Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 9

Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC

nr katalogowy: 62685

Węglik krzemu (SiC) jako materiał do budowy przyrządów półprzewodnikowych wykazuje kilka istotnych zalet w stosunku do krzemu. Mają na to wpływ przede wszystkim lepsze właściwości elektryczne (np. duże pola przebicia) i termiczne (np. dobra przewodność cieplna) jak również szeroka przerwa zabroniona, zależna od politypu (3C-2.36, 4H-3.23 eV) [1]. Polityp 3C-SiC ma mniejszą przerwę energetyczną niż polityp 4H-SiC co powoduje, że jego pola przebicia są mniejsze. Natomiast w tranzystorach z węglika krzemu 3C-SiC uzyskuje się większą o rząd wielkości ruchliwość nośników w kanale, dzięki temu, że pułapki brzegowe (near interface traps) występują w tym przypadku w paśmie przewodnictwa podczas gdy w politypie 4H-SiC pułapki te występują w przerwie zabronionej [2, 3]. Przewiduje się, że koszt wytwarzania 3C-SiC będzie niższy w porównaniu z innymi politypami ze względu na możliwość produkcji na standardowym podłożu krzemowym [4]. Cechy te sprawiają, że węglik krzemu 3C-SiC jest odpowiednim materiałem na przyrządy pracujące dla średnich napięć (600, 1200 V) i dla wysokich częstotliwości pracy. Zrozumienie właściwości fizycznych struktury MOS na podłożu 3C-SiC jest ważne w celu optymalizacji i dalszego rozwoju urządzeń elektronicznych. Niniejsza praca przedstawia wyniki pomiarów parametrów elektrycznych struktur MOS na podłożach 3C-SiC różniących się metalizacją bramki (Al, Ni oraz Au). Do tego celu wykorzystano szereg metod elektrycznych, optycznych i fotoelektrycznych, a także użyto odpowiednich metod obliczeniowych. Wszystkie te zabiegi miały na celu określenie i porównanie schematów pasmowych dla różnych struktur MOS. Dane eksperymentalne Kondensatory MOS wytworzone zostały na 3" płytce 3C-SiC(n) o orientacji (001). Warstwa epitaksjalna typu n o grubości ok. 10 μm została na powierzchni domieszkowana azotem na poziomie 2~3⋅1015 cm-3. Warstwa tlenku SiO2 wytworzona została przy użyciu zaawansowanego procesu utleniania. [...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 62685 "Określanie schematów pasm..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma