Twój Koszyk

Wpływ modelu tranzystora MOS na charakterystyki przetwornicy BOOST w stanie ustalonym

nr katalogowy: 55713

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-4

Wysokoczęstotliwościowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 97605

10.15199/48.2016.04.07

Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 112457

10.15199/48.2018.03.13

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu

nr katalogowy: 62666

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-6

Problem zwarć skrośnych w scalonych sterownikach bramkowych pracujących z częstotliwością 30 MHz

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 114161

10.15199/48.2018.06.13

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2018-12

Wyznaczanie strat cieplnych wydzielanych w tranzystorach mocy typu MOSFET

nr katalogowy: 117574

10.15199/74.2018.12.2

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Charakterystyki statyczne i parametry tranzystorów MOSFET mocy z krzemu i z węglika krzemu

nr katalogowy: 70992

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-8

Example of Inrush Current Elimination After Connection of High Input DC Voltage

nr katalogowy: 127352

10.15199/48.2020.08.20

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Problematyka określenia sprawności niskostratnych drajwerów pracujących z częstotliwością 30 MHz

nr katalogowy: 115231

10.15199/48.2018.08.28

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-11

electronica 2020

nr katalogowy: 129208

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-6

Wpływ obwodów odciążających na łączeniowe straty energii w przekształtnikach wysokiej częstotliwości

nr katalogowy: 126576

10.15199/48.2020.06.17

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-9

Wysokosprawny sterownik bramkowy 4xUCC27516 pracujący w zakresie częstotliwości do 30MHz

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 150384

10.15199/48.2024.09.45

Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET

nr katalogowy: 112454

10.15199/48.2018.03.10

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2024-7

PORÓWNANIE CHARAKTERYSTYK PRZETWORNICY SEPIC ZAWIERAJĄCEJ TRANZYSTORY MOSFET WYKONANE Z KRZEMU I WĘGLIKA KRZEMU

Michał Downar-Zapolski

nr katalogowy: 149636

10.15199/13.2024.7.8

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

nr katalogowy: 79301

Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC

nr katalogowy: 112455

10.15199/48.2018.03.11

Wysokosprawne układy do zasilania SSL LED dla potrzeb autonomicznych instalacji PV

nr katalogowy: 55724

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10

Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost

nr katalogowy: 63244

Falownik klasy DE 13,56 MHz/450 W – wpływ nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora Mosfet na sterowanie metodą AM

Marcin KASPRZAK

nr katalogowy: 67705

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Właściwości i badania laboratoryjne wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF z ćwierćfalową linią długą

nr katalogowy: 126986

10.15199/48.2020.07.20

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-5

Symulacja termiczna sterownika bramkowego tranzystora MOSFET mocy pracującego z częstotliwością 30 MHz

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 137339

10.15199/48.2022.05.09

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-5

Symulacja termiczna sterownika bramkowego tranzystora MOSFET mocy pracującego z częstotliwością 30 MHz

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 137339

10.15199/48.2022.05.09

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-1

Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu

nr katalogowy: 96282

10.15199/13.2016.1.8

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-1

Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC

Krzysztof PRZYBYŁA

nr katalogowy: 111563

10.15199/48.2018.01.33

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-3

Analiza wpływu samonagrzewania na charakterystyki liniowego stabilizatora napięcia z tranzystorem MOS

nr katalogowy: 41995

Opis procesu wyłączania tranzystora MOSFET w przekształtnikach wysokiej częstotliwości

Piotr GRZEJSZCZAK

nr katalogowy: 98196

10.15199/48.2016.05.32

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-1

Dwugałęziowy przekształtnik prądu stałego z tranzystorami SiC MOSFET do bateryjnego magazynu energii o napięciu 1.5 kV

nr katalogowy: 147110

10.15199/48.2024.01.30

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-8

Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu

nr katalogowy: 108540

10.15199/48.2017.08.28

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7

Porównanie parametrów tranzystorów MO SFET wykonanych w technologii Si oraz SiC

nr katalogowy: 85782

10.15199/ELE-2014-066

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-2

Wykorzystanie modeli symulacyjnych do wyznaczania strat łączeniowych w tranzystorach podwójnego mostka aktywnego

nr katalogowy: 82722

10.12915/pe.2014.02.48

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-11

Analityczny opis nieliniowej pojemności wysokonapięciowych łączników energoelektronicznych przy wyznaczaniu strat energii

nr katalogowy: 87748

10.12915/pe.2014.11.22

Problematyka komutacji nieoptymalnych w pojedynczym szeregowym dwuczęstotliwościowym jednoczesnym falowniku do nagrzewania indukcyjnego

nr katalogowy: 112456

10.15199/48.2018.03.12

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-12

Sterownik bramkowy dla tranzystorów SiC pracujących w układzie mostka

nr katalogowy: 73368

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10

Diody Schottky'ego z węglika krzemu w falownikach napięcia z tranzystorami MOSFET- badania symulacyjne

nr katalogowy: 63350

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10

Badania falownika napięcia z węglikowo - krzemowymi tranzystorami JFET o charakterystykach mieszanych

nr katalogowy: 80152

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-8

Technologia Osadzania Warstw Atomowych – zastosowania w elektronice

nr katalogowy: 61961

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-12

Procesy łączeniowe tranzystorów MOSFET w mostkach wysokonapięciowych

nr katalogowy: 73355

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-7

Parallel operation of MOSFET and IGBT transistors in resonant mode converter

nr katalogowy: 53442

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2007-11

Uproszczona metoda projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy wielkiej częstotliwości z tranzystorami MoSFET

JULIUSZ MODZELEWSKI

nr katalogowy: 31085

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2020-7-8

PROJEKT I ANALIZA TERMICZNA WZMACNIACZA MOCY POWER MOSFET DLA SPECJALNYCH SYSTEMÓW NADAWCZYCH W ZAKRESIE FAL DŁUGICH I BARDZO DŁUGICH

Tomasz Aleksander Miś

nr katalogowy: 128956

10.15199/59.2020.7-8.50

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2020-7-8

PROJEKT I ANALIZA TERMICZNA WZMACNIACZA MOCY POWER MOSFET DLA SPECJALNYCH SYSTEMÓW NADAWCZYCH W ZAKRESIE FAL DŁUGICH I BARDZO DŁUGICH

Tomasz Aleksander Miś

nr katalogowy: 128956

10.15199/59.2020.7-8.50

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-12

BADANIA SYMULACYJNE PRZEKSZTAŁTNIKA DC/DC PODWYŻSZAJĄCEGO NAPIĘCIE OPARTEGO O TRANZYSTOR GaN

Piotr Paziewski

nr katalogowy: 141284

10.15199/13.2022.12.4

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-12

BADANIA SYMULACYJNE PRZEKSZTAŁTNIKA DC/DC PODWYŻSZAJĄCEGO NAPIĘCIE OPARTEGO O TRANZYSTOR GaN

Piotr Paziewski

nr katalogowy: 141284

10.15199/13.2022.12.4

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-12

BADANIA SYMULACYJNE PRZEKSZTAŁTNIKA DC/DC PODWYŻSZAJĄCEGO NAPIĘCIE OPARTEGO O TRANZYSTOR GaN

Piotr Paziewski

nr katalogowy: 141284

10.15199/13.2022.12.4

Model regulatora impulsowego współpracującego z synchroniczną przetwornicą dc-dc

Krzysztof GÓRECKI

nr katalogowy: 55751

Pomiary termiczne dla weryfikacji wartości strat łączeniowych w półprzewodnikowych przyrządach mocy

nr katalogowy: 67712

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Liniowy wzmacniacz mocy na pasmo 26-29 MHz z tranzystorami przełącznikowymi

nr katalogowy: 79333

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Aktywna metoda kontroli rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach SiC MOSFET w łączniku 3,3 kV

Przemysław TROCHIMIUK

nr katalogowy: 126981

10.15199/48.2020.07.15

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Charakterystyki DC tranzystorów MOSFET SiC oraz Si pracujących w obszarze silnego przewodzenia, w szerokim zakresie temperatur

nr katalogowy: 70993

Analityczny opis łączeniowych strat energii w wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET pracujących w mostku

nr katalogowy: 93236

10.15199/48.2015.09.12

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-2a

Falownik klasy DE 8 MHz/300 W z rezonansowym sterownikiem klasy D o sinusoidalnym kształcie napięcia bramkowego

Marcin KASPRZAK

nr katalogowy: 74394

An Analysis Of Overload Conditions In Mosfet-Based Power Resonant DC-DC Step-Up Converters In Switched Capacitor Voltage Multiplier Topology

nr katalogowy: 98179

10.15199/48.2016.05.15

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2005-10-11

Rekordowo szybki tranzystor

fi

nr katalogowy: 13150

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-8

Optymalizacja układu sterującego w rezonansowym wzmacniaczu w.cz. klasy E

Mirosław MIKOŁAJEWSKI

nr katalogowy: 108520

10.15199/48.2017.08.08

MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2011-4

Półprzewodniki dużej mocy

nr katalogowy: 61349

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-6

Sterowanie falownika klasy DE metodą PWM-FM

Marcin KASPRZAK

nr katalogowy: 84707

10.12915/pe.2014.06.016

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-12

Stanowisko do monokrystalizacji SiC

nr katalogowy: 40368

Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz

nr katalogowy: 112460

10.15199/48.2018.03.16

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET

nr katalogowy: 126978

10.15199/48.2020.07.12

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Charakteryzacja elektryczna ceramicznej oprawki tranzystora RF

nr katalogowy: 62677

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-5

Szeregowy, dwuczęstotliwościowy falownik do nagrzewania indukcyjnego z pojedynczym mostkiem tranzystorowym typu H - problemy komutacji nieoptymalnych

nr katalogowy: 113574

10.15199/48.2018.05.30

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9

Jednoczesny, dwuczęstotliwościowy falownik do nagrzewania indukcyjnego o strukturze półmostka SiC MOSFET

Kamil KIEREPKA

nr katalogowy: 115822

10.15199/48.2018.09.23

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-1

Realizacja praktyczna układu do pomiaru parametrów cieplnych tranzystorów MOS mocy

nr katalogowy: 135360

10.15199/48.2022.01.29

Dynamic performance evaluation of ultra-fast SiC MOSFET power module – a comprehensive approach

nr katalogowy: 143222

10.15199/48.2023.05.33

Dynamic performance evaluation of ultra-fast SiC MOSFET power module – a comprehensive approach

nr katalogowy: 143222

10.15199/48.2023.05.33

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-4

Falownik klasy D-ZVS 300 kHz/1,5 kW do nagrzewania indukcyjnego – możliwości pracy w klasie D i DE

Marcin KASPRZAK

nr katalogowy: 76294

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-8

Three phase MLI implementation of V/F control for three phase induction motor based on FPGA and Gary wolf algorithm

nr katalogowy: 138628

10.15199/48.2022.08.08

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-8

Three phase MLI implementation of V/F control for three phase induction motor based on FPGA and Gary wolf algorithm

nr katalogowy: 138628

10.15199/48.2022.08.08

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-8

Three phase MLI implementation of V/F control for three phase induction motor based on FPGA and Gary wolf algorithm

nr katalogowy: 138628

10.15199/48.2022.08.08

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2

Właściwości obwodów typu π1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy dla różnych wartości dobroci wypadkowej

JULIUSZ MODZELEWSKI

nr katalogowy: 50171

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-7

Badania quasi - rezonansowego dwufazowego przekształtnika typu boost z zaworami Si i SiC

Piotr ZIMOCH

nr katalogowy: 114685

10.15199/48.2018.07.45

Quasi - rezonansowy dwufazowy przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie

Piotr ZIMOCH

nr katalogowy: 112466

10.15199/48.2018.03.22

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7

Utlenianie węglika krzemu: charakteryzacja procesu i metody symulacji kinetyki

nr katalogowy: 85802

10.15199/ELE-2014-086

Sterowniki bramkowe dla tranzystorów z węglika krzemu (SiC) - przegląd rozwiązań

nr katalogowy: 67716

Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET

nr katalogowy: 139279

10.15199/48.2022.09.19

Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET

nr katalogowy: 139279

10.15199/48.2022.09.19

Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET

nr katalogowy: 139279

10.15199/48.2022.09.19

Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET

nr katalogowy: 139279

10.15199/48.2022.09.19

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6

Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-SiC

nr katalogowy: 44770

Three-Level Interleaved Non-isolated DC/DC Converter as a Battery Interface in an EV Charging System with Bipolar DC-Link

nr katalogowy: 143224

10.15199/48.2023.05.35

Three-Level Interleaved Non-isolated DC/DC Converter as a Battery Interface in an EV Charging System with Bipolar DC-Link

nr katalogowy: 143224

10.15199/48.2023.05.35

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9

Zasilacz sterowany cyfrowo z przetwornicą reverse buck

nr katalogowy: 145281

10.15199/48.2023.09.59

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2005-4

Wpływ pojemności wyjściowych tranzystorów typu MOSFET na pracę jednofazowego szeregowego falownika napięcia

Elżbieta SZYCHTA

nr katalogowy: 11694

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-10

Porównanie charakterystyk statycznych bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu

nr katalogowy: 87375

10.15199/ELE-2014-184

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-4

Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia

nr katalogowy: 91022

10.15199/48.2015.04.31

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-11

Dobór tranzystorów falownika 300VDC/100kHz do pracy w podwójnym mostku aktywnym

nr katalogowy: 63898

Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

nr katalogowy: 93253

10.15199/48.2015.09.29

Wpływ zastosowania elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu na charakterystyki przetwornicy buck

nr katalogowy: 55737

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-3

Experimental evaluation of GaN Gate Injection Transistors

nr katalogowy: 89892

10.15199/48.2015.03.03

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2

Trójfazowy falownik prądu PWM z tranzystorami SiC JFET

nr katalogowy: 50172

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-2

Falownik klasy DE 13,56MHz/500W ze sterownikiem typu flyback

nr katalogowy: 49953

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-9

Wpływ parametrów źródła sygnału sterującego na właściwości przetwornicy Buck

nr katalogowy: 54295

MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2012-2

Tranzystory IGBT w układach mocy

nr katalogowy: 66866

Sterowanie bazujące na sprzężeniu od wektora zmiennych stanu z ograniczeniami serwonapędem z silnikiem PMSM

nr katalogowy: 112463

10.15199/48.2018.03.19

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11

Niskonapięciowy filtr analogowy CMOS wykorzystujący konwerter ujemnoimpedancyjny

WALDEMAR JENDERNALIK

nr katalogowy: 39674

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-9

A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results

Wiesław Kordalski

nr katalogowy: 86751

10.15199/ELE-2014-131

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET

nr katalogowy: 115220

10.15199/48.2018.08.17

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-5

Considerations on SiC MOSFET TSEP-based junction temperature measurement routines in practical use

nr katalogowy: 148591

10.15199/48.2024.05.06

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-8

Simulation and Hardware implementation of Novel Controller in electric vehicle applications to improve system efficiency

nr katalogowy: 149763

10.15199/48.2024.08.42

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-2

IDEALNY PRZEŁĄCZNIK Z SiC JFET WG POWER ELECTRONIC NEWS DECEMBER 2022

nr katalogowy: 142119

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-6

Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN

Piotr PAZIEWSKI

nr katalogowy: 132304

10.15199/48.2021.06.31

PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2013-21-22

Tranzystor po sześćdziesiątce

Marek Bielski

nr katalogowy: 80497

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-11

SMIS - nowa struktura unipolarna

nr katalogowy: 21495

Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC

nr katalogowy: 142226

10.15199/48.2023.03.02

Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC

nr katalogowy: 142226

10.15199/48.2023.03.02

Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC

nr katalogowy: 142226

10.15199/48.2023.03.02

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10

Spis treści / contents

nr katalogowy: 63430

Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych

Damian Bisewski

nr katalogowy: 139281

10.15199/48.2022.09.21

Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych

Damian Bisewski

nr katalogowy: 139281

10.15199/48.2022.09.21

Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych

Damian Bisewski

nr katalogowy: 139281

10.15199/48.2022.09.21

Wysokosprawne przekształtniki podwyższające DC/DC mocy w systemach fotowoltaicznych

Jakub DAWIDZIUK

nr katalogowy: 67690

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

NAJMNIEJSZA REZYSTANCJA KANAŁU

nr katalogowy: 141637

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-10

Impulsy elektryczne wielkiej mocy z subnanosekundowym czasem narastania

Paweł SZCZUPAK

nr katalogowy: 87436

10.12915/pe.2014.10.20

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-1

Niskonapięciowy prostownik synchroniczny z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN

nr katalogowy: 103222

10.15199/48.2017.01.50

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-10

Rozwój konstrukcji i technologii jonoczułych tranzystorów polowych

nr katalogowy: 1221

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-11

Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC

nr katalogowy: 95200

10.15199/13.2015.11.13

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-7

Flexible Rogowski current probes in measurements of ultra-fast SiC MOSFET modules – limitations and challenges

nr katalogowy: 149502

10.15199/48.2024.07.01

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

Stany elektronowe w tranzystorze jednoelektronowym formowanym w heterostrukturze GaAs-AlxGa1-x As

nr katalogowy: 9003

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-5

Analysis of CMOS circuits having multiple DC operating points

nr katalogowy: 59946

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-7

Detektory promieniowania sub-THz budowane z użyciem krzemowych tranzystorów typu MOSFET

Paweł Kopyt

nr katalogowy: 92658

10.15199/13.2015.7.8

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-9

PRZEMYSŁOWE AKCELERATORY ELEKTRONÓW I ICH ZASTOSOWANIA W TECHNOLOGIACH RADIACYJNYCH ZASTOSOWANIE TECHNOLOGII RADIACYJNYCH DO MODYFIKACJI PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH – WDROŻENIA PRZEMYSŁOWE

Sylwester Bułka

nr katalogowy: 145197

10.15199/13.2023.9.4

Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L

nr katalogowy: 93235

10.15199/48.2015.09.01

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-3

Quasi-two-level method as an universal approach for voltage balancing of series-connected SiC MOSFETs

Rafał KOPACZ

nr katalogowy: 147725

10.15199/48.2024.03.03

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-4

Modelowanie kinetyki procesu utleniania termicznego węglika krzemu

nr katalogowy: 51408

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7

Charakteryzacja przyrządów kluczujących pod względem zastosowania w generatorach ultradźwiękowych dużej mocy

nr katalogowy: 85765

10.15199/ELE-2014-049

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-1

Problematyka modelowania w programie SPICE charakterystyk stałoprądowych elektroizolowanych diodowych modułów mocy zawierających diody typu PiN oraz diody typu FRED

nr katalogowy: 65218

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu

nr katalogowy: 62687

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-12

Start-up of SSTC semiconductor tesla coil - an example of an educational project

nr katalogowy: 95278

10.15199/48.2015.12.42

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2007-12

Małosygnałowy elektrotermiczny model przetwornicy boost

nr katalogowy: 32124

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-8

Technologia tranzystorów HEMT na bazie azotku galu do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy i energoelektronice

nr katalogowy: 100445

10.15199/13.2016.8.14

MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2012-6

Jednoatomowy tranzystor

nr katalogowy: 72500

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10

Wpływ doboru rdzenia dławika na nieizotermiczne charakterystyki przetwornicy buck

nr katalogowy: 63243

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-6

Układy dopasowania L-C oraz L-LC w falownikach klasy D do nagrzewania indukcyjnego - teoria i praktyka

nr katalogowy: 98777

10.15199/48.2016.06.02

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-6

Pojemności pasożytnicze w układach energoelektronicznych

nr katalogowy: 126573

10.15199/48.2020.06.14

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11

Wyznaczanie statycznych charakterystyk w układach tranzystorowych z wykorzystaniem symulatora analizy dynamicznej SPICE

nr katalogowy: 39673

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-12

Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS

nr katalogowy: 134785

10.15199/48.2021.12.39

DC-Coupled Extreme Fast Charging for Electric Vehicles Using DAB Converter

nr katalogowy: 143195

10.15199/48.2023.05.06

DC-Coupled Extreme Fast Charging for Electric Vehicles Using DAB Converter

nr katalogowy: 143195

10.15199/48.2023.05.06

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT

Joanna SZELĄGOWSKA

nr katalogowy: 115223

10.15199/48.2018.08.20

PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2008-5

Tranzystor - 60 lat minęło i co dalej?

nr katalogowy: 35331

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2018-1

Stan technologii mikrofalowych elementów z azotku galu

nr katalogowy: 111808

10.15199/13.2018.1.4

Wykorzystanie metody Neldera-Meada do identyfikacji wartości parametrów niequasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS

nr katalogowy: 93274

10.15199/48.2015.09.50

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Hybrydowe łączniki półprzewodnikowe złożone z Si – IGBT i diod Schottky’ego z SiC

nr katalogowy: 62711

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-1a

Hybrid IGBT-IGCT Switch

nr katalogowy: 65331

Three-phase inverter with SiC JFETs and Schottky diodes

nr katalogowy: 55707

Analysis and design of high efficiency DC/DC buck converter

nr katalogowy: 98193

10.15199/48.2016.05.29

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-11

Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty

Mirosław MIKOŁAJEWSKI

nr katalogowy: 116859

10.15199/48.2018.11.19

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-6

Quasi - rezonansowy przekształtnik podwyższający napięcie z dławikiem sprzężonym

Michał HARASIMCZUK

nr katalogowy: 106218

10.15199/48.2017.06.18

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-12

Wpływ domieszkowania na właściwości węglika krzemu (SiC) - przegląd

Katarzyna Racka-Szmidt

nr katalogowy: 95862

10.15199/13.2015.12.14

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-12a

A Modified Energy Conservation Circuit for Chopper fed DC Motor Drive

nr katalogowy: 73113

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10

Diody Schottky'ego z SiC w falownikach napięcia z krzemowymi tranzystorami MOSFET- badania eksperymentalne

nr katalogowy: 63349

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2018-12

Wykorzystanie układu DC/AC/DC do przekształcania energii OŹE

nr katalogowy: 117573

10.15199/74.2018.12.1

AURA 2010-6

WIADOMOŚCI Z INTERNETU

Adam WIECZOREK

nr katalogowy: 52191

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-2

Bezstykowy hybrydowy ogranicznik prądów zwarciowych

nr katalogowy: 103835

10.15199/48.2017.02.57

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2008-12

Analiza prądu w przewodzie uziomowym w silnikach indukcyjnych zasilanych z przemienników częstotliwości

Piotr Zientek

nr katalogowy: 39806

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-11

Ocena technologii montażu tranzystorów IGBT w obudowie TO-220 przez testy trwałości

nr katalogowy: 134133

10.15199/48.2021.11.21

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9

Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky’ego

nr katalogowy: 37981

ATEST - OCHRONA PRACY 2015-7

"Tranzystory"

Aleksander Stukowski

nr katalogowy: 92310

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-12

Jednołącznikowy falownik napięciowy klasy E w zastosowaniu do nagrzewania indukcyjnego – topologia, cykle pracy oraz koncepcja sterowania modelu układu – Część II

nr katalogowy: 81438

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8

Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)

nr katalogowy: 37485

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3

Modeling the ballistic and tunnel source-drain currents in Silicon Nanowire MOSFETs

nr katalogowy: 58382

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2

Nowe zadania pomiarów ostrzowych w procesie wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych

nr katalogowy: 66162

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9

Modelowanie stałoprądowych charakterystyk tranzystorów SiC-MOS mocy w programie SPICE

nr katalogowy: 145282

10.15199/48.2023.09.60

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-11

Optymalizacja procesu osadzania nanowarstw krzemianów baru metodą MOCVD

Marzena Mitoraj

nr katalogowy: 64043

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2011-10

Lampa oświetlenia awaryjnego LED sterowana mikrokontrolerem

nr katalogowy: 62897

Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC

nr katalogowy: 142231

10.15199/48.2023.03.07

Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC

nr katalogowy: 142231

10.15199/48.2023.03.07

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-10

A New Input Clamped Bi-directional Boost Converter for Electric Vehicle Charging with Unity Power Factor

nr katalogowy: 94018

10.15199/48.2015.10.28

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-3

Trójfazowy dwupoziomowy falownik napięcia z łagodnym przełączaniem tranzystorów odpornym na zakłócenia sterowania

nr katalogowy: 97028

10.15199/48.2016.03.36

Parametry tranzystorów GaN HEMT - wyniki I etapu projektu PolHEMT

nr katalogowy: 93279

10.15199/48.2015.09.55

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1

Studies of the feasibility of using global and local optimization methods in MOSFET characterization

nr katalogowy: 32588

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-7

Modelowanie tranzystorów SiC-MOS

nr katalogowy: 45506

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-7

Badania walidacyjne stanowiska do monokrystalizacji SiC

nr katalogowy: 91943

Dwukierunkowy przekształtnik DC/AC/DC z izolacją galwaniczną i rezonansem szeregowym

Paweł BUŁKOWSKI

nr katalogowy: 98188

10.15199/48.2016.05.24

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-11

A numeric simulation of transient thermal field in a transistorradiator system and its verification by measurements

nr katalogowy: 80871

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-10

Wykorzystanie metody Taguchi'ego do optymalizacji procesu ultra-płytkiej implantacji fluoru i azotu z plazmy w. cz.

nr katalogowy: 79977

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-12

Konwerter DC-DC z falownikiem klasy E współpracującym z transformatorem o dzielonym uzwojeniu wtórnym

nr katalogowy: 146742

10.15199/48.2023.12.43

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-1

Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE

nr katalogowy: 117991

:10.15199/48.2019.01.54

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-6

Analiza wpływu uszkodzeń falownika na trajektorie pojazdu mobilnego z silnikami PM BLDC

Marcin SKÓRA

nr katalogowy: 84717

10.12915/pe.2014.06.026

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-7

Układ sterowania stanowiska do monokrystalizacji SiC jako element systemu CIM

nr katalogowy: 61161

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-1

Właściwości diod Schottky`ego z węglika krzemu (SiC) w warunkach przekształcania energii elektrycznej z wysoką częstotliwością

nr katalogowy: 57455

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-6

Wysokosprawny przekształtnik sieciowy AC-DC z łącznikami z węglika krzemu wspomagający diodowe systemy napędowe

Szymon PIASECKI

nr katalogowy: 98782

10.15199/48.2016.06.07

Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym

nr katalogowy: 142230

10.15199/48.2023.03.06

Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym

nr katalogowy: 142230

10.15199/48.2023.03.06

Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym

nr katalogowy: 142230

10.15199/48.2023.03.06

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-3

Heat calculations for water-cooled radiators of the inverter for induction heating

Jerzy ZGRAJA

nr katalogowy: 97023

10.15199/48.2016.03.31

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2013-8

Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE

nr katalogowy: 78254

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-6

DC-DC converter based on silicon carbide (SiC) power devices with P+ based current controller

nr katalogowy: 98779

10.15199/48.2016.06.04

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-12

Minimizing the switching energy losses in high-voltage MOFSET transistors operating in a hard-switching mode

nr katalogowy: 95849

10.15199/13.2015.12.2

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-10

Selecting the best power device for power electronics circuit design through gate charge characterisation

nr katalogowy: 94548

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-7

Badanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką

nr katalogowy: 107472

10.15199/48.2017.07.19

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-5

A Synchronous Resonant Switched-Capacitor DC-DC Boost Converter - Experimental Results And Feasibility Model

nr katalogowy: 113568

10.15199/48.2018.05.24

Zastosowanie i wpływ koncentratora pola magnetycznego w procesie hartowania indukcyjnego kół zębatych

Piotr Legutko

nr katalogowy: 140391

10.15199/48.2022.11.61

Zastosowanie i wpływ koncentratora pola magnetycznego w procesie hartowania indukcyjnego kół zębatych

Piotr Legutko

nr katalogowy: 140391

10.15199/48.2022.11.61

Zastosowanie i wpływ koncentratora pola magnetycznego w procesie hartowania indukcyjnego kół zębatych

Piotr Legutko

nr katalogowy: 140391

10.15199/48.2022.11.61

Zastosowanie i wpływ koncentratora pola magnetycznego w procesie hartowania indukcyjnego kół zębatych

Piotr Legutko

nr katalogowy: 140391

10.15199/48.2022.11.61