Twój Koszyk

Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz

nr katalogowy: 112460

10.15199/48.2018.03.16

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET

nr katalogowy: 126978

10.15199/48.2020.07.12

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10

Diody Schottky'ego z węglika krzemu w falownikach napięcia z tranzystorami MOSFET- badania symulacyjne

nr katalogowy: 63350

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-1

Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC

Krzysztof PRZYBYŁA

nr katalogowy: 111563

10.15199/48.2018.01.33

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10

Badania falownika napięcia z węglikowo - krzemowymi tranzystorami JFET o charakterystykach mieszanych

nr katalogowy: 80152

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

nr katalogowy: 79301

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-1

Dwugałęziowy przekształtnik prądu stałego z tranzystorami SiC MOSFET do bateryjnego magazynu energii o napięciu 1.5 kV

nr katalogowy: 147110

10.15199/48.2024.01.30

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10

Diody Schottky'ego z SiC w falownikach napięcia z krzemowymi tranzystorami MOSFET- badania eksperymentalne

nr katalogowy: 63349

Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC

nr katalogowy: 112455

10.15199/48.2018.03.11

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-8

Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu

nr katalogowy: 108540

10.15199/48.2017.08.28

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Charakterystyki statyczne i parametry tranzystorów MOSFET mocy z krzemu i z węglika krzemu

nr katalogowy: 70992

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9

Jednoczesny, dwuczęstotliwościowy falownik do nagrzewania indukcyjnego o strukturze półmostka SiC MOSFET

Kamil KIEREPKA

nr katalogowy: 115822

10.15199/48.2018.09.23

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-11

Analityczny opis nieliniowej pojemności wysokonapięciowych łączników energoelektronicznych przy wyznaczaniu strat energii

nr katalogowy: 87748

10.12915/pe.2014.11.22

Problematyka komutacji nieoptymalnych w pojedynczym szeregowym dwuczęstotliwościowym jednoczesnym falowniku do nagrzewania indukcyjnego

nr katalogowy: 112456

10.15199/48.2018.03.12

Dynamic performance evaluation of ultra-fast SiC MOSFET power module – a comprehensive approach

nr katalogowy: 143222

10.15199/48.2023.05.33

Dynamic performance evaluation of ultra-fast SiC MOSFET power module – a comprehensive approach

nr katalogowy: 143222

10.15199/48.2023.05.33

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-1

Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu

nr katalogowy: 96282

10.15199/13.2016.1.8

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu

nr katalogowy: 62666

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10

Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost

nr katalogowy: 63244

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-12

Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS

nr katalogowy: 134785

10.15199/48.2021.12.39

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Aktywna metoda kontroli rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach SiC MOSFET w łączniku 3,3 kV

Przemysław TROCHIMIUK

nr katalogowy: 126981

10.15199/48.2020.07.15

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-11

Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC

nr katalogowy: 95200

10.15199/13.2015.11.13

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9

Charakterystyki DC tranzystorów MOSFET SiC oraz Si pracujących w obszarze silnego przewodzenia, w szerokim zakresie temperatur

nr katalogowy: 70993

Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC

nr katalogowy: 142226

10.15199/48.2023.03.02

Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC

nr katalogowy: 142226

10.15199/48.2023.03.02

Hybrydowa koncepcja łagodzenia stromości zmian napięcia du/dt dla wielopoziomowych przekształtników kaskadowych SiC

nr katalogowy: 142226

10.15199/48.2023.03.02

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7

Utlenianie węglika krzemu: charakteryzacja procesu i metody symulacji kinetyki

nr katalogowy: 85802

10.15199/ELE-2014-086

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2024-7

PORÓWNANIE CHARAKTERYSTYK PRZETWORNICY SEPIC ZAWIERAJĄCEJ TRANZYSTORY MOSFET WYKONANE Z KRZEMU I WĘGLIKA KRZEMU

Michał Downar-Zapolski

nr katalogowy: 149636

10.15199/13.2024.7.8

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-7

Flexible Rogowski current probes in measurements of ultra-fast SiC MOSFET modules – limitations and challenges

nr katalogowy: 149502

10.15199/48.2024.07.01

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9

Modelowanie stałoprądowych charakterystyk tranzystorów SiC-MOS mocy w programie SPICE

nr katalogowy: 145282

10.15199/48.2023.09.60

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-5

Considerations on SiC MOSFET TSEP-based junction temperature measurement routines in practical use

nr katalogowy: 148591

10.15199/48.2024.05.06

DC-DC converter based on silicon carbide (SiC) power devices with P+ based current controller

nr katalogowy: 98779

10.15199/48.2016.06.04

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-12

Procesy łączeniowe tranzystorów MOSFET w mostkach wysokonapięciowych

nr katalogowy: 73355

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Hybrydowe łączniki półprzewodnikowe złożone z Si – IGBT i diod Schottky’ego z SiC

nr katalogowy: 62711

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu

nr katalogowy: 62687

Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym

nr katalogowy: 142230

10.15199/48.2023.03.06

Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym

nr katalogowy: 142230

10.15199/48.2023.03.06

Trójfazowy 4-gałęziowy falownik SiC w napędzie z wysokoobrotowym silnikiem indukcyjnym

nr katalogowy: 142230

10.15199/48.2023.03.06

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-12

Stanowisko do monokrystalizacji SiC

nr katalogowy: 40368

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-6

Pojemności pasożytnicze w układach energoelektronicznych

nr katalogowy: 126573

10.15199/48.2020.06.14

Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC

nr katalogowy: 142231

10.15199/48.2023.03.07

Przekształtnik SiC DC-DC z transformatorem macierzowym do pokładowych ładowarek baterii akumulatorów taboru 3kV DC

nr katalogowy: 142231

10.15199/48.2023.03.07

Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET

nr katalogowy: 112454

10.15199/48.2018.03.10

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2

Trójfazowy falownik prądu PWM z tranzystorami SiC JFET

nr katalogowy: 50172

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9

Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky’ego

nr katalogowy: 37981

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2

Modelowanie izotermicznych oraz nieizotermicznych statycznych charakterystyk diod MPS z węglika krzemu

nr katalogowy: 50195

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8

Symulacje elektryczne diod Schottky'ego oraz tranzystorów RESURF JFET i RESURF MOSFET na podłożach z węglika krzemu (SiC)

nr katalogowy: 37485

MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2011-4

Półprzewodniki dużej mocy

nr katalogowy: 61349

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-5

Analysis of CMOS circuits having multiple DC operating points

nr katalogowy: 59946

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-3

Quasi-two-level method as an universal approach for voltage balancing of series-connected SiC MOSFETs

Rafał KOPACZ

nr katalogowy: 147725

10.15199/48.2024.03.03

Opis procesu wyłączania tranzystora MOSFET w przekształtnikach wysokiej częstotliwości

Piotr GRZEJSZCZAK

nr katalogowy: 98196

10.15199/48.2016.05.32

Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz)

Jacek RĄBKOWSKI

nr katalogowy: 98173

10.15199/48.2016.05.09

MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2012-2

Tranzystory IGBT w układach mocy

nr katalogowy: 66866

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6

Optymalizacja konstrukcji i modelowanie tranzystora RESURF LJFET w 4H-SiC

nr katalogowy: 44770

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9

Zasilacz sterowany cyfrowo z przetwornicą reverse buck

nr katalogowy: 145281

10.15199/48.2023.09.59

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-2

Wykorzystanie modeli symulacyjnych do wyznaczania strat łączeniowych w tranzystorach podwójnego mostka aktywnego

nr katalogowy: 82722

10.12915/pe.2014.02.48

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-11

electronica 2020

nr katalogowy: 129208

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2013-8

Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE

nr katalogowy: 78254

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-12

Wpływ domieszkowania na właściwości węglika krzemu (SiC) - przegląd

Katarzyna Racka-Szmidt

nr katalogowy: 95862

10.15199/13.2015.12.14

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-3

Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SiC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT

nr katalogowy: 50822

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-10

Porównanie charakterystyk statycznych bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu

nr katalogowy: 87375

10.15199/ELE-2014-184

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-1

SiC-Based Magnetic-less DC-DC Converter with Wide Temperature Range Operation

nr katalogowy: 129831

10.15199/48.2021.01.10

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2

Analiza stanów awaryjnych w trójfazowych falownikach z tranzystorami SiC-JFET

nr katalogowy: 58280

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-4

Modelowanie kinetyki procesu utleniania termicznego węglika krzemu

nr katalogowy: 51408

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Liniowy wzmacniacz mocy na pasmo 26-29 MHz z tranzystorami przełącznikowymi

nr katalogowy: 79333

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-7

Układ sterowania stanowiska do monokrystalizacji SiC jako element systemu CIM

nr katalogowy: 61161

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-7

Badania walidacyjne stanowiska do monokrystalizacji SiC

nr katalogowy: 91943

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

nr katalogowy: 141641

10.15199/13.2023.1.3

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

nr katalogowy: 141641

10.15199/13.2023.1.3

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1

ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC

nr katalogowy: 141641

10.15199/13.2023.1.3

Three-Level Interleaved Non-isolated DC/DC Converter as a Battery Interface in an EV Charging System with Bipolar DC-Link

nr katalogowy: 143224

10.15199/48.2023.05.35

Three-Level Interleaved Non-isolated DC/DC Converter as a Battery Interface in an EV Charging System with Bipolar DC-Link

nr katalogowy: 143224

10.15199/48.2023.05.35

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2018-12

Wyznaczanie strat cieplnych wydzielanych w tranzystorach mocy typu MOSFET

nr katalogowy: 117574

10.15199/74.2018.12.2

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-4

Falownik klasy D-ZVS 300 kHz/1,5 kW do nagrzewania indukcyjnego – możliwości pracy w klasie D i DE

Marcin KASPRZAK

nr katalogowy: 76294

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-2a

Falownik klasy DE 8 MHz/300 W z rezonansowym sterownikiem klasy D o sinusoidalnym kształcie napięcia bramkowego

Marcin KASPRZAK

nr katalogowy: 74394

Sterowanie bazujące na sprzężeniu od wektora zmiennych stanu z ograniczeniami serwonapędem z silnikiem PMSM

nr katalogowy: 112463

10.15199/48.2018.03.19

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-1

Właściwości diod Schottky`ego z węglika krzemu (SiC) w warunkach przekształcania energii elektrycznej z wysoką częstotliwością

nr katalogowy: 57455

Wysokosprawny przekształtnik sieciowy AC-DC z łącznikami z węglika krzemu wspomagający diodowe systemy napędowe

Szymon PIASECKI

nr katalogowy: 98782

10.15199/48.2016.06.07

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-10

Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN

nr katalogowy: 109838

10.15199/48.2017.10.21

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9

Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC

nr katalogowy: 79296

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-1

Investigations of thermal parameters of GaAs and SiC MESFETs

nr katalogowy: 58350

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-10

Charakterystyki i parametry tranzystora SiC BJT

nr katalogowy: 150788

10.15199/48.2024.10.62

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-8

Process-oriented suboptimal controller for SiC bulk crystal growth system

Marek Orzyłowski

nr katalogowy: 70156

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-5

Szeregowy, dwuczęstotliwościowy falownik do nagrzewania indukcyjnego z pojedynczym mostkiem tranzystorowym typu H - problemy komutacji nieoptymalnych

nr katalogowy: 113574

10.15199/48.2018.05.30

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-1

Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC

nr katalogowy: 103250

10.15199/48.2017.01.78

Układy dopasowania L-C oraz L-LC w falownikach klasy D do nagrzewania indukcyjnego - teoria i praktyka

nr katalogowy: 98777

10.15199/48.2016.06.02

Pomiary termiczne dla weryfikacji wartości strat łączeniowych w półprzewodnikowych przyrządach mocy

nr katalogowy: 67712

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET

nr katalogowy: 115220

10.15199/48.2018.08.17

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-12

Modelowanie charakterystyk Cj(u) tranzystora SiC-JFET

Kamil BARGIEŁ

nr katalogowy: 129283

10.15199/48.2020.12.26

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-11

Dobór tranzystorów falownika 300VDC/100kHz do pracy w podwójnym mostku aktywnym

nr katalogowy: 63898

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-1

Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE

nr katalogowy: 117991

:10.15199/48.2019.01.54

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-12

Sterownik bramkowy dla tranzystorów SiC pracujących w układzie mostka

nr katalogowy: 73368

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7

Charakteryzacja przyrządów kluczujących pod względem zastosowania w generatorach ultradźwiękowych dużej mocy

nr katalogowy: 85765

10.15199/ELE-2014-049

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-1

Problematyka modelowania w programie SPICE charakterystyk stałoprądowych elektroizolowanych diodowych modułów mocy zawierających diody typu PiN oraz diody typu FRED

nr katalogowy: 65218

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a

Model regulatora impulsowego współpracującego z synchroniczną przetwornicą dc-dc

Krzysztof GÓRECKI

nr katalogowy: 55751

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a

Wpływ zastosowania elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu na charakterystyki przetwornicy buck

nr katalogowy: 55737

Analysis and design of high efficiency DC/DC buck converter

nr katalogowy: 98193

10.15199/48.2016.05.29

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT

Joanna SZELĄGOWSKA

nr katalogowy: 115223

10.15199/48.2018.08.20

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10

Spis treści / contents

nr katalogowy: 63430

DC-Coupled Extreme Fast Charging for Electric Vehicles Using DAB Converter

nr katalogowy: 143195

10.15199/48.2023.05.06

DC-Coupled Extreme Fast Charging for Electric Vehicles Using DAB Converter

nr katalogowy: 143195

10.15199/48.2023.05.06

Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET

nr katalogowy: 139279

10.15199/48.2022.09.19

Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET

nr katalogowy: 139279

10.15199/48.2022.09.19

Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET

nr katalogowy: 139279

10.15199/48.2022.09.19

Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET

nr katalogowy: 139279

10.15199/48.2022.09.19

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Procesy trawienia suchego ICP w plazmie BCl3 cienkich warstw HfO2 wytworzonych techniką reaktywnego rozpylania katodowego

nr katalogowy: 62680

Realizacja praktyczna układu do pomiaru parametrów cieplnych tranzystorów MOS mocy

Spis treści / Contents

nr katalogowy: 98822

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-1

nr katalogowy: 135360

10.15199/48.2022.01.29

Falownik klasy DE 13,56 MHz/450 W – wpływ nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora Mosfet na sterowanie metodą AM

Marcin KASPRZAK

nr katalogowy: 67705

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-5

Symulacja termiczna sterownika bramkowego tranzystora MOSFET mocy pracującego z częstotliwością 30 MHz

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 137339

10.15199/48.2022.05.09

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-5

Symulacja termiczna sterownika bramkowego tranzystora MOSFET mocy pracującego z częstotliwością 30 MHz

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 137339

10.15199/48.2022.05.09

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-5

Wysokoczęstotliwościowe drajwery tranzystorów MOSFET mocy

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 84489

10.12915/pe.2014.05.051

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-7

Parallel operation of MOSFET and IGBT transistors in resonant mode converter

nr katalogowy: 53442

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-4

Wysokoczęstotliwościowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 97605

10.15199/48.2016.04.07

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-12

Wytwarzanie i charakteryzacja warstw SiO2 na powierzchni SiC metodą utleniania termicznego

nr katalogowy: 64792

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2005-4

Wpływ pojemności wyjściowych tranzystorów typu MOSFET na pracę jednofazowego szeregowego falownika napięcia

Elżbieta SZYCHTA

nr katalogowy: 11694

Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia

nr katalogowy: 67683

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-11

Obszerna klasa obwodów zawierających tranzystory MOS z krótkim kanałem

nr katalogowy: 1242

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9

Analityczny opis łączeniowych strat energii w wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET pracujących w mostku

nr katalogowy: 93236

10.15199/48.2015.09.12

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-11

Optymalizacja procesu osadzania nanowarstw krzemianów baru metodą MOCVD

Marzena Mitoraj

nr katalogowy: 64043

WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2011-10

Lampa oświetlenia awaryjnego LED sterowana mikrokontrolerem

nr katalogowy: 62897

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-9

Wysokosprawny sterownik bramkowy 4xUCC27516 pracujący w zakresie częstotliwości do 30MHz

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 150384

10.15199/48.2024.09.45

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC

nr katalogowy: 62685

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2016-6

WPŁYW DODATKU MIEDZI ORAZ ZAWARTOŚCI FAZY UMACNIAJĄCEJ SiC NA MIKROSTRUKTURĘ I TWARDOŚĆ KOMPOZYTÓW Al-SiC

ANNA WĄSIK BEATA LESZCZYŃSKA-MADEJ MARCIN MADEJ

nr katalogowy: 99103

10.15199/67.2016.6.5

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-12b

Wysokoczęstotliwościowy przekształtnik z tranzystorami SiC JFET

Sebastian GIZIEWSKI

nr katalogowy: 73211

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-3

Korozja stopu AZ91 i kompozytów typu AZ91/SiC w roztworze Ringera

nr katalogowy: 66331

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-5

Książki

nr katalogowy: 35110

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2024-5

OBWODY ZASILANIA TRANZYSTORÓW POLOWYCH ZŁĄCZOWYCH

nr katalogowy: 148751

Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 112457

10.15199/48.2018.03.13

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8

Problematyka określenia sprawności niskostratnych drajwerów pracujących z częstotliwością 30 MHz

nr katalogowy: 115231

10.15199/48.2018.08.28

Power Losses in PWM Inverters using Silicon Carbide Devices

Jakub DAWIDZIUK

nr katalogowy: 67689

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-6

Problem zwarć skrośnych w scalonych sterownikach bramkowych pracujących z częstotliwością 30 MHz

Piotr LEGUTKO

nr katalogowy: 114161

10.15199/48.2018.06.13

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11

Niskonapięciowy filtr analogowy CMOS wykorzystujący konwerter ujemnoimpedancyjny

WALDEMAR JENDERNALIK

nr katalogowy: 39674

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2004-11

Domieszkowanie MgB2 nanokrystalicznym SiC przy zastosowaniu mieszania w wysokim ciśnieniu gazu obojętnego i izostatycznego

nr katalogowy: 3929

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-9

A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results

Wiesław Kordalski

nr katalogowy: 86751

10.15199/ELE-2014-131

Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET

Sebastian GIZIEWSKI

nr katalogowy: 67697

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-1

Niskonapięciowy prostownik synchroniczny z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN

nr katalogowy: 103222

10.15199/48.2017.01.50

Dwukierunkowy przekształtnik DC/AC/DC z izolacją galwaniczną i rezonansem szeregowym

Paweł BUŁKOWSKI

nr katalogowy: 98188

10.15199/48.2016.05.24

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10

Przegląd metod czyszczenia powierzchni podłoży SiC

nr katalogowy: 122738

10.15199/48.2019.10.35

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-7-8

Badania optyczne politypów 6H-SiC oraz 15R-SiC poddanych wielokrotnej implantacji jonami glinu w podwyższonej temperaturze

nr katalogowy: 37486

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2007-4

Wpływ nanocząstek SiC na właściwości mechaniczne i ochronne powłok lakierowych

MAŁGORZATA ZUBIELEWICZ

nr katalogowy: 25496

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-11

Odporność korozyjna kompozytu na osnowie stopu magnezu AM50 umacnianego cząstkami SiC

nr katalogowy: 72695

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-5

ANALIZA PARAMETRÓW PROCESU WYTWARZANIA KOMPOZYTÓW Al-SiC

nr katalogowy: 76633

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2016-7

WPŁYW ATMOSFERY SPIEKANIA ORAZ ZAWARTOŚCI FAZY UMACNIAJĄCEJ SiC NA MIKROST RUKTURĘ I WŁAŚCIWOŚCI MECHANICZNE KOMPOZYTÓW AlCu-Si

nr katalogowy: 99667

10.15199/67.2016.7.5

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9

Comparative molecular dynamics studies of Si, GaN and SiC thermal conductivity

Bohdan ANDRIYEVSKY

nr katalogowy: 93226

10.15199/48.2015.09.02

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-6

Sterowanie falownika klasy DE metodą PWM-FM

Marcin KASPRZAK

nr katalogowy: 84707

10.12915/pe.2014.06.016

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Evaluation of SiC and GaN FETs in Zero-Voltage Switching Interleaved Boost Converters

Piotr ZIMOCH

nr katalogowy: 122100

10.15199/48.2019.09.40

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-2

Spektroskopia pojemnościowa głębokich poziomów defektowych (DLTS) w diodach Schottky’ego z węglika krzemu (4H-SiC) implantowanych jonami

nr katalogowy: 66140

MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2013-2

Tranzystory polowe mocy

nr katalogowy: 75417

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6

Ocena parametrów statycznych diod Schottky’ego z SiC

nr katalogowy: 44768

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2021-8

NOWA FALA GaN I SIC

nr katalogowy: 133104

Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych

Damian Bisewski

nr katalogowy: 139281

10.15199/48.2022.09.21

Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych

Damian Bisewski

nr katalogowy: 139281

10.15199/48.2022.09.21

Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych

Damian Bisewski

nr katalogowy: 139281

10.15199/48.2022.09.21

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-6

Analiza wpływu uszkodzeń falownika na trajektorie pojazdu mobilnego z silnikami PM BLDC

Marcin SKÓRA

nr katalogowy: 84717

10.12915/pe.2014.06.026

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6

Właściwości elektryczne i mechaniczne metalizacji kontaktowych Ni i Ti oraz wytworzonych na nich połączeń drutowych do n-SiC

nr katalogowy: 44771

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7

Trójpoziomowy przekształtnik podwyższający napięcie z obwodem quasi-impedancyjnym i tranzystorami GaN HEMT

nr katalogowy: 126985

10.15199/48.2020.07.19

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2

Reactive ion etching of 4H-SiC with BCl3 plasma

nr katalogowy: 130178

10.15199/48.2021.02.14

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9

Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)

nr katalogowy: 86921

10.12915/pe.2014.09.24

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Trawienia półprzewodników szerokoprzerwowych GaN i SiC

nr katalogowy: 62662

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6

Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu

nr katalogowy: 44772

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2006-11

Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC) i ich zastosowania w energoelektronice

nr katalogowy: 21990

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3

Modelowanie charakterystyk I-U tranzystora MOS na węgliku krzemu 4H-SIC oraz 6H-SiC

nr katalogowy: 8989

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2012-11

Właściwości korozyjne kompozytu typu stop aluminium A359-SiC po wielokrotnym procesie przetopu

nr katalogowy: 72692

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2014-3

Wpływ rozdrobnienia proszku fazy osnowy na mikrostrukturę i właściwości mechaniczne kompozytu ziarnistego SiC-TiB2

nr katalogowy: 85034

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2013-8

CHARAKTERYSTYKA WŁAŚCIWOŚCI KOMPOZYTU AK52/SiC UZYSKANEGO METODĄ IMPULSOWO-PLAZMOWEGO SPIEKANIA

nr katalogowy: 78635

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3

Thermal stability of SiC MOS transistors

WITOLD J. STEPOWICZ

nr katalogowy: 58376

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2015-7

EFFECT OF PLASTIC DEFORMATION ON THE MICROSTRUCTURE, SIZE AND DISTRIBUTION OF SiC REINFORCING PARTICLES IN THE CAST F3K.10S COMPOSITE

PAWEŁ KURTYKA

nr katalogowy: 92509

10.15 199/67.2015.7.3

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2018-2

CHARAKTERYSTYKA KOMPOZYTÓW Al-Cu/SiC SPIEKANYCH W PRÓŻNI

nr katalogowy: 112329

10.15199/67.2018.2.2

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-9

SiC - materiał dla elektroniki

nr katalogowy: 16309

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-1

Badanie własności grubowarstwowego kontaktu srebro-węglik krzemu modyfikowanego wiązką laserową

nr katalogowy: 135367

10.15199/48.2022.01.36

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Wpływ procesu wygrzewania wysokotemperaturowego na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO2/n-4H-SiC (0001)

nr katalogowy: 62688

RUDY I METALE NIEŻELAZNE 2019-8

UMOCNIENIE ODKSZTAŁCENIOWE KOMPOZYTÓW Z STOPU ALUMINIUM 6061+SiC

nr katalogowy: 121961

10.15199/67.2019.8.1

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a

Wpływ modelu tranzystora MOS na charakterystyki przetwornicy BOOST w stanie ustalonym

nr katalogowy: 55713

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-7

Detektory promieniowania sub-THz budowane z użyciem krzemowych tranzystorów typu MOSFET

Paweł Kopyt

nr katalogowy: 92658

10.15199/13.2015.7.8

PRZEMYSŁ CHEMICZNY 2014-8

Structure and properties of composite Ni-P/SiC surface layers produced by chemical reduction on aluminum and its alloys Struktura i właściwości warstw kompozytowych Ni-P/SiC wytwarzanych metodą redukcji chemicznej na aluminium i jego stopach

Maria Trzaska

nr katalogowy: 86088

10.12916/przemchem.2014.1286

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-1

Mechanical and thermal properties of SiC - ceramics substrate interface

nr katalogowy: 65204

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-9

Formation of Ni/Si based ohmic contacts to n-type 4H-SiC

nr katalogowy: 54288

INŻYNIERIA MATERIAŁOWA 2015-6

Dobór składu fazowego kompozytu na bazie stopu AlSi pod kątem możliwości kształtowania powierzchni roboczych tłoków

nr katalogowy: 95638

10.15199/28.2015.6.35

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9

Spis treści / Contents

nr katalogowy: 93297

OCHRONA PRZED KOROZJĄ 2010-3

Antykorozyjne elektrolityczne nanostrukturalne powłoki kompozytowe

BENIGNA SZEPTYCKA

nr katalogowy: 50700

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-11

Węglik krzemu w energoelektronice – nadzieje i ograniczenia

Włodzimierz JANKE

nr katalogowy: 63894

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9

Badania elektronomikroskopowe kontaktów omowych do węglika krzemu wytwarzanych na bazie niklu

nr katalogowy: 62663

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-8

Example of Inrush Current Elimination After Connection of High Input DC Voltage

nr katalogowy: 127352

10.15199/48.2020.08.20

CHŁODNICTWO 2017-4-5

Danfoss i General Electric łączą siły

nr katalogowy: 106015

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-9

Termiczne formowanie tytanowych kontaktów omowych do węglika krzemu 4H-SiC

nr katalogowy: 122097

10.15199/48.2019.09.37

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-6

Wpływ obwodów odciążających na łączeniowe straty energii w przekształtnikach wysokiej częstotliwości

nr katalogowy: 126576

10.15199/48.2020.06.17

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-6

Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN

Piotr PAZIEWSKI

nr katalogowy: 132304

10.15199/48.2021.06.31

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-12

Start-up of SSTC semiconductor tesla coil - an example of an educational project

nr katalogowy: 95278

10.15199/48.2015.12.42