Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 11

Optymalizacja procesu osadzania nanowarstw krzemianów baru metodą MOCVD

Marzena Mitoraj

nr katalogowy: 64043

W ciągu ostatnich kilkudziesięciu lat miniaturyzacja urządzeń elektronicznych była jedną z głównych sił napędowych rozwoju tej dziedziny przemysłu [1]. Zmniejszanie rozmiarów urządzeń elektronicznych jest nieodzownie związane ze zmniejszaniem rozmiarów układów scalonych oraz zwiększaniem ilości informacji jaka może być zapisana na pojedynczym chipie [2]. Już w 1965 roku Gordon Moor w swojej pracy [3] przewidział, że ilość tranzystorów jaka może być umieszczona na pojedynczy chipie, będzie się podwajać co dwa lata. Głównym elementem składowym półprzewodnikowych układów scalonych są tranzystory typu MOSFET. W tego typu tranzystorach warstwę izolatora (zwanego także tlenkiem bramki) spełniał dotychczas dwutlenek krzemu, posiadający wiele właściwości czyniących go doskonałym dielektrykiem [4]. Jednak w miarę zmniejszania się rozmiarów tranzystorów, a co za tym idzie grubości warstwy izolatora do ok. 3…4 nm, dwutlenek krzemu traci właściwości dobrego izolatora i następuje znaczący wzrost tzw. prądu upływu [5]. Wzrost prądu upływu powoduje zaś niekorzystne zwiększenie zużycia mocy. Redukcja grubości SiO2 zwiększa pojemność całego układu, a więc stosując w miejsce tlenku krzemu inny materiał o wysokiej stałej dielektrycznej (k > 3,9) można uzyskać tą samą pojemność przy większej grubości warstwy, unikając pojawienia się wysokiego prądu upływu. Materiały o wysokiej stałej dielektrycznej zwane są z języka angielskiego materiałami high-k [6]. Materiały high-k, które mogłyby zastąpić dwutlenek krzemu, muszą posiadać wiele innych cech (min. stabilność w obecności krzemu, dostatecznie wysoka przerwa energetyczna, łatwość otrzymywania), które umożliwiałyby ich zastosowanie jako tlenki bramki. W literaturz[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 64043 "Optymalizacja procesu osa..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-11 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-11

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma