Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 7

Wpływ wygrzewania na jakość warstw SiO2 wytwarzanych na podłożach 4H-SiC metodą utleniania termicznego

nr katalogowy: 61156

Węglik krzemu (SiC) jest półprzewodnikowym materiałem szerokopasmowym, charakteryzującym się bardzo korzystnymi właściwościami elektrofizycznymi, w porównaniu do powszechnie wykorzystywanego krzemu, dla zastosowań w elektronice wysokotemperaturowej oraz wysokich częstotliwości. Na szczególną uwagę zasługuje przede wszystkim dziesięciokrotnie wyższa w porównaniu z krzemem wartość krytycznego pola elektrycznego, ale także duża przewodność cieplna, duża prędkość unoszenia elektronów przy wysokich wartościach pola elektrycznego oraz duża odporność na promieniowanie [1]. Jedną z podstawowych zalet tego materiału z punktu widzenia technologii wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych, predysponującą go do zastosowań w mikroelektronice, jest możliwość wytwarzania naturalnego dielektryka w postaci SiO2 w procesie utleniania termicznego. Cechy tej nie posiadają inne wykorzystywane dzisiaj półprzewodnikowe materiały szerokopasmowe. Niestety, chociaż proces utleniania termicznego jest bardzo dobrze poznany w przypadku technologii krzemowej, utlenianie SiC jest procesem złożonym i wieloetapowym. Otrzymywane w ten sposób tlenki termiczne na węgliku krzemu charakteryzują się parametrami uniemożliwiającymi otrzymywanie przyrządów unipolarnych o parametrach porównywalnych z przyrządami krzemowymi. Główną przeszkodą w otrzymywaniu tlenków termicznych o dobrych właściwościach jest powstawanie zanieczyszczeń węglowych w postaci agregatów węglowych, w szczególności dimerów węglowych oraz międzywęzłowych atomów krzemu i węgla, emitowanych pod wpływem naprężeń związanych z przebudową powstającego tlenku [2]. Skutkuje to dużą gęstością aktywnych elektrycznie pułapek o poziomach energetycznych zlokalizowanych wewnątrz przerwy zabronionej SiC. W celu redukcji ilości pułapek powstających w czasie utleniania zaproponowano przeprowadzanie serii wygrzewań niskotemperaturowych w atmosferze tlenowej, prowadzonych w temperaturze niższej niż temperatura u[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 61156 "Wpływ wygrzewania na jako..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-7 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-7

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma