Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2011 - zeszyt 3

Modeling the charge trapping effect in high-K gate stacks on the tunnel current

nr katalogowy: 58381

High-K dielectrics play a key role in the present MOS technology scaling. One of the obstacles to overcome scaling barriers is improvement of the electrical quality of the substrate- oxide interface and dielectric quality in respect to the space distributed charges. Electrically active traps influence significantly the device electrical characteristics. In this work we discuss an influence of distributed charges in the gate stack on the current-voltage characteristics of the MOS structure. Quantum well trap model A charge trap is modeled as a quantum well of thickness in the range of a few angstroms (Fig. 1). Position of the Fermi level in the quantum well in respect to the substrate corresponds to charging of a trap due to the tunneling and the thermal recombination- generation processes. The tunneling probability is calculated with the use of the transfer matrix method with inclusion of carrier scattering in the well [1]. The scattering rate parameter moderates the impact of the trap on the current transport. High-K gate stack with charges trapped model The modeled gate stack consists of the interfacial SiO2 layer and a high-K dielectric layer. The high-K layer is divided into sections. The trapped charge is modeled as effective charge located at the interlayer planes. For tunneling probability through the multilayer g[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 58381 "Modeling the charge trapp..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2011-3 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2011-3

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma