Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 9

Wpływ procesu wygrzewania wysokotemperaturowego na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO2/n-4H-SiC (0001)

nr katalogowy: 62688

Węglik krzemu (SiC) jest jednym z najbardziej obiecujących materiałów do stosowania w urządzeniach przeznaczonych do pracy w wysokich temperaturach, nawet 700…800°C [1]. Półprzewodnik ten charakteryzuje się dużymi wartościami krytycznego pola elektrycznego, przewodności cieplnej oraz maksymalnej prędkości unoszenia nośników w porównaniu z krzemem. Ponadto materiał ten, jako jedyny pośród innych materiałów o szerokiej przerwie zabronionej, może być poddany procesom utleniania termicznego, tworząc wysokiej jakości (z punktu widzenia właściwości objętościowych) dielektryk (SiO2). Dobrze znany z technologii krzemowej proces utleniania termicznego jest jednym z najlepiej opanowanych procesów technologicznych. Zdolność węglika krzemu do formowania naturalnego SiO2 wzbudziła duże zainteresowanie tym materiałem już w latach dziewięćdziesiątych ubiegłego stulecia. Wytworzenie wysokiej jakości dielektryka jest krytyczne z punktu widzenia zastosowania węglika krzemu w nowoczesnych przyrządach dużej mocy. Właściwości elektryczne interfejsu SiO2/SiC wytwarzanego w procesie utleniania termicznego i tworzącego strukturę MOS zależą między innymi od: przygotowania powierzchni, atmosfery utleniającej, atmosfery procesu wygrzewania po utlenianiu. W literaturze zaproponowanych zostało wiele różnych technik utleniania SiC, mających na celu poprawę tempa wzrostu warstwy tlenku oraz jakości otrzymywanego interfejsu SiO2/SiC [2-6]. Mimo to, nie powstała standardowa procedura pozwalająca wytworzyć tlenek termiczny o porównywalnych parametrach elektrycznych z tlenkiem wytwarzanym na krzemie. W niniejszym artykule zaproponowano i doświadczalnie zweryfikowano sześć różnych technologii procesu wygrzewania wysokotemperaturowego warstwy SiO2 wytwarzanej na podłożu 4H-SiC w procesie utleniania termicznego. Przeanalizowany został wpływ atmosfery i czasu procesu wygrzewania wysokotemperaturowego, prowadzonego po procesie utleniania, na jakość otrz[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 62688 "Wpływ procesu wygrzewania..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma