Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2014 - zeszyt 9

Symulacje cienkowarstwowych tranzystorów polowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O

10.15199/ELE-2014-122

nr katalogowy: 86742
10.15199/ELE-2014-122

W ostatnich latach obserwuje się globalne trendy poszukiwania nowych materiałów dla przemysłu elektronicznego [1]. Tradycyjne materiały, takie jak krzem, nie posiadają wystarczająco dobrych właściwości dla zastosowań między innymi w przezroczystej elektronice [2]. Z drugiej strony, podejście eksperymentalne stosowane do poszukiwania nowych materiałów jest czasochłonne i generuje wysokie koszty. Symulacje komputerowe pozwalają odkrywać właściwości nowych materiałów minimalizując potrzebę prowadzenia prac eksperymentalnych. Dla zastosowań w obszarze elektroniki przezroczystej nowe materiały półprzewodnikowe powinny łączyć wysoką ruchliwość nośników ładunku z wysokim poziomem transmisji optycznej w widzialnym zakresie widma promieniowania elektromagnetycznego. Wymagania te spełniają przezroczyste półprzewodniki tlenkowe o amorficznej mikrostrukturze [3]. Tranzystory cienkowarstwowe (TFT) z kanałem z tych materiałów zyskały zainteresowanie, jako przyrządy sterujące pracą pikseli w płaskich wyświetlaczach [4]. W XXI wieku dostępność i stosunkowo niski koszt mocy obliczeniowej umożliwia zastosowanie komputerowo wspomaganego modelowania materiałów amorficznych o nowej funkcjonalności. W pierwszej części niniejszego opracowania prezentujemy motywację do podjęcia badań w dziedzinie amorficznych półprzewodników tlenkowych, w szczególności nad tlenkiem indowo-galowo-cynkowym (a- IGZO). W dalszej części przedstawiamy przegląd stanu wiedzy w dziedzinie symulacji tranzystorów TFT z kanałem z amorficznego IGZO oraz wyniki naszych badań, w szczególności wyniki obliczeń numerycznych dotyczących wpływu grubości oraz wymiarów geometrycznych kanału, i grubości dielektryka na właściwości elektryczne TFT. Zaprezentujemy ponadto wyniki ekstrakcji krzywej gęstości stanów (DOS) w funkcji energii w kanale tranzystora. Motywacja Zasadniczą motywacją do badań nad amorficznymi półprzewodnikami tlenkowymi jest przekonanie o nieustannie rosnącym znacze[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 86742 "Symulacje cienkowarstwowy..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2014-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2014-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma