONANE Z KRZEMU I WĘGLIKA KRZEMU

Michał Downar-Zapolski

nr katalogowy: 149636

10.15199/13.2024.7.8

CHŁODNICTWO 2017-4-5

Danfoss i General Electric łączą siły

nr katalogowy: 106015

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Termiczne formowanie tytanowych kontaktów omowych do węglika krzemu 4H-SiC

nr katalogowy: 122097

10.15199/48.2019.09.37

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-1

Dwugałęziowy przekształtnik prądu stałego z tranzystorami SiC MOSFET do bateryjnego magazynu energii o napięciu 1.5 kV

nr katalogowy: 147110

10.15199/48.2024.01.30

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-7

Modelowanie tranzystorów SiC-MOS

nr katalogowy: 45506

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-7

Parametry technologiczne stanowiska do monokrystalizacji SiC

nr katalogowy: 45499

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych - porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu

nr katalogowy: 70971

Diody Schottky'ego z SiC w falownikach napięcia z krzemowymi tranzystorami MOSFET- badania eksperymentalne

nr katalogowy: 63349

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu

nr katalogowy: 62687

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-5

Considerations on SiC MOSFET TSEP-based junction temperature measurement routines in practical use

nr katalogowy: 148591

10.15199/48.2024.05.06

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET

nr katalogowy: 115220

10.15199/48.2018.08.17

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-12

Stanowisko do monokrystalizacji SiC

nr katalogowy: 40368

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3

Problematyka komutacji nieoptymalnych w pojedynczym szeregowym dwuczęstotliwościowym jednoczesnym falowniku do nagrzewania indukcyjnego

nr katalogowy: 112456

10.15199/48.2018.03.12

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-2

Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT

nr katalogowy: 124715

10.15199/48.2020.02.42

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET

nr katalogowy: 126978

10.15199/48.2020.07.12

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-3

System dwupętlowej programowej regulacji temperatury stanowiska do monokrystalizacji SiC

nr katalogowy: 33958

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8

Problemy montażu struktur SiC stosowanych w elektronice wysokich temperatur i dużych mocy

nr katalogowy: 37487

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6

Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-SiC

nr katalogowy: 44770

PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2014-12

Nanopowder silicon carbide and carbon/silicon carbide composites prepared by the aerosol-assisted synthesis Nanoproszkowy węglik krzemu oraz nanokompozyty węgiel/węglik krzemu otrzymywane metodą syntezy aerozolowej

nr katalogowy: 88652

10.12916/przemchem.2014.2020

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Badania strukturalne warstw węglowych w niklowych kontaktach omowych za pomocą widzialnej i nadfioletowej spektroskopii ramanowskiej

nr katalogowy: 62683

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2010-3

Al/SiC composites produced by direct extrusion using the KOBO method

nr katalogowy: 52709

TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU 2016-2

PROBLEMY KLEJENIA KOMPONENTÓW Z LEKKICH KOMPOZYTÓW ODPORNYCH NA PRZEBICIA

nr katalogowy: 98596

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1

Badanie defektów punktowych w objętościowych monokryształach 6H-SiC otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej

nr katalogowy: 32580

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11

Przetwornica przepustowa AC/DC 200 W z diodami Schottky’ego SiC

nr katalogowy: 39668

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9

Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky’ego

nr katalogowy: 37981

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-8

Badania układu cienkowarstwowego ZrOx na powierzchni 6H-SiC (0001) metodami LEED i XPS

nr katalogowy: 61938

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC

nr katalogowy: 122098

10.15199/48.2019.09.38

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8

Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)

nr katalogowy: 37485

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2017-5

Wpływ powłok SiC na właściwości żaroodporne stali zaworowych

nr katalogowy: 105139

10.15199/40.2017.5.7

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Wpływ procesu wygrzewania w atmosferze O2 i N2O na właściwości warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik w kondensatorach MOS Al/SiO2/4H-SiC

nr katalogowy: 70967

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO2 i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC

nr katalogowy: 62686

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-1

Investigations of thermal parameters of GaAs and SiC MESFETs

nr katalogowy: 58350

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-1

Właściwości diod Schottky`ego z węglika krzemu (SiC) w warunkach przekształcania energii elektrycznej z wysoką częstotliwością

nr katalogowy: 57455

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2017-2

WYBRANE WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE KOMPOZYTÓW Al-SiC OTRZYMANYCH TECHNOLOGIĄ KONWENCJONALNEJ METALURGII PROSZKÓW

nr katalogowy: 104036

10.15199/67.2017.2.1

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-11

Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC

nr katalogowy: 95200

10.15199/13.2015.11.13

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-6

Wysokosprawny przekształtnik sieciowy AC-DC z łącznikami z węglika krzemu wspomagający diodowe systemy napędowe

Szymon PIASECKI

nr katalogowy: 98782

10.15199/48.2016.06.07

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2019-6

Impact of vibro-compaction on microstructure and properties of aluminium matrix composite with SiC particles

nr katalogowy: 124111

10.15199/28.2019.6.3

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2007-3-4

Modification of surface layer of titanium alloy by laser alloying

RYSZARD FILIP

nr katalogowy: 27552

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-1

Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC

Krzysztof PRZYBYŁA

nr katalogowy: 111563

10.15199/48.2018.01.33

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Aktywna metoda kontroli rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach SiC MOSFET w łączniku 3,3 kV

Przemysław TROCHIMIUK

nr katalogowy: 126981

10.15199/48.2020.07.15

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9

Jednoczesny, dwuczęstotliwościowy falownik do nagrzewania indukcyjnego o strukturze półmostka SiC MOSFET

Kamil KIEREPKA

nr katalogowy: 115822

10.15199/48.2018.09.23

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2014-4

BEZPRĄDOWE NAKŁADANIE WIELOWARSTWOWYCH POWŁOK Zn/Ni-P/Ni-P-SiC NA STOPACH MAGNEZU AZ91D

nr katalogowy: 84010

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-8

Process-oriented suboptimal controller for SiC bulk crystal growth system

Marek Orzyłowski

nr katalogowy: 70156

Electrothermal Model of SiC Power Schottky Diodes

nr katalogowy: 63352

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky’ego 4H-SiC

nr katalogowy: 62684

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Kompleksowa charakteryzacja struktur elektronicznych na podłożach SiC metodami fotoelektrycznymi, elektrycznymi i optycznymi

nr katalogowy: 62667

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a

Structural investigation of silicon carbide with micro-Raman spectroscopy

nr katalogowy: 55709

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a

Three-phase inverter with SiC JFETs and Schottky diodes

nr katalogowy: 55707

PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2019-12

Wpływ FeSi oraz SiC jako źródeł krzemu na właściwości warstw chromokrzemowanych

Iwona Bauer

nr katalogowy: 123982

10.15199/62.2019.12.32

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2015-6

Właściwości technologiczne mieszanek formierskich na bazie węglika krzemu stosowanych do produkcji ceramicznych form odlewniczych

nr katalogowy: 95647

10.15199/28.2015.6.44

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-5

MIKROSTRUKTURA I WŁAŚCIWOŚCI KOMPOZYTÓW NA OSNOWIE STOPU ALUMINIUM UMACNIANYCH WĘGLIKIEM KRZEMU

nr katalogowy: 91379

10.15199/67.2015.5.3

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

Koordynacja przydziału zasobów radiowych w systemach 5G z transmisją dupleksową z podziałem czasu

Anna Maria Łukowa

nr katalogowy: 133043

10.15199/59.2021.4.3

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

Koordynacja przydziału zasobów radiowych w systemach 5G z transmisją dupleksową z podziałem czasu

Anna Maria Łukowa

nr katalogowy: 133043

10.15199/59.2021.4.3

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

Koordynacja przydziału zasobów radiowych w systemach 5G z transmisją dupleksową z podziałem czasu

Anna Maria Łukowa

nr katalogowy: 133043

10.15199/59.2021.4.3

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2021-4

Koordynacja przydziału zasobów radiowych w systemach 5G z transmisją dupleksową z podziałem czasu

Anna Maria Łukowa

nr katalogowy: 133043

10.15199/59.2021.4.3

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9

Modelowanie stałoprądowych charakterystyk tranzystorów SiC-MOS mocy w programie SPICE

nr katalogowy: 145282

10.15199/48.2023.09.60

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-3

Quasi-two-level method as an universal approach for voltage balancing of series-connected SiC MOSFETs

Rafał KOPACZ

nr katalogowy: 147725

10.15199/48.2024.03.03

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2011-10

NOWE WYDAWNICTWA

nr katalogowy: 63050

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-7

Wpływ wygrzewania na jakość warstw SiO2 wytwarzanych na podłożach 4H-SiC metodą utleniania termicznego

nr katalogowy: 61156

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-1

Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE

nr katalogowy: 117991

:10.15199/48.2019.01.54

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2

Influence of series resistance on thermally induced limitations of SiC Schottky diodes

nr katalogowy: 58292

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2018-3

The effect of surface modification of LaNi4.5Co0.5 hydride alloy with SiC layer on its hydrogen storage and kinetic electrochemical properties

nr katalogowy: 112631

10.15199/40.2018.3.3

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2014-4

Wpływ udziału objętościowego TiB2 na mikrostrukturę i właściwości mechaniczne kompozytu ziarnistego SiC-TiB2

nr katalogowy: 86399

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Hybrydowe łączniki półprzewodnikowe złożone z Si – IGBT i diod Schottky’ego z SiC

nr katalogowy: 62711

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-1

Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu

nr katalogowy: 96282

10.15199/13.2016.1.8

SZKŁO I CERAMIKA 2014-3

Technologiczne właściwości mas formierskich z SiC z przeznaczeniem dla ceramicznych form odlewniczych dla przemysłu lotniczego

nr katalogowy: 84819

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2010-3

Modelling the effect of SiC mass fraction on crystallization of magnesium metal matrix composite; AZ91/SiC

nr katalogowy: 52774

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-3

Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SiC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT

nr katalogowy: 50822

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6

Wysokonapięciowa dioda z barierą Schottky'ego z węglika krzemu

nr katalogowy: 44769

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2013-8

Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE

nr katalogowy: 78254

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9

SiC-based phase-shift dual half bridge DC-DC converter as a key component of multilevel cascaded MV converters

nr katalogowy: 86948

10.12915/pe.2014.09.50

Analiza porównawcza strat mocy w trójfazowych falownikach PWM z elementami aktywnymi z węglika krzemu

nr katalogowy: 63369

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2013-4

Recognition and characterization of defects in GaN epilayers

nr katalogowy: 79713

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-5

Jonoluminescencja SiC wzbudzana bombardowaniem jonami H+

nr katalogowy: 76821

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-9

On stability of polarisation current pattern during forced thermal aging in sintered ceramics

nr katalogowy: 55538

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2

Wpływ procesów utleniania i wygrzewania w atmosferze zawieraja˛cej fosfor lub azot na jakos´c´ mie˛dzypowierzchni dielektryk/półprzewodnik w strukturze MOS Ti/SiO2/4H-SiC

nr katalogowy: 130187

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10

Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost

nr katalogowy: 63244

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-9

Detektor ultrafioletu z węglika krzemu

nr katalogowy: 16308

ATEST - OCHRONA PRACY 2005-3

Teksty-preteksty

nr katalogowy: 7959

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2

Modelowanie izotermicznych oraz nieizotermicznych statycznych charakterystyk diod MPS z węglika krzemu

nr katalogowy: 50195

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-4

Silicon carbide JFET - fast, high voltage semiconductor device for power electronics applications

Jacek RĄBKOWSKI

nr katalogowy: 43954

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10

Wpływ materiału maskującego na jakość odwzorowania w procesie suchego trawienia węglika krzemu 4H-SiC w plazmie chlorowej

nr katalogowy: 122739

10.15199/48.2019.10.36

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-6

Konstrukcje diod Schottky'ego z węglika krzemu

nr katalogowy: 1055

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2006-3

Wybrane właściwości pian metalowych na bazie kompozytu AlSi9-SiC

nr katalogowy: 17159

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-12

Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC MESFET

nr katalogowy: 9205

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-12

WŁASNOŚCI MECHANICZNE RUR Z MIESZANEK PROSZKOWYCH STOPU 6061 Z TWARDYMI CZĄSTKAMI SiC LUB Al2O3 WYTWORZONYCH PODCZAS WYCISKANIA NA GORĄCO PRZEZ MATRYCE MOSTKOWO-KOMOROWE

nr katalogowy: 95716

10.15 199/67.2015.12.17

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-6

EFFECT OF THE TYPE OF ABRASIVE AGENT ON THE PROPERTIES OF CAST Co-Cr ALLOYS USED IN PROSTHETICS

nr katalogowy: 91969

10.15199/67.2015.6.2

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-6

Monolityczny mikrofalowy układ scalony GaN/AlGaN

nr katalogowy: 91808

10.15199/13.2015.6.1

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-3

Napęd z silnikiem indukcyjnym i 4-gałęziowym falownikiem SiC do turbosprężarek powietrza ogniw paliwowych dużej mocy

nr katalogowy: 147730

10.15199/48.2024.03.08

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2005-5

Struktura geometryczna powierzchni warstw SiC otrzymanego metodą ECRCVD i MWCVD

nr katalogowy: 10208

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-11

Symulacje nieizotermicznych charakterystyk statycznych diody Schottky'ego z węglika krzemu w programie SPICE

nr katalogowy: 1238

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2005-5

Morfologia i struktura powłok SiC na stomatologicznym stopie WIROBOND

nr katalogowy: 10154

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2

Technika grubowarstwowa i LTCC w realizacji elementów elektroniki wysokotemperaturowe

nr katalogowy: 66155

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT

Joanna SZELĄGOWSKA

nr katalogowy: 115223

10.15199/48.2018.08.20

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-7

Identyfikacja pieca do monokrystalizacji SiC jako obiektu sterowania

Marek Orzyłowski

nr katalogowy: 91942

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-11

Analityczny opis nieliniowej pojemności wysokonapięciowych łączników energoelektronicznych przy wyznaczaniu strat energii

nr katalogowy: 87748

10.12915/pe.2014.11.22

PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2012-6

Węglik krzemu. Wczoraj, dziś, jutro

nr katalogowy: 68512

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2006-6

Otrzymywanie i właściwości trudnopalnych nanokompozytów uretanowo-mocznikowych z napełniaczami z prekursorów glinoorganicznych

nr katalogowy: 21749

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2006-5

Wpływ parametrów procesu MWCYD na strukturę i właściwości warstw typu a-SiC^N^H

nr katalogowy: 21667

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3

Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz

nr katalogowy: 112460

10.15199/48.2018.03.16

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2005-3

Tribologiczne właściwości kompozytów zbrojonych mieszaniną cząstek ceramicznych i węgla szklistego

nr katalogowy: 10041

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7

Utlenianie węglika krzemu: charakteryzacja procesu i metody symulacji kinetyki

nr katalogowy: 85802

10.15199/ELE-2014-086

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-12

Sterownik bramkowy dla tranzystorów SiC pracujących w układzie mostka

nr katalogowy: 73368

Sterowniki bramkowe dla tranzystorów z węglika krzemu (SiC) - przegląd rozwiązań

nr katalogowy: 67716

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2

Analiza stanów awaryjnych w trójfazowych falownikach z tranzystorami SiC-JFET

nr katalogowy: 58280

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5

Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz)

Jacek RĄBKOWSKI

nr katalogowy: 98173

10.15199/48.2016.05.09

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-10

Warstwy termicznego SiO2 i Si3N4 na węgliku krzemu (4H-SiC) do przyrządów mocy MS i MIS

nr katalogowy: 1211

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2006-3

Powłoki ochronne SiC, SiCN i SiN na stopach metali osadzane reakcyjną metodą magnetronową przy niskich temperaturach

nr katalogowy: 17146

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-9

Opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET oraz diod Schottky’ego na bazie heterostruktur AIII-N-SiC...

nr katalogowy: 16307

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-10

Charakterystyki i parametry tranzystora SiC BJT

nr katalogowy: 150788

10.15199/48.2024.10.62

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2008-4-5

Właściwości antykorozyjne powłok zawierających nanocząstki węglika krzemu

MAŁGORZATA ZUBIELEWICZ

nr katalogowy: 34278

PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY 2021-10

Od redakcji

nr katalogowy: 134017

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1

Reaktywne trawienie jonowe węglika krzemu SiC

KRZYSZTOF PIOTR GÓRA

nr katalogowy: 32581

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8

Epitaksja węglika krzemu metodą CVD

nr katalogowy: 37490

HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE 2006-4

Osiągnięcia w zakresie kucia matrycowego wyprasek z kompozytów na osnowie stopu aluminium Al-Cu-Si z udziałem fazy ciekłej oraz spiekanych stali niskostopowych

nr katalogowy: 16984

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-11

LEKKIE MATERIAŁY KOMPOZYTOWE NA OSNOWIE PROSZKU ALUMINIUM UMOCNIONE CZĄSTKAMI WĘGLIKA KRZEMU OTRZYMANE PRZEZ KUCIE MATRYCOWE I WYCISKANIE

STEFAN SZCZEPANIK

nr katalogowy: 80997

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-11

Trójfazowy, dwupoziomowy falownik napięcia z tranzystorami Z-FET z węglika krzemu (SiC)

nr katalogowy: 87755

10.12915/pe.2014.11.29