Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2018 - zeszyt 7

Badania quasi - rezonansowego dwufazowego przekształtnika typu boost z zaworami Si i SiC

Interleaved quasi–resonant boost converter with Si and SiC devices

10.15199/48.2018.07.45

Piotr ZIMOCH

nr katalogowy: 114685
10.15199/48.2018.07.45

Streszczenie

Artykuł opisuje badania sprawności dwufazowego przekształtnika DC/DC boost ZVS. W układzie zastosowano trzy warianty zaworów: tranzystorów i diod Si, wariant mieszany – tranzystory SiC MOSFET i diody Si, oraz wariant „full SiC” z tranzystorami SiC MOSFET i diodami SiC Schottky. Średnio uzyskano wzrost sprawności o około 7 punktów procentowych po zastosowaniu SiC MOSFET i wzrost o dalsze 0,9 p.p. po wprowadzeniu diod SiC.

Abstract

The paper presents results of efficiency measurement of a 600 kHz interleaved, zero-voltage switching, two-phase boost converter. Three sets of semiconductor devices were used: silicon MOSFETs and diodes, SiC MOSFETs and Si diodes, and a “full SiC” set with SiC MOSFETs and SiC diodes. On average efficiency had risen nearly 7 percentage points after implementing SiC MOSFETs and a further 0,9 p.p. increase was recorded after using SiC Schottky diodes.

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] Elasser A., Chow T.P, Silicon Carbide Benefits and Advantages for Power Electronics Circuits and Systems, Proc. of the IEEE, 90 (2002), n.6, 969-986
[2] Rąbkowski J., Peftitsis D., Nee H.P., Silicon Carbide Power Transistors: A New Era in Power Electronics Is Initiated, IEEE Industrial Electronics Magazine, 6 (2012), n.2, 17-26
[3] Biela J., Schweizer M., Waffler S., Kolar J.W., SiC versus Si - Evaluation of Potentials for Performance Improvement of Inverter and DC/DC Converter Systems by SiC Power Semiconductors, IEEE Transactions on Industrial Electronics, 58 (2011), n.7, 2872-2882
[4] Hazra S., Madhusoodhanan S., Bhattacharya S., Moghaddam, G.K., Hatua K., Design considerations and performance evaluation of 1200 V, 100 A SiC MOSFET based converter for high power density application, Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 15-19 Sept. 2013, Denver, USA
[5] Zheng C., Yiying Y., Danilovic M., Boroyevich D., Performance evaluation of SiC power MOSFETs for high-temperature applications, 2012 15th International Power Electronics and Motion Control Conference (EPE/PEMC), 4-6 Sept. 2012, Novi Sad, Serbia
[6] Zimoch P., Quasi - rezonansowy dwufazowy przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie, Przegląd Elektrotechniczny, 94 (2018), n.3, 116-119
[7] STMicroelectronics, STW65N80K5 Power MOSFET Datasheet
[8] STMicroelectronics, SCT30N120 SiC Power MOSFET Datasheet
[9] Fairchild Semiconductor, RURG3060 Ultrafast Diode Datasheet
[10] STMicroelectronics, STPSC1006 Power Schottky SiC Diode Datasheet

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 114685 "Badania quasi - rezonanso..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2018-7 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2018-7

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma