Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 12

Wytwarzanie i charakteryzacja warstw SiO2 na powierzchni SiC metodą utleniania termicznego

nr katalogowy: 64792

Węglik krzemu (SiC) jest związkiem posiadającym bardzo dobre (korzystne) właściwości fizyczne i elektryczne (duża chemiczna stabilność, wysoka termiczna przewodność i ruchliwość elektronów), które pozwalają wytworzonym elektronicznym elementom pracować w wyższych temperaturach niż elementy wykonane z krzemu lub GaAs. Szeroka przerwa zabroniona SiC (~3 eV) jest przyczyną występowania mniejszych prądów upływu i wyższych napięć przebicia półprzewodnikowych przyrządów elektronicznych. Z powodu tych właściwości SiC jest używany do wytwarzania przyrządów wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości. Jest też uważany za idealny materiał dla zastosowań, w których takie atrybuty jak twardość, i sztywność, odporność na utlenianie w podwyższonej temperaturze odgrywa ważną rolę. Jest wiele politypów SiC posiadających różne charakterystyki. Najczęściej stosowanymi politypami są 4H-SiC i 6H-SiC. Wytwarzanie przyrządów elektronicznych zwykle wymaga wzrostu grubej warstwy tlenkowej. Tworzenie warstwy tlenkowej na powierzchni SiC może być prowadzone za pomocą osadzania chemicznego lub utleniania termicznego. W tej pracy koncentrujemy się na procesie utleniania termicznego, które prowadzi do powstania warstwy pasywacyjnej (ochronnej) SiO2 lub izolacji elektrody bramki (przyrządy MOS). Elektryczna jakość interfejsu SiC/SiO2 wytworzonego metodą termicznego utleniania powierzchni SiC zależy od wielu czynników. Między innymi od przygotowania powierzchni przed procesem oraz od środowiska utleniania (w suchym O2 czy parze wodnej), temperatury, typu domieszki w podłożu, koncentracji, orientacji krystalograficznej, politypu SiC, a także od warunków wygrzewania po utlenianiu. Kinetyka utleniania SiC, w porównaniu do Si jest wciąż mało poznana i zrozumiana. Prędkość utleniania SiC jest znacznie niższa niż krzemu, a jakość interfejsu SiC/SiO2 znacznie gorsza niż Si/SiO2. Chemiczne trawienie powierzchni SiC przed procesem utleniania prowadzi do polepszenia wł[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 64792 "Wytwarzanie i charakteryz..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-12 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-12

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma