Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AURA
AUTO MOTO SERWIS
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
GAZETA CUKROWNICZA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
ODZIEŻ
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
OPAKOWANIE
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Menu
Menu
Menu
Prenumerata
Prenumerata
Publikacje
Publikacje
Drukarnia
Drukarnia
Kolportaż
Kolportaż
Reklama
Reklama
O nas
O nas
ui-button
Twój Koszyk
Twój koszyk jest pusty.
Niezalogowany
Niezalogowany
Zaloguj się
Zarejestruj się
Reset hasła
Baza publikacji
Formularz wyszukiwania
Szukany tekst
Szukaj tylko w tych wybranych czasopismach
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Wyszukaj
Zobacz przykłady zapytań
title:węgiel
title:"węgiel kamienny"
title:"węgiel kamienny" AND issueYear:2020
authorDesc:"Grzegorz Ojczyk"
authorDesc:"Grzegorz Ojczyk" AND issueYear:2020
abstract:"problemy jakości"
keywords:"węgiel kamienny" AND issueYear:2020
titleAlias:quality
keywordsAlias:"hard coal"
abstractAlias:"food quality"
keywordsAlias:"thermal resistance" AND issueYear:2020
Wynik wyszukiwania
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-5
Książki
nr katalogowy: 35110
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-10
Wpływ zjawiska samonagrzewania na charakterystyki statyczne tranzystorów TrenchMOS
KRZYSZTOF GÓRECKI
JANUSZ ZARĘBSKI
nr katalogowy: 39275
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-7
Tranzystory mocy typu MOS z węglika krzemu
J. Zarębski
nr katalogowy: 1068
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-11
Obszerna klasa obwodów zawierających tranzystory MOS z krótkim kanałem
MICHAŁ TADEUSIEWICZ
STANISŁAW HAŁGAS
nr katalogowy: 1242
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2
Nowa struktura tranzystora unipolarnego mocy SVMOS
ŁUKASZ RUTA
ZBIGNIEW LISIK
ARTUR KALINOWSKI
JACEK PODGÓRSKI
nr katalogowy: 50192
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-12
Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS
Damian BISEWSKI
Emilia LUBICZ-KROŚNICKA
nr katalogowy: 134785
10.15199/48.2021.12.39
modelowanie
MOSFET
SiC
SPICE
modelling
MOSFET
SiC
SPICE
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-10
Porównanie charakterystyk statycznych bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu
JANUSZ ZARĘBSKI
DAMIAN BISEWSKI
JOANNA PATRZYK
nr katalogowy: 87375
10.15199/ELE-2014-184
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9
Modelowanie stałoprądowych charakterystyk tranzystorów SiC-MOS mocy w programie SPICE
Damian BISEWSKI
Emilia LUBICZ-KROŚNICKA
nr katalogowy: 145282
10.15199/48.2023.09.60
modelowanie
MOSFET
węglik krzemu
modelling
MOSFET
silicon carbide
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Estymacja parametrówmodelu Danga tranzystora MOS
JANUSZ ZARĘBSKI
DAMIAN BISEWSKI
nr katalogowy: 44781
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-3b
Minimum Operating Supply Voltage of MCML Circuits
Jianping HU
Haiyan NI
nr katalogowy: 75257
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-5
Parametric fault detection in analog circuits containing MOS transistors
Andrzej KUCZYŃSKI
nr katalogowy: 59959
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Zastosowanie podłoży DBC w praktycznych realizacjach układów elektroniki dużej mocy
Wojciech GRZESIAK
Piotr MAĆKÓW
Tomasz MAJ
Jan KULAWIK
Beata SYNKIEWICZ
Krzysztof WITEK
nr katalogowy: 93237
10.15199/48.2015.09.13
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-4
Badanie wpływu wybranych czynników na parametry cieplne tranzystorów mocy MOS
Krzysztof GÓRECKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 43944
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Modele i makromodele tranzystorów MOS mocy dla programu SPICE
JANUSZ ZARĘBSKI
DAMIAN BISEWSKI
nr katalogowy: 44783
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Charakteryzacja tranzystorów typu FinFET na podstawie analizy statycznych charakterystyk prądowo-napięciowych
JAN GIBKI
LIDIA ŁUKASIAK
ANDRZEJ JAKUBOWSKI
nr katalogowy: 37974
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-6
Oscylator pierścieniowy CMOS jako układ detekcji odkształcenia nanoczułych mikrosond krzemowych
PIOTR DUMANIA
JAN ŁYSKO
HELENA KŁOS
MIROSŁAW GRODNER
KARINA SKWARA
DARIUSZ SZMIGIEL
nr katalogowy: 35676
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC
Mariusz Sochacki
Norbert Kwietniewski
Andrzej Taube
Krystian Król
Jan Szmidt 
nr katalogowy: 79301
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9
Wpływ mozaiki płytki drukowanej na parametry cieplne tranzystorów MOS mocy w obudowach D2PAC
Krzysztof GÓRECKI
Krzysztof POSOBKIEWICZ
nr katalogowy: 145262
10.15199/48.2023.09.40
parametry cieplne
tranzystory MOS mocy
samonagrzewanie
wzajemne sprzężenia cieplne
thermal parameters
power MOSFETs
self-heating
mutual thermal couplings
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2013-2
Tranzystory polowe mocy
nr katalogowy: 75417
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-11
Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC
Krystian Król
Mariusz Sochacki
Michał Waśkiewicz
Jan Szmidt
nr katalogowy: 95200
10.15199/13.2015.11.13
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Model prądu drenu i pojemności w dwubramkowym tranzystorze MOS o krótkim kanale
ANNA SAWICKA
LIDIA ŁUKASIAK
ANDRZEJ JAKUBOWSKI
DANIEL TOMASZEWSKI
nr katalogowy: 58274
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-5
Analysis of CMOS circuits having multiple DC operating points
Stanisław HAŁGAS
Michał TADEUSIEWICZ
nr katalogowy: 59946
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2012-2
Tranzystory IGBT w układach mocy
nr katalogowy: 66866
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Pomiary termiczne dla weryfikacji wartości strat łączeniowych w półprzewodnikowych przyrządach mocy
Mieczysław NOWAK
Piotr GRZEJSZCZAK
Mariusz ZDANOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 67712
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a
Wpływ modelu tranzystora MOS na charakterystyki przetwornicy BOOST w stanie ustalonym
Krzysztof GÓRECKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 55713
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Modelowanie napięcia progowego w niedomieszkowanych dwubramkowych strukturach MOS
PAWEŁ SAŁEK
LIDIA ŁUKASIAK ANDRZEJ JAKUBOWSKI
nr katalogowy: 58262
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2
Modelowanie izotermicznych oraz nieizotermicznych statycznych charakterystyk diod MPS z węglika krzemu
JACEK DĄBROWSKI
JANUSZ ZARĘBSKI
nr katalogowy: 50195
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7
Porównanie parametrów tranzystorów MO SFET wykonanych w technologii Si oraz SiC
WITOLD Kardyś
Krystian Król
nr katalogowy: 85782
10.15199/ELE-2014-066
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-2
IDEALNY PRZEŁĄCZNIK Z SiC JFET WG POWER ELECTRONIC NEWS DECEMBER 2022
nr katalogowy: 142119
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-3
Analiza wpływu samonagrzewania na charakterystyki liniowego stabilizatora napięcia z tranzystorem MOS
KRZYSZTOF GÓRECKI
JANUSZ ZARĘBSKI
nr katalogowy: 41995
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-1
Bipolarne tranzystory mocy wykonane z węglika krzemu
JANUSZ ZARĘBSKI
JOANNA PATRZYK
nr katalogowy: 96282
10.15199/13.2016.1.8
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-8
Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu
Krystian KRÓL
Mariusz SOCHACKI
Norbert KWIETNIEWSKI
Sylwia GIERAŁTOWSKA
Łukasz WACHNICKI
nr katalogowy: 108540
10.15199/48.2017.08.28
high-k
węglik krzemu
SiC
MOSFET
przyrządy mocy
high-k
silicon carbide
SiC
MOSFET
power devices
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Symulacje i modelowanie zaawansowanych struktur tranzystorów HEMT AlGaN/GaN
Andrzej Taube
Mariusz Sochacki
Jan Szmidt
nr katalogowy: 70973
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Liniowy wzmacniacz mocy na pasmo 26-29 MHz z tranzystorami przełącznikowymi
Juliusz Modzelewski
Adam Bartosik
nr katalogowy: 79333
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9
Współczesne tranzystory mocy w impulsowych przekształtnikach napięcia Flyback
Włodzimierz JANKE
Maciej BĄCZEK
Jarosław KRAŚNIEWSKI
nr katalogowy: 115801
10.15199/48.2018.09.02
Tranzystory mocy
HEMT
GaN
Flyback.
Power transistors
HEMT
GaN
Flyback.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-7b
Modelling and Near-Threshold Computing of Power-Gating Adiabatic Logic Circuits
Jianping HU
Qi CHEN
nr katalogowy: 69341
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-9
Wpływ parametrów źródła sygnału sterującego na właściwości przetwornicy Buck
KRZYSZTOF GÓRECKI
KALINA DETKA
nr katalogowy: 54295
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-1
Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC
Piotr CZYŻ
Andrzej REINKE
Michał MICHNA
nr katalogowy: 103250
10.15199/48.2017.01.78
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2007-3
Wyładowania elektrostatyczne w układach scalonych: modele ESD i powodowane zniszczenia
BARTŁOMIEJ PÓŁTORAK
KRZYSZTOF DOMAŃSKI
JACEK SZATKOWSKI
WACŁAW BAŁA
nr katalogowy: 24688
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS
Krzysztof Górecki
Janusz Zarębski
nr katalogowy: 79326
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007-1
Udoskonalony układ RLC do magnesowania magnesów trwałych
Zdzisław ŻYCKI
nr katalogowy: 23439
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-8
Wybrane rozwiązania nowych ograniczników mocy w zastosowaniach elektroniki mikrofalowej
Zenon R. Szczepaniak
nr katalogowy: 78828
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-2a
Optimization of the test conditions for fault detection in nonlinear analog circuits using supply current
Andrzej KUCZYŃSKI
Marek OSSOWSKI
nr katalogowy: 74447
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-1
Realizacja praktyczna układu do pomiaru parametrów cieplnych tranzystorów MOS mocy
Krzysztof POSOBKIEWICZ
Aleksander DATA
Krzysztof GÓRECKI
nr katalogowy: 135360
10.15199/48.2022.01.29
układ pomiarowy
parametry cieplne
tranzystory MOSFET mocy
zjawiska cieplne
measurement set-up
thermal parameters
power MOSFETs
thermal phenomena
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-11
Wzmacniacz mocy dla pasma VHF
Andrzej Arvaniti
Jarosław Popkowski
nr katalogowy: 80712
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2011-4
Półprzewodniki dużej mocy
nr katalogowy: 61349
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO2 i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC
TOMASZ GUTT
TOMASZ MAŁACHOWSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
OLOF ENGSTROM
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62686
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-10
Metody określania napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS
KRZYSZTOF PISKORSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
nr katalogowy: 54971
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008-1
Sterowany integracyjnie falownik rezonansowy z przepływem energii biernej (RCREC)
Jerzy MATYSIK
nr katalogowy: 32346
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC
Paweł Kopyt
Wojciech Wojtasiak
Daniel Gryglewski
nr katalogowy: 79296
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-12
Procesy łączeniowe tranzystorów MOSFET w mostkach wysokonapięciowych
Piotr Grzejszczak
Mieczysław Nowak
Roman Barlik
nr katalogowy: 73355
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-11
electronica 2020
nr katalogowy: 129208
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2017-9
Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy
Damian Trofimowicz
Wiesław Kordalski
Tomasz Stefański
nr katalogowy: 109641
10.15199/13.2017.9.2
optymalizacja zagadnień wielowymiarowych
metoda Neldera-Meada
identyfikacja wartości parametrów modelu
modele małosygnałowe tranzystora MOS
optymalizacja zagadnień wielowymiarowych
metoda Neldera-Meada
identyfikacja wartości parametrów modelu
modele małosygnałowe tranzystora MOS
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5
Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz)
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 98173
10.15199/48.2016.05.09
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-11
Projekt laboratoryjnego falownika 3-fazowego sterowanego przy użyciu środowiska symulacyjnego PLECS
Michał DOWNAR-ZAPOLSKI
Andrzej KASPROWICZ
nr katalogowy: 146242
10.15199/48.2023.11.56
falownik trójfazowy
falownik napięcia
PLESC
sterowanie skalarne
silnik indukcyjny
three-phase inverter
voltage inverter
PLECS
scalar control
induction motor
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10
Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost
Janusz Zarębski
Krzysztof Górecki
nr katalogowy: 63244
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9
Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)
Krzysztof PISKORSKI
Henryk M. PRZEWŁOCKI
Mietek BAKOWSKI
nr katalogowy: 86921
10.12915/pe.2014.09.24
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Model naprężonego tranzystora MOS
ZENON GNIAZDOWSKI
nr katalogowy: 58290
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11
Badanie rozkładów przestrzennych napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku UFB w strukturach MOS
KRZYSZTOF PISKORSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
nr katalogowy: 39636
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-8
Weryfikacja możliwości globalnej ekstrakcji parametrów tranzystora MOS z użyciem modelu EKV
ŁUKASZ BARTNIK
JAROSŁAW ARABAS
SŁAWOMIR SZOSTAK
DANIEL TOMASZEWSKI
nr katalogowy: 46381
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7
Charakteryzacja przyrządów kluczujących pod względem zastosowania w generatorach ultradźwiękowych dużej mocy
Krystian Król
Witold Kardyś
Łukasz Krzemiński
Marcin Kiełbasiński
Bohdan Młynarski 
nr katalogowy: 85765
10.15199/ELE-2014-049
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-1
Problematyka modelowania w programie SPICE charakterystyk stałoprądowych elektroizolowanych diodowych modułów mocy zawierających diody typu PiN oraz diody typu FRED
Jacek Dąbrowski
Janusz Zarębski
nr katalogowy: 65218
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4a
Design of Bandgap Core and Startup Circuits for All CMOS Bandgap Voltage Reference
Saweth HONGPRASIT
Worawat SA-NGIAMVIBOOL
Apinan AURASOPON
nr katalogowy: 67674
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-3
Heterostruktury AlGaN/AlN/GaN na podłożach 4H-SiC uzyskane metodą LP MOVPE do zastosowań w technologii tranzystorów HEMT
PIOTR CABAN
WŁODZIMIERZ STRUPIŃSKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 50822
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-4
PODWÓJNA FUNKCJA TRANZYSTORA MOCY MOSFET
nr katalogowy: 142999
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Enhancement of immunity on MeV electron radiation of MOS structures by means of fluorine implantation from r.f. plasma
Małgorzata Kalisz
Robert Mroczyński
nr katalogowy: 70988
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-10
Nowe aspekty zjawisk podłożowych w tranzystorach SOI-MOS
G. Janczyk
nr katalogowy: 1220
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-4
PODWÓJNA FUNKCJA TRANZYSTORA MOCY MOSFET
nr katalogowy: 142999
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Analiza stanów awaryjnych w trójfazowych falownikach z tranzystorami SiC-JFET
JACEK RĄBKOWSKI
MARIUSZ ZDANOWSKI
ROMAN BARLIK
MIECZYSŁAW NOWAK
nr katalogowy: 58280
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-11
Ocena technologii montażu tranzystorów IGBT w obudowie TO-220 przez testy trwałości
Ernest BRZOZOWSKI
Oskar SADOWSKI
Paweł GÓRECKI
Krzysztof GÓRECKI
Ryszard KISIEL
Marek GUZIEWICZ
nr katalogowy: 134133
10.15199/48.2021.11.21
montaż mikroelektroniczny
spiekanie
tranzystor IGBT
test trwałości
assembly
micro-Ag sintering
IGBT
reliability test
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-7
Model teoretyczny tunelowego tranzystora polowego
Piotr Wiśniewski
Bogdan Majkusiak
nr katalogowy: 99873
10.15199/13.2016.7.9
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10
Opracowanie modelu rozkładów parametrów elektrycznych struktury MOS w płaszczyźnie powierzchni okrągłej bramki tej struktury
Krzysztof PISKORSKI
Henryk M. PRZEWŁOCKI
nr katalogowy: 80143
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3
Analiza wpływu parametrów MOS kanału SiGe na charakterystyki C-U kondensatora
L. Łukasiak. A. Jakubowski
nr katalogowy: 9008
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz
Krzysztof PRZYBYŁA
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 112460
10.15199/48.2018.03.16
falownik klasy DE
wysoka częstotliwość
SiC
MOSFET
drajwer
Class DE inverter
high frequency
SiC
MOSFET
driver
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET
Zbigniew KACZMARCZYK
Michał ZELLNER
Krystian FRANIA
nr katalogowy: 112454
10.15199/48.2018.03.10
falowniki rezonansowe
tranzystory MOSFET
nieliniowa pojemność
wysoka częstotliwość
straty mocy
resonant inverters
MOSFET transistors
nonlinear capacitance
high-frequency
power losses
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Wykorzystanie metody Neldera-Meada do identyfikacji wartości parametrów niequasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS
Damian TROFIMOWICZ
Wiesław KORDALSKI
nr katalogowy: 93274
10.15199/48.2015.09.50
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-11
Różnicowa bramka prądowa dla zastosowań układów kryptograficznych
Krzysztof GOŁOFIT
nr katalogowy: 48170
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-4
Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia
Damian BISEWSKI
Krzysztof GÓRECKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 91022
10.15199/48.2015.04.31
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3
Characterization of mos structures with ultrathin insulator layer by means of a theoretical model
BOGDAN MAJKUSIAK
nr katalogowy: 58380
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Charakterystyki statyczne i parametry tranzystorów MOSFET mocy z krzemu i z węglika krzemu
Krzysztof Górecki
Janusz Zarębski
nr katalogowy: 70992
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-7
Modelowanie tranzystorów SiC-MOS
JANUSZ ZARĘBSKI
DAMIAN BISEWSKI
nr katalogowy: 45506
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Modelowanie struktur MOS z podwójną barierą potencjału
ANDRZEJ MAZURAK
JAKUB WALCZAK
BOGDAN. MAJKUSIAK
nr katalogowy: 58267
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Materiały o dużej stałej dielektrycznej w tranzystorach MOS
ANDRZEJ MAZURAK
JAKUB WALCZAK
BOGDAN MAJKUSIAK
nr katalogowy: 37988
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-1
Dwugałęziowy przekształtnik prądu stałego z tranzystorami SiC MOSFET do bateryjnego magazynu energii o napięciu 1.5 kV
Radosław SOBIESKI
Rafał MIŚKIEWICZ
Rafał KOPACZ
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 147110
10.15199/48.2024.01.30
bateryjny magazyn energii
przekształtnik prądu stałego
SiC MOSFET
moduł mocy
battery storage system
DC-DC converter
SiC MOSFET
power module
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-1
Weryfikacja mocy strat w obwodzie bramkowym wybranych tranzystorów MOSFET na bazie Si i SiC
Krzysztof PRZYBYŁA
nr katalogowy: 111563
10.15199/48.2018.01.33
straty mocy
MOSFET
obwód bramkowy
SiC
power losses
MOSFET
gate circuit
SiC.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-3
Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych
Jacek KOWALSKI
nr katalogowy: 136551
10.15199/48.2022.03.01
sieć synchronizowanych oscylatorów
równoległa segmentacja obrazów
etykietowanie
implementacja VLSI CMOS.
synchronized oscillator network
parallel image segmentation
labeling
VLSI CMOS implementation.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-3
Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych
Jacek KOWALSKI
nr katalogowy: 136551
10.15199/48.2022.03.01
sieć synchronizowanych oscylatorów
równoległa segmentacja obrazów
etykietowanie
implementacja VLSI CMOS.
synchronized oscillator network
parallel image segmentation
labeling
VLSI CMOS implementation.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-3
Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych
Jacek KOWALSKI
nr katalogowy: 136551
10.15199/48.2022.03.01
sieć synchronizowanych oscylatorów
równoległa segmentacja obrazów
etykietowanie
implementacja VLSI CMOS.
synchronized oscillator network
parallel image segmentation
labeling
VLSI CMOS implementation.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-3
Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych
Jacek KOWALSKI
nr katalogowy: 136551
10.15199/48.2022.03.01
sieć synchronizowanych oscylatorów
równoległa segmentacja obrazów
etykietowanie
implementacja VLSI CMOS.
synchronized oscillator network
parallel image segmentation
labeling
VLSI CMOS implementation.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-3
Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych
Jacek KOWALSKI
nr katalogowy: 136551
10.15199/48.2022.03.01
sieć synchronizowanych oscylatorów
równoległa segmentacja obrazów
etykietowanie
implementacja VLSI CMOS.
synchronized oscillator network
parallel image segmentation
labeling
VLSI CMOS implementation.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Przekształtniki energoelektroniczne z elementami z węglika krzemu
MIECZYSŁAW NOWAK
JACEK RĄBKOWSKI
ROMAN BARLIK
nr katalogowy: 44767
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-12
Finding multiple DC operating points of simulated submicrometer technology MOS circuits
Michał Tadeusiewicz
Marek Ossowski
nr katalogowy: 81440
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-10
Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy
Andrzej Taube
Eliana Kamińska
Mariusz Sochacki
Anna Piotrowska
nr katalogowy: 94543
10.15199/13.2015.10.5
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-3
Uproszczona metoda obliczania warunków pracy tranzystorów w rezonansowych wzmacniaczach mocy klasy DE
Juliusz Modzelewski
nr katalogowy: 83100
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-12
Wydajne metody chłodzenia małogabarytowych przekształtników o wysokiej gęstości mocy
Andrzej JĄDERKO
Maciej SWADOWSKI
Krzysztof ZYGOŃ
nr katalogowy: 95264
10.15199/48.2015.12.28
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007-II
The magnetic sensitive MOS structures
George CARUNTU
Cornel PANAIT
nr katalogowy: 30402
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-10
Diody Schottky'ego z węglika krzemu w falownikach napięcia z tranzystorami MOSFET- badania symulacyjne
Mieczysław NOWAK
Roman BARLIK
Piotr GRZEJSZCZAK
Jacek RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 63350
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC
KRZYSZTOF PISKORSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62685
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3
Thermal stability of SiC MOS transistors
WITOLD J. STEPOWICZ
nr katalogowy: 58376
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1
ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC
Piotr Paziewski
Marek Suproniuk
Bogdan Perka
Karol Piwowarski
Witold Kaczmarek
nr katalogowy: 141641
10.15199/13.2023.1.3
energoelektronika
przekształtniki DC/ DC
przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie
tranzystory GaN
power electronics
DC/DC converter
boost converter
GaN transistors
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1
ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC
Piotr Paziewski
Marek Suproniuk
Bogdan Perka
Karol Piwowarski
Witold Kaczmarek
nr katalogowy: 141641
10.15199/13.2023.1.3
energoelektronika
przekształtniki DC/ DC
przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie
tranzystory GaN
power electronics
DC/DC converter
boost converter
GaN transistors
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-1
ZASTOSOWANIE TRANZYSTORÓW GaN W PRZEKSZTAŁTNIKACH DC/DC
Piotr Paziewski
Marek Suproniuk
Bogdan Perka
Karol Piwowarski
Witold Kaczmarek
nr katalogowy: 141641
10.15199/13.2023.1.3
energoelektronika
przekształtniki DC/ DC
przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie
tranzystory GaN
power electronics
DC/DC converter
boost converter
GaN transistors
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wpływ procesu wygrzewania wysokotemperaturowego na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO2/n-4H-SiC (0001)
MAŁGORZATA KALISZ
KRYSTIAN KRÓL
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 62688
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-7
Badanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką
Paweł GÓRECKI
Krzysztof GÓRECKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 107472
10.15199/48.2017.07.19
IGBT
SPICE
modelowanie
półprzewodnikowe przyrządy mocy.
IGBT
SPICE
modeling
power semiconductor devices.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-12
Przekształtnik rezonansowy do bezdotykowego transferu energii elektrycznej o jednostkowym współczynniku mocy i miękko przełączających tranzystorach
Jan MUĆKO
nr katalogowy: 48826
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-12
WZROST ZAINTERESOWANIA LIDAREM
nr katalogowy: 129728
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Wzmacniacz mocy z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L
Dawid KUCHTA
Wojciech WOJTASIAK
nr katalogowy: 93253
10.15199/48.2015.09.29
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-12
BADANIA SYMULACYJNE PRZEKSZTAŁTNIKA DC/DC PODWYŻSZAJĄCEGO NAPIĘCIE OPARTEGO O TRANZYSTOR GaN
Piotr Paziewski
nr katalogowy: 141284
10.15199/13.2022.12.4
tranzystory GaN
przekształtnik DC/DC
energoelektronika.
transistors GaN
DC/DC converter
power electronics
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-12
BADANIA SYMULACYJNE PRZEKSZTAŁTNIKA DC/DC PODWYŻSZAJĄCEGO NAPIĘCIE OPARTEGO O TRANZYSTOR GaN
Piotr Paziewski
nr katalogowy: 141284
10.15199/13.2022.12.4
tranzystory GaN
przekształtnik DC/DC
energoelektronika.
transistors GaN
DC/DC converter
power electronics
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2022-12
BADANIA SYMULACYJNE PRZEKSZTAŁTNIKA DC/DC PODWYŻSZAJĄCEGO NAPIĘCIE OPARTEGO O TRANZYSTOR GaN
Piotr Paziewski
nr katalogowy: 141284
10.15199/13.2022.12.4
tranzystory GaN
przekształtnik DC/DC
energoelektronika.
transistors GaN
DC/DC converter
power electronics
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-8
Niskonapięciowy filtr bikwadratowy CMOS, pracujący w trybie prądowym na zakres małych częstotliwości
Tomasz KULEJ
nr katalogowy: 61651
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-6
Przegląd metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy
Wojciech ŚLESZYŃSKI
nr katalogowy: 84718
10.12915/pe.2014.06.027
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a
Mikrokontroler w roli sterownika PWM przetwornicy impulsowej
Jacek CHĘCIŃSKI
Zdzisław FILUS
nr katalogowy: 55720
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Zastosowanie przekształtników AC/DC/AC w urządzeniach stosowanych w procesach obróbki termicznej
PAWEŁ FABIJAŃSKI
KRZYSZTOF ŻOCHOWSKI
nr katalogowy: 58284
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-12
Modelowanie charakterystyk Cj(u) tranzystora SiC-JFET
Kamil BARGIEŁ
nr katalogowy: 129283
10.15199/48.2020.12.26
JFET
węglik krzemu
modelowanie
charakterystyki pojemnościowe
JFET
silicon carbide
modelling
C-V characteristics
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10
Elipsometryczna metoda określania naprężeń w strukturach MOS
Witold Rzodkiewicz
nr katalogowy: 63251
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a
Model regulatora impulsowego współpracującego z synchroniczną przetwornicą dc-dc
Krzysztof GÓRECKI
nr katalogowy: 55751
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-10
Termiczne stany przejściowe w mikrofalowych tranzystorach MESFET z węglika krzemu
WŁODZIMIERZ JANKE
JAROSŁAW KRAŚNIEWSKI
MACIEJ OLEKSY
nr katalogowy: 54973
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-8
Laserowa metoda wykonywania cieczowych mikrowymienników ciepła zintegrowanych z elementami elektronicznymi
Mateusz Tański
Marek Kocik
Robert Barbucha
Jerzy Mizeraczyk
nr katalogowy: 86292
10.15199/ELE-2014-095
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2018-12
Wyznaczanie strat cieplnych wydzielanych w tranzystorach mocy typu MOSFET
Tadeusz Płatek
Marek Niewiadomski
nr katalogowy: 117574
10.15199/74.2018.12.2
układy energoelektroniczne
tranzystory mocy typu MOSFET
wyznaczanie strat cieplnych
power electronic systems
MOSFET power transistors
determination of thermal losses
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Kompleksowa charakteryzacja struktur elektronicznych na podłożach SiC metodami fotoelektrycznymi, elektrycznymi i optycznymi
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
TOMASZ GUTT
KRZYSZTOF PISKORSKI
WITOLD RZODKIEWICZ
PAWEŁ BOROWICZ
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62667
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-4
A novel voltage-to-voltage logarithmic converter with high accuracy
Ahmad GHANAAtTIAN-JAHROMI
Adib ABRISHAMIFAR
Ali MEDI
nr katalogowy: 59150
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Badania właściwości struktur MOS na SiC dla wybranych rozwiązań technologiczno-konstrukcyjnych
Tomasz Gutt
Krzysztof Piskorski
Henryk M. Przewłocki
Paweł Borowicz
nr katalogowy: 70975
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu
ANDRZEJ TAUBE
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 62666
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-1
Niskonapięciowy prostownik synchroniczny z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN
Maciej SWADOWSKI
Krzysztof ZYGOŃ
Andrzej JĄDERKO
nr katalogowy: 103222
10.15199/48.2017.01.50
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2018-1
Stan technologii mikrofalowych elementów z azotku galu
Marcin Góralczyk
Daniel Gryglewski
nr katalogowy: 111808
10.15199/13.2018.1.4
tranzystor mikrofalowy
azotek galu
GaN HEMT
wzmacniacz
MMIC
microwave transistor
gallium nitride
GaN HEMT
amplifier
MMIC
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10
Wyznaczanie temperatury struktury przyrządu półprzewodnikowego w warunkach przeciążeń i zwarć
Andrzej DOMINO
Krzysztof ZYMMER
nr katalogowy: 80169
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN
Andrzej Taube
Jan Szmidt
Anna Piotrowska
Mariusz Sochacki
Eliana Kamińska
nr katalogowy: 79300
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7
Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET
Krzysztof PRZYBYŁA
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 126978
10.15199/48.2020.07.12
falownik klasy DE
wysoka częstotliwość
SiC
GaN
MOSFET
drajwer
Class DE inverter
high frequency
SiC
GaN
MOSFET
driver
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-6
Badania symulacyjne przekształtnika DC/DC podwyższającego napięcie opartego o tranzystor GaN
Piotr PAZIEWSKI
nr katalogowy: 132304
10.15199/48.2021.06.31
tranzystory GaN
przekształtnik DC/DC
energoelektronika.
transistors GaN
DC/DC converter
power electronics.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-11b
Układ polaryzacji tranzystorowego wzmacniacza przeciwsobnego umożliwiający pracę w klasie (A)B
Adam KRISTOF
nr katalogowy: 72268
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10
Badania falownika napięcia z węglikowo - krzemowymi tranzystorami JFET o charakterystykach mieszanych
Mariusz ZDANOWSKI
Jacek RĄBKOWSKI
Marek PATOKA
Roman BARLIK
nr katalogowy: 80152
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-9
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
Wiesław Kordalski
nr katalogowy: 86751
10.15199/ELE-2014-131
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3
Badanie wpływu temperatury na parametry elektryczne struktur MOS
M. Lesko
H. M. Przewłocki
nr katalogowy: 9007
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-10
Rozwój konstrukcji i technologii jonoczułych tranzystorów polowych
B. Jaroszewicz
D. Tomaszewski
A. Kociubiński
M. Nikodem
P. Grabieć
nr katalogowy: 1221
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-10
Model wpływu rozrzutu długości bramek tranzystorów MOS na równomierność rozprowadzania sygnału zegara w buforowanych H-drzewach
D. Kasprowicz
nr katalogowy: 9143
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3
Modelowanie charakterystyk I-U tranzystora MOS na węgliku krzemu 4H-SIC oraz 6H-SiC
J. Stęszewski
A. Jakubowski
nr katalogowy: 8989
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-11
Opracowanie fotoelektrycznej metody badania rozkładu napięcia wyprostowanych pasm w płaszczyźnie powierzchni bramki struktur MOS
K. Piskorski
H.M. Przewłocki
nr katalogowy: 21479
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-4
Modelowanie kinetyki procesu utleniania termicznego węglika krzemu
KRYSTIAN KRÓL
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 51408
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-11
Analityczny opis nieliniowej pojemności wysokonapięciowych łączników energoelektronicznych przy wyznaczaniu strat energii
Piotr GRZEJSZCZAK
Mieczysław NOWAK
Roman BARLIK
nr katalogowy: 87748
10.12915/pe.2014.11.22
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Charakterystyki DC tranzystorów MOSFET SiC oraz Si pracujących w obszarze silnego przewodzenia, w szerokim zakresie temperatur
Aneta Hapka
Włodzimierz Janke
Jarosław Kraśniewski
Maciej Oleksy
nr katalogowy: 70993
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-9
Wzmacniacze dużej mocy GaAs, GaN w systemach radiolokacyjnych na pasmo C
Mariusz Pergoł
Rafał Matuszewski
nr katalogowy: 93944
10.15199/13.2015.9.1
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2006-1
Statyczne przetwornice trakcyjne
Andrzej Baranecki
Tadeusz Płatek
nr katalogowy: 21171
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-10
Wytwarzanie ultracienkich warstw SiO2 za pomocą niskotemperaturowego utleniania w plazmie w. cz.
T. Bieniek
R. B. Beck
A. Jakubowski
A. Kudła
nr katalogowy: 1235
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-10
Wykorzystanie metody Taguchi'ego do optymalizacji procesu ultra-płytkiej implantacji fluoru i azotu z plazmy w. cz.
Małgorzata Kalisz
Robert Mroczyński
nr katalogowy: 79977
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-8
Kompleksowa charakteryzacja nowoczesnych struktur nanoelektronicznych przy użyciu Uniwersalnego Systemu Pomiarów Fotoelektrycznych
K. Piskorski
M. Niemiec
L. Borowicz
H. M. Przewłocki
nr katalogowy: 100440
10.15199/13.2016.8.9
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7
Utlenianie węglika krzemu: charakteryzacja procesu i metody symulacji kinetyki
Krystian Król
Mariusz Sochacki
Jan Szmidt
nr katalogowy: 85802
10.15199/ELE-2014-086
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2004-10
Strategia sterowania falownikiem napięcia bez czasów martwych
Arkadiusz LEWICKI
Zbigniew KRZEMIŃSKI
nr katalogowy: 3873
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10
Wpływ doboru rdzenia dławika na nieizotermiczne charakterystyki przetwornicy buck
Krzysztof Górecki
Kalina Detka
nr katalogowy: 63243
MATERIAŁY BUDOWLANE 2008-11
Nasuwanie wzdłużne - wpływ podpór pośrednich na sprężenie centryczne i nie tylko
Andrzej Berger
Wojciech Radomski
nr katalogowy: 39418
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Modelowanie wybranych efektów krótkiego kanału w dwubramkowym tranzystorze MOS
ANNA SAWICKA
LIDIA ŁUKASIAK
ANDRZEJ JAKUBOWSKI
nr katalogowy: 37993
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-2
Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors
Paweł DERKACZ
Piotr MUSZNICKI
nr katalogowy: 118395
10.15199/48.2019.02.28
Wide Bandgap semiconductors
GaN transistors
power transistors
overcurrent protection
SMPS
gate circuit
półprzewodniki szerokoprzerwowe
tranzystory GaN
tranzystory mocy
zabezpieczenie przeciwprzecia˛z˙eniowe
układy impulsowe
obwód bramkowy
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-9
Badanie wpływu naprężeń mechanicznych na wartość napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS
Krzysztof Piskorski
nr katalogowy: 93957
10.15199/13.2015.9.14
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-7
Badania quasi - rezonansowego dwufazowego przekształtnika typu boost z zaworami Si i SiC
Piotr ZIMOCH
nr katalogowy: 114685
10.15199/48.2018.07.45
energoelektronika
przekształtnik boost
tranzystory SiC MOSFET
przekształtniki quasi - rezonansowe.
power electronics
boost converter
SiC MOSFET
quasi –
resonant converters.
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2007-4
O pomiarach jakości sieci IP
Sławomir KUKLIŃSKI
Michał ŁOPACKI
nr katalogowy: 25486
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9
Zasilacz sterowany cyfrowo z przetwornicą reverse buck
Przemysław PTAK
Krzysztof GÓRECKI
Dawid KLEWER
nr katalogowy: 145281
10.15199/48.2023.09.59
Przetwornica DC-DC
topologia reverse buck
Si
GaN
MOSFET
JFET
DC-DC converter
reverse buck topology
Si
GaN
MOSFET
JFET
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Hybrydowe łączniki półprzewodnikowe złożone z Si – IGBT i diod Schottky’ego z SiC
ROMAN BARLIK
TADEUSZ PŁATEK
JACEK RĄBKOWSKI
nr katalogowy: 62711
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5
Wyznaczanie parametrów cieplnych przyrządów półprzewodnikowych dużej mocy metodą eksperymentalną
Andrzej DOMINO
Piotr MAZUREK
Jan SIKORA
Krzysztof ZYMMER
nr katalogowy: 98210
10.15199/48.2016.05.46
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5
Opis procesu wyłączania tranzystora MOSFET w przekształtnikach wysokiej częstotliwości
Piotr GRZEJSZCZAK
nr katalogowy: 98196
10.15199/48.2016.05.32
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1
Opracowanie fotoelektrycznej metody LPT pomiaru napięcia wyprostowanych pasm UFB w półprzewodniku
KRZYSZTOF PISKORSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
nr katalogowy: 32595
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11
Badania właściwości fizycznych warstwy SiO2 pod bramką aluminiową
LECH BOROWICZ
WITOLD RZODKIEWICZ
MIROSŁAW KULIK
dr PAWEŁ BOROWICZ
nr katalogowy: 39635
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2006-2
Porównanie wykorzystania oraz strat łączników półprzewodnikowych w falownikach wielopoziomowych typu NPC i falownikach kaskadowych mostkowych na napięcie 2.3kV, 3.3kV oraz 4.16kV
nr katalogowy: 18436
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007-II
The magnetic microsensors response
Cornel PANAIT
George CĂRUNTU
nr katalogowy: 30401
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Technologia i zastosowanie warstw tlenko-azotków krzemu wytwarzanych metodą PECVD do struktur pamięciowych z podwójną warstwą dielektryczną (SiOxNy-HfO2)
ROBERT MROCZYŃSKI
ROMUALD B. BECK
nr katalogowy: 37995
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2019-7
KODOWANIE SZEROKOPASMOWEGO SYGNAŁU MOWY Z MAŁYM OPÓŹNIENIEM I ZMIENNĄ PRZEPŁYWNOŚCIĄ BINARNĄ
Przemysław Dymarski
nr katalogowy: 121128
10.15199/59.2019.7.22
CELP
LD-CELP
MOS
zmienna przepływność binarna.
CELP
LD-CELP
MOS
VBR
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8
Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT
Joanna SZELĄGOWSKA
nr katalogowy: 115223
10.15199/48.2018.08.20
tranzystor SJT
węglik krzemu
samonagrzewanie.
SJT
silicon carbide
self-heating phenomenon
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-10
Przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie z wykorzystaniem tranzystora w technologii GaN
Piotr PAZIEWSKI
Henryk SUPRONOWICZ
Marek SUPRONIUK
nr katalogowy: 109838
10.15199/48.2017.10.21
azotek galu GaN
tranzystory GaN
przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie
energoelektronika
gallium nitride GaN
transistors GaN
step-up DC/DC converter
power electronics
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Jednofazowy mostkowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami GaN GIT
Leszek WYDŹGOWSKI
Łukasz J. NIEWIARA
Tomasz TARCZEWSKI
Lech M. GRZESIAK
Marek ZIELIŃSKI
nr katalogowy: 112465
10.15199/48.2018.03.21
tranzystory GaN GIT
przekształtnik DC-AC
sprawność
analiza harmonicznych.
GaN GIT transistors
DC-AC inverter
efficiency
harmonics analysis
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Właściwości i zastosowania tranzystorów HEMT na bazie azotku galu
Włodzimierz JANKE
Wojciech WOJTASIAK
nr katalogowy: 93242
10.15199/48.2015.09.18
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1
Characterization of MOS structures with multilayer high-k insulator
TOMASZ GUTT
nr katalogowy: 32594
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Modelowanie prądu pompowania ładunku w dwubramkowych strukturach MOS z bardzo cienką warstwą aktywną
LIDIA ŁUKASIAK
DANIEL TOMASZEWSKI
ANNA SAWICKA
GRZEGORZ GŁUSZKO
MARCIN IWANOWICZ
ANDRZEJ JAKUBOWSKI
nr katalogowy: 37987
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-11
Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty
Mirosław MIKOŁAJEWSKI
nr katalogowy: 116859
10.15199/48.2018.11.19
wzmacniacz klasy E
tranzystor GaN
kluczowanie ZVS
zabezpieczenie przepięciowe.
Class E amplifier
GaN transistor
ZVS switching
overvoltage protection.
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2007-6
Nowoczesne trakcyjne napędy AC i DC
Emil Gmurczyk
Andrzej Kundera
Marek Niewiadomski
Tadeusz Płatek
nr katalogowy: 27314
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11
Zastosowanie koncepcji homotopii do analizy DC układów tranzystorowych z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania
MICHAŁ TADEUSIEWICZ
STANISŁAW HAŁGAS
nr katalogowy: 39665
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-2
Wykorzystanie modeli symulacyjnych do wyznaczania strat łączeniowych w tranzystorach podwójnego mostka aktywnego
Piotr GRZEJSZCZAK
Mieczysław NOWAK
Roman BARLIK
nr katalogowy: 82722
10.12915/pe.2014.02.48
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-2a
Falownik klasy DE 8 MHz/300 W z rezonansowym sterownikiem klasy D o sinusoidalnym kształcie napięcia bramkowego
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 74394
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-12
Hybrid switch for capacitors bank used in reactive power compensation
Adam RUSZCZYK
Krzysztof KÓSKA
Konrad JANISZ
nr katalogowy: 95239
10.15199/48.2015.12.03
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5
Analysis and design of high efficiency DC/DC buck converter
Piotr FALKOWSKI
Marek KORZENIOWSKI
Adam RUSZCZYK
Krzysztof KÓSKA
nr katalogowy: 98193
10.15199/48.2016.05.29
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Problematyka komutacji nieoptymalnych w pojedynczym szeregowym dwuczęstotliwościowym jednoczesnym falowniku do nagrzewania indukcyjnego
Kamil KIEREPKA
Piotr LEGUTKO
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 112456
10.15199/48.2018.03.12
nagrzewanie indukcyjne
rezonans
jednoczesny falownik dwuczęstotliwościowy
SiC MOSFET
komutacja twarda.
induction heating
resonance
simultaneous dual-frequency inverter
SiC MOSFET
hard switching.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Zastosowanie metody MPAS do określania przekrojów czynnych pułapek powierzchniowych w węgliku krzemu
Tomasz Gutt
Henryk M. Przewłocki
nr katalogowy: 79295
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3
Modeling the charge trapping effect in high-K gate stacks on the tunnel current
ANDRZEJ MAZURAK
BOGDAN MAJKUSIAK
nr katalogowy: 58381
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-10
Morfologia powierzchni międzyfazowych w wielowarstwowych strukturach periodycznych AlGaAs/GaAs
ANNA BARAŃSKA
KAMIL KOSIEL
JUSTYNA KUBACKA-TRACZYK
MACIEJ BUGAJSKI
IWONA PASTERNAK
TOMASZ PŁOCIŃSKI
KRZYSZTOF KURZYDŁOWSKI
nr katalogowy: 54999
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2
Wpływ procesów utleniania i wygrzewania w atmosferze zawieraja˛cej fosfor lub azot na jakos´c´ mie˛dzypowierzchni dielektryk/półprzewodnik w strukturze MOS Ti/SiO2/4H-SiC
Maciej Kamiński
Ernest Brzozowski
Andrzej Taube
Oskar Sadowski
Krystian Król
Marek Guziewicz
nr katalogowy: 130187
SiC
stany powierzchniowe
dielektryk bramkowy
mi˛edzypowierzchnia dielektryk/półprzewodnik
POCl3
NO
SiC
surface states
gate dielectric
semiconductor/dielectric interface
POCl3
NO
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7
Aktywna metoda kontroli rozkładu napięć na szeregowo połączonych tranzystorach SiC MOSFET w łączniku 3,3 kV
Przemysław TROCHIMIUK
nr katalogowy: 126981
10.15199/48.2020.07.15
SiC MOSFET
szeregowe łączenie
aktywne wyrównywanie napięć
SiC MOSFET
series-connection
active voltage sharing
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1
Tranzystory TFT z amorficznego GaN otrzymane na powierzchni krzemowej lub kwarcowej z metalizowanym wzorem
ANDRZEJ JAGODA
BEATA STAŃCZYK
LECH DOBRZAŃSKI
ANNA ROJEK
nr katalogowy: 32596
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2022-8
Początki mikroprocesorów – od tajnych zastosowań wojskowych do rewolucji informatycznej
Jacek Nowicki
nr katalogowy: 138842
10.15199/74.2022.8.3
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2022-8
Początki mikroprocesorów – od tajnych zastosowań wojskowych do rewolucji informatycznej
Jacek Nowicki
nr katalogowy: 138842
10.15199/74.2022.8.3
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2022-8
Początki mikroprocesorów – od tajnych zastosowań wojskowych do rewolucji informatycznej
Jacek Nowicki
nr katalogowy: 138842
10.15199/74.2022.8.3
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-11
Optymalizacja procesu osadzania nanowarstw krzemianów baru metodą MOCVD
Marzena Mitoraj
nr katalogowy: 64043
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-11
Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl2/BCl3
Jacek Gryglewicz
Waldemar Oleszkiewicz
Mateusz Wośko
Adam Szyszka
Bogdan Paszkiewicz
nr katalogowy: 64035
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2011-10
Lampa oświetlenia awaryjnego LED sterowana mikrokontrolerem
Jacek Chęciński
Zdzisław Filus
nr katalogowy: 62897
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-3
Niskonapięciowy wzmacniacz transkonduktancyjny CMOS, sterowany z elektrod podłoża
Tomasz KULEJ
nr katalogowy: 58570
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2023-2
Nowoczesne technologie półprzewodnikowe – optymalizacja wykorzystania energii elektrycznej
Mariusz Sochacki
nr katalogowy: 142084
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-10
System zarządzania laboratorium jako narzędzie archiwizacji i oceny jakościowej wyników pomiarów
TOMASZ MAŁACHOWSKI
WITOLD RZODKIEWICZ
nr katalogowy: 55004
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Porównanie falowników klasy D-ZVS 300 kHz do nagrzewania indukcyjnego z tranzystorami MOSFET na bazie Si oraz SiC
Marcin KASPRZAK
Krzysztof PRZYBYŁA
nr katalogowy: 112455
10.15199/48.2018.03.11
falownik klasy D-ZVS
SiC
MOSFET
równoległe połączenie
Class D-ZVS inverter
SiC
MOSFET
parallel placement
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2011-3
Elektronika organiczna
nr katalogowy: 60235
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2022-8
Początki mikroprocesorów – od tajnych zastosowań wojskowych do rewolucji informatycznej
Jacek Nowicki
nr katalogowy: 138842
10.15199/74.2022.8.3
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Wpływ procesu wygrzewania w atmosferze O2 i N2O na właściwości warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik w kondensatorach MOS Al/SiO2/4H-SiC
Krystian Król
Małgorzata Kalisz
Mariusz Sochacki
Jan Szmidt
nr katalogowy: 70967
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-12
Wytwarzanie i charakteryzacja warstw SiO2 na powierzchni SiC metodą utleniania termicznego
Andrzej Kozłowski
Lech Dobrzański
Marcin Pisarek
Małgorzata Możdżonek
nr katalogowy: 64792
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-9
Symulacje cienkowarstwowych tranzystorów polowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O
Jakub Grochowski
Jakub Kaczmarski
Andrzej Taube
Eliana Kamińska
Anna Piotrowska
nr katalogowy: 86742
10.15199/ELE-2014-122
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH