Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AURA
AUTO MOTO SERWIS
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
GAZETA CUKROWNICZA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
ODZIEŻ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
Czasopisma
Czasopisma
Czasopisma
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Menu
Menu
Menu
Prenumerata
Prenumerata
Publikacje
Publikacje
Drukarnia
Drukarnia
Kolportaż
Kolportaż
Reklama
Reklama
O nas
O nas
ui-button
Twój Koszyk
Twój koszyk jest pusty.
Niezalogowany
Niezalogowany
Zaloguj się
Zarejestruj się
Reset hasła
Baza publikacji
Formularz wyszukiwania
Szukany tekst
Szukaj tylko w tych wybranych czasopismach
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
Wyszukaj
Zobacz przykłady zapytań
title:węgiel
title:"węgiel kamienny"
title:"węgiel kamienny" AND issueYear:2020
authorDesc:"Grzegorz Ojczyk"
authorDesc:"Grzegorz Ojczyk" AND issueYear:2020
abstract:"problemy jakości"
keywords:"węgiel kamienny" AND issueYear:2020
titleAlias:quality
keywordsAlias:"hard coal"
abstractAlias:"food quality"
keywordsAlias:"thermal resistance" AND issueYear:2020
Wynik wyszukiwania
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2017-9
Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy
Damian Trofimowicz
Wiesław Kordalski
Tomasz Stefański
nr katalogowy: 109641
10.15199/13.2017.9.2
optymalizacja zagadnień wielowymiarowych
metoda Neldera-Meada
identyfikacja wartości parametrów modelu
modele małosygnałowe tranzystora MOS
optymalizacja zagadnień wielowymiarowych
metoda Neldera-Meada
identyfikacja wartości parametrów modelu
modele małosygnałowe tranzystora MOS
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Wykorzystanie metody Neldera-Meada do identyfikacji wartości parametrów niequasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS
Damian TROFIMOWICZ
Wiesław KORDALSKI
nr katalogowy: 93274
10.15199/48.2015.09.50
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Estymacja parametrówmodelu Danga tranzystora MOS
JANUSZ ZARĘBSKI
DAMIAN BISEWSKI
nr katalogowy: 44781
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-6
Modele i makromodele tranzystorów MOS mocy dla programu SPICE
JANUSZ ZARĘBSKI
DAMIAN BISEWSKI
nr katalogowy: 44783
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9
Modelowanie stałoprądowych charakterystyk tranzystorów SiC-MOS mocy w programie SPICE
Damian BISEWSKI
Emilia LUBICZ-KROŚNICKA
nr katalogowy: 145282
10.15199/48.2023.09.60
modelowanie
MOSFET
węglik krzemu
modelling
MOSFET
silicon carbide
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Model prądu drenu i pojemności w dwubramkowym tranzystorze MOS o krótkim kanale
ANNA SAWICKA
LIDIA ŁUKASIAK
ANDRZEJ JAKUBOWSKI
DANIEL TOMASZEWSKI
nr katalogowy: 58274
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-7
Model teoretyczny tunelowego tranzystora polowego
Piotr Wiśniewski
Bogdan Majkusiak
nr katalogowy: 99873
10.15199/13.2016.7.9
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-8
Weryfikacja możliwości globalnej ekstrakcji parametrów tranzystora MOS z użyciem modelu EKV
ŁUKASZ BARTNIK
JAROSŁAW ARABAS
SŁAWOMIR SZOSTAK
DANIEL TOMASZEWSKI
nr katalogowy: 46381
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-4
Badanie wpływu wybranych czynników na parametry cieplne tranzystorów mocy MOS
Krzysztof GÓRECKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 43944
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-7
Modelowanie tranzystorów SiC-MOS
JANUSZ ZARĘBSKI
DAMIAN BISEWSKI
nr katalogowy: 45506
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-12
Ocena dokładności firmowych modeli tranzystorów SiC-MOS
Damian BISEWSKI
Emilia LUBICZ-KROŚNICKA
nr katalogowy: 134785
10.15199/48.2021.12.39
modelowanie
MOSFET
SiC
SPICE
modelling
MOSFET
SiC
SPICE
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a
Wpływ modelu tranzystora MOS na charakterystyki przetwornicy BOOST w stanie ustalonym
Krzysztof GÓRECKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 55713
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Materiały o dużej stałej dielektrycznej w tranzystorach MOS
ANDRZEJ MAZURAK
JAKUB WALCZAK
BOGDAN MAJKUSIAK
nr katalogowy: 37988
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-3
Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych
Jacek KOWALSKI
nr katalogowy: 136551
10.15199/48.2022.03.01
sieć synchronizowanych oscylatorów
równoległa segmentacja obrazów
etykietowanie
implementacja VLSI CMOS.
synchronized oscillator network
parallel image segmentation
labeling
VLSI CMOS implementation.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-3
Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych
Jacek KOWALSKI
nr katalogowy: 136551
10.15199/48.2022.03.01
sieć synchronizowanych oscylatorów
równoległa segmentacja obrazów
etykietowanie
implementacja VLSI CMOS.
synchronized oscillator network
parallel image segmentation
labeling
VLSI CMOS implementation.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-3
Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych
Jacek KOWALSKI
nr katalogowy: 136551
10.15199/48.2022.03.01
sieć synchronizowanych oscylatorów
równoległa segmentacja obrazów
etykietowanie
implementacja VLSI CMOS.
synchronized oscillator network
parallel image segmentation
labeling
VLSI CMOS implementation.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-3
Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych
Jacek KOWALSKI
nr katalogowy: 136551
10.15199/48.2022.03.01
sieć synchronizowanych oscylatorów
równoległa segmentacja obrazów
etykietowanie
implementacja VLSI CMOS.
synchronized oscillator network
parallel image segmentation
labeling
VLSI CMOS implementation.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-3
Analiza układu CMOS oscylatora i sieci synchronizowanych oscylatorów do segmentacji obrazów binarnych
Jacek KOWALSKI
nr katalogowy: 136551
10.15199/48.2022.03.01
sieć synchronizowanych oscylatorów
równoległa segmentacja obrazów
etykietowanie
implementacja VLSI CMOS.
synchronized oscillator network
parallel image segmentation
labeling
VLSI CMOS implementation.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-10
Wykorzystanie metody Taguchi'ego do optymalizacji procesu ultra-płytkiej implantacji fluoru i azotu z plazmy w. cz.
Małgorzata Kalisz
Robert Mroczyński
nr katalogowy: 79977
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Model naprężonego tranzystora MOS
ZENON GNIAZDOWSKI
nr katalogowy: 58290
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2
Nowa struktura tranzystora unipolarnego mocy SVMOS
ŁUKASZ RUTA
ZBIGNIEW LISIK
ARTUR KALINOWSKI
JACEK PODGÓRSKI
nr katalogowy: 50192
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-10
Rozwój konstrukcji i technologii jonoczułych tranzystorów polowych
B. Jaroszewicz
D. Tomaszewski
A. Kociubiński
M. Nikodem
P. Grabieć
nr katalogowy: 1221
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3
Modelowanie charakterystyk I-U tranzystora MOS na węgliku krzemu 4H-SIC oraz 6H-SiC
J. Stęszewski
A. Jakubowski
nr katalogowy: 8989
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-10
Nowe aspekty zjawisk podłożowych w tranzystorach SOI-MOS
G. Janczyk
nr katalogowy: 1220
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Charakteryzacja tranzystorów typu FinFET na podstawie analizy statycznych charakterystyk prądowo-napięciowych
JAN GIBKI
LIDIA ŁUKASIAK
ANDRZEJ JAKUBOWSKI
nr katalogowy: 37974
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Symulacje i modelowanie zaawansowanych struktur tranzystorów HEMT AlGaN/GaN
Andrzej Taube
Mariusz Sochacki
Jan Szmidt
nr katalogowy: 70973
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Symulacje i modelowanie tranzystorów HEMT AlGaN/GaN - wpływ przewodności cieplnej podłoża
Andrzej Taube
Mariusz Sochacki
Jan Szmidt
nr katalogowy: 70972
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS
Krzysztof Górecki
Janusz Zarębski
nr katalogowy: 79326
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-7
Badanie właściwości wybranych modeli tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką
Paweł GÓRECKI
Krzysztof GÓRECKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 107472
10.15199/48.2017.07.19
IGBT
SPICE
modelowanie
półprzewodnikowe przyrządy mocy.
IGBT
SPICE
modeling
power semiconductor devices.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-9
Wpływ parametrów źródła sygnału sterującego na właściwości przetwornicy Buck
KRZYSZTOF GÓRECKI
KALINA DETKA
nr katalogowy: 54295
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-4
Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia
Damian BISEWSKI
Krzysztof GÓRECKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 91022
10.15199/48.2015.04.31
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-10
Metody określania napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS
KRZYSZTOF PISKORSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
nr katalogowy: 54971
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2007-3
Wyładowania elektrostatyczne w układach scalonych: modele ESD i powodowane zniszczenia
BARTŁOMIEJ PÓŁTORAK
KRZYSZTOF DOMAŃSKI
JACEK SZATKOWSKI
WACŁAW BAŁA
nr katalogowy: 24688
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-10
Wpływ rozrzutu technologicznego parametrów tranzystorów MOS mocy na dokładność pomiaru ich rezystancji termicznej
Krzysztof POSOBKIEWICZ
Krzysztof GÓRECKI
nr katalogowy: 150765
10.15199/48.2024.10.39
tranzystory MOS mocy
parametry cieplne
pomiary
rezystancja termiczna
charakterystyki termometryczne
błąd pomiaru
power MOSFETs
thermal parameters
measurements
thermal resistance
thermometric characteristics
measurement error
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8
Czynniki ograniczające dokładność wyznaczania transmitancji impulsowych przekształtników napięcia
Włodzimierz JANKE
nr katalogowy: 115211
10.15199/48.2018.08.08
Impulsowe przekształtniki napięcia
Transmitancje małosygnałowe
Modele uśrednione
Switch-mode power converters
Small-signal transmittances
Averaged models
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-1
Modelowanie tranzystora SiC-JFET w programie PSPICE
Kamil BARGIEŁ
Damian BISEWSKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 117991
:10.15199/48.2019.01.54
tranzystor JFET
węglik krzemu
modelowanie
program PSPICE.
JFET
silicon carbide
modelling
PSPICE
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN
Andrzej Taube
Jan Szmidt
Anna Piotrowska
Mariusz Sochacki
Eliana Kamińska
nr katalogowy: 79300
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2
Wpływ procesów utleniania i wygrzewania w atmosferze zawieraja˛cej fosfor lub azot na jakos´c´ mie˛dzypowierzchni dielektryk/półprzewodnik w strukturze MOS Ti/SiO2/4H-SiC
Maciej Kamiński
Ernest Brzozowski
Andrzej Taube
Oskar Sadowski
Krystian Król
Marek Guziewicz
nr katalogowy: 130187
SiC
stany powierzchniowe
dielektryk bramkowy
mi˛edzypowierzchnia dielektryk/półprzewodnik
POCl3
NO
SiC
surface states
gate dielectric
semiconductor/dielectric interface
POCl3
NO
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych
Damian Bisewski
nr katalogowy: 139281
10.15199/48.2022.09.21
algorytm genetyczny
optymalizacja
modelowanie
MOSFET.
genetic algorithm
optimalization
modelling
MOSFET
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych
Damian Bisewski
nr katalogowy: 139281
10.15199/48.2022.09.21
algorytm genetyczny
optymalizacja
modelowanie
MOSFET.
genetic algorithm
optimalization
modelling
MOSFET
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych
Damian Bisewski
nr katalogowy: 139281
10.15199/48.2022.09.21
algorytm genetyczny
optymalizacja
modelowanie
MOSFET.
genetic algorithm
optimalization
modelling
MOSFET
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-11
Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC
Krystian Król
Mariusz Sochacki
Michał Waśkiewicz
Jan Szmidt
nr katalogowy: 95200
10.15199/13.2015.11.13
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10
Ocena przydatności modeli firmy Infineon do modelowania tranzystorów IGBT
Paweł GÓRECKI
nr katalogowy: 122733
10.15199/48.2019.10.30
IGBT
modelowanie
SPICE
PLECS.
IGBT
modelling
SPICE
PLECS.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-8
Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy buck
KRZYSZTOF GÓRECKI
JANUSZ ZARĘBSKI
nr katalogowy: 61970
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-12
Modelowanie charakterystyk Cj(u) tranzystora SiC-JFET
Kamil BARGIEŁ
nr katalogowy: 129283
10.15199/48.2020.12.26
JFET
węglik krzemu
modelowanie
charakterystyki pojemnościowe
JFET
silicon carbide
modelling
C-V characteristics
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9
Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)
Krzysztof PISKORSKI
Henryk M. PRZEWŁOCKI
Mietek BAKOWSKI
nr katalogowy: 86921
10.12915/pe.2014.09.24
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11
Badanie rozkładów przestrzennych napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku UFB w strukturach MOS
KRZYSZTOF PISKORSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
nr katalogowy: 39636
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Enhancement of immunity on MeV electron radiation of MOS structures by means of fluorine implantation from r.f. plasma
Małgorzata Kalisz
Robert Mroczyński
nr katalogowy: 70988
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-11
Obszerna klasa obwodów zawierających tranzystory MOS z krótkim kanałem
MICHAŁ TADEUSIEWICZ
STANISŁAW HAŁGAS
nr katalogowy: 1242
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10
Opracowanie modelu rozkładów parametrów elektrycznych struktury MOS w płaszczyźnie powierzchni okrągłej bramki tej struktury
Krzysztof PISKORSKI
Henryk M. PRZEWŁOCKI
nr katalogowy: 80143
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3
Analiza wpływu parametrów MOS kanału SiGe na charakterystyki C-U kondensatora
L. Łukasiak. A. Jakubowski
nr katalogowy: 9008
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-5
Książki
nr katalogowy: 35110
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3
Characterization of mos structures with ultrathin insulator layer by means of a theoretical model
BOGDAN MAJKUSIAK
nr katalogowy: 58380
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-10
Wpływ zjawiska samonagrzewania na charakterystyki statyczne tranzystorów TrenchMOS
KRZYSZTOF GÓRECKI
JANUSZ ZARĘBSKI
nr katalogowy: 39275
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Modelowanie struktur MOS z podwójną barierą potencjału
ANDRZEJ MAZURAK
JAKUB WALCZAK
BOGDAN. MAJKUSIAK
nr katalogowy: 58267
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-12
Finding multiple DC operating points of simulated submicrometer technology MOS circuits
Michał Tadeusiewicz
Marek Ossowski
nr katalogowy: 81440
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Small-signal microwave measurements and modeling of GaN FET devices manufactured by ITME
Paweł BARMUTA
Arkadiusz LEWANDOWSKI
Konstanty ŁUKASIK
Dominique SCHREURS
Lech DOBRZAŃSKI
nr katalogowy: 93227
10.15199/48.2015.09.03
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-9
Wpływ zjawisk cieplnych na parametry dynamiczne tranzystora IGBT
Paweł GÓRECKI
nr katalogowy: 115810
10.15199/48.2018.09.11
IGBT
samonagrzewanie
charakterystyki dynamiczne
parametry dynamiczne
przełączanie
pomiary.
IGBT
self-heating
waveforms
dynamic parameters
switching
measurements
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-10
Porównanie charakterystyk statycznych bipolarnych tranzystorów mocy wykonanych z krzemu i węglika krzemu
JANUSZ ZARĘBSKI
DAMIAN BISEWSKI
JOANNA PATRZYK
nr katalogowy: 87375
10.15199/ELE-2014-184
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-7
Wzmacniacz pseudoróżnicowy CMOS, sterowany z elektrod podłoża o ulepszonej liniowości
Tomasz KULEJ
nr katalogowy: 60811
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC
Mariusz Sochacki
Norbert Kwietniewski
Andrzej Taube
Krystian Król
Jan Szmidt 
nr katalogowy: 79301
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007-II
The magnetic sensitive MOS structures
George CARUNTU
Cornel PANAIT
nr katalogowy: 30402
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Straty mocy i rezystancja zastępcza związane z przeładowywaniem nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora MOSFET
Zbigniew KACZMARCZYK
Michał ZELLNER
Krystian FRANIA
nr katalogowy: 112454
10.15199/48.2018.03.10
falowniki rezonansowe
tranzystory MOSFET
nieliniowa pojemność
wysoka częstotliwość
straty mocy
resonant inverters
MOSFET transistors
nonlinear capacitance
high-frequency
power losses
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10
Wpływ doboru rdzenia dławika na nieizotermiczne charakterystyki przetwornicy buck
Krzysztof Górecki
Kalina Detka
nr katalogowy: 63243
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Określanie schematów pasmowych struktur MOS o różnej metalizacji bramki na podłożu 3C-SiC
KRZYSZTOF PISKORSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62685
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3
Thermal stability of SiC MOS transistors
WITOLD J. STEPOWICZ
nr katalogowy: 58376
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Charakteryzacja elektryczna ceramicznej oprawki tranzystora RF
PAWEŁ KOPYT
DANIEL GRYGLEWSKI
PRZEMYSŁAW KORPAS
WOJCIECH WOJTASIAK
WOJCIECH GWAREK
nr katalogowy: 62677
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-3
Analiza wpływu samonagrzewania na charakterystyki liniowego stabilizatora napięcia z tranzystorem MOS
KRZYSZTOF GÓRECKI
JANUSZ ZARĘBSKI
nr katalogowy: 41995
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-10
Elipsometryczna metoda określania naprężeń w strukturach MOS
Witold Rzodkiewicz
nr katalogowy: 63251
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wpływ materiału bramki, metody wytwarzania SiO2 i efektu krawędzi bramki na rozkłady gęstości pułapek powierzchniowych w kondensatorach MOS na 3C-SiC
TOMASZ GUTT
TOMASZ MAŁACHOWSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
OLOF ENGSTROM
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62686
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-5
Parametric fault detection in analog circuits containing MOS transistors
Andrzej KUCZYŃSKI
nr katalogowy: 59959
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-3b
Minimum Operating Supply Voltage of MCML Circuits
Jianping HU
Haiyan NI
nr katalogowy: 75257
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-2
Modeling of InAs/Si Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor
Piotr WIŚNIEWSKI
Bogdan MAJKUSIAK
nr katalogowy: 136090
10.15199/48.2022.02.30
modelowanie numeryczne
tunelowanie
TFET
przyrządy półprzewodnikowe.
numerical modeling
tunneling
TFET
semiconductor devices.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-2
Modeling of InAs/Si Electron-Hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor
Piotr WIŚNIEWSKI
Bogdan MAJKUSIAK
nr katalogowy: 136090
10.15199/48.2022.02.30
modelowanie numeryczne
tunelowanie
TFET
przyrządy półprzewodnikowe.
numerical modeling
tunneling
TFET
semiconductor devices.
PRZEGLĄD MECHANICZNY 2018-7-8
Dobór parametrów procesu skrawania dla wybranych modeli wytwarzanych z tworzyw sztucznych
MARIUSZ OLEKSY
MAŁGORZATA ZABORNIAK
LESŁAW KOŁCZ
nr katalogowy: 115415
10.15199/148.2018.7-8.9
obróbka skrawaniem
tworzywa polimerowe
machining
polymeric materials
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Badania właściwości struktur MOS na SiC dla wybranych rozwiązań technologiczno-konstrukcyjnych
Tomasz Gutt
Krzysztof Piskorski
Henryk M. Przewłocki
Paweł Borowicz
nr katalogowy: 70975
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-12
Jednołącznikowy falownik napięciowy klasy E w zastosowaniu do nagrzewania indukcyjnego – topologia, cykle pracy oraz koncepcja sterowania modelu układu – Część II
Aleksander Skała
Zbigniew Waradzyn
nr katalogowy: 81438
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-5
Opis procesu wyłączania tranzystora MOSFET w przekształtnikach wysokiej częstotliwości
Piotr GRZEJSZCZAK
nr katalogowy: 98196
10.15199/48.2016.05.32
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-7
Tranzystory mocy typu MOS z węglika krzemu
J. Zarębski
nr katalogowy: 1068
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-2
Behawioralny model tranzystora IGBT
Marek TURZYŃSKI
Piotr J. CHRZAN
nr katalogowy: 49924
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-12
Sterownik bramkowy dla tranzystorów SiC pracujących w układzie mostka
Jacek RĄBKOWSKI
Mariusz ZDANOWSKI
Roman BARLIK
nr katalogowy: 73368
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8
Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC-JFET
Kamil BARGIEŁ
Damian BISEWSKI
nr katalogowy: 115220
10.15199/48.2018.08.17
tranzystor JFET
węglik krzemu
zjawisko samonagrzewania.
JFET
silicon carbide
self-heating phenomenon.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-7
Właściwości i badania laboratoryjne wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF z ćwierćfalową linią długą
Piotr LEGUTKO
Zbigniew KACZMARCZYK
nr katalogowy: 126986
10.15199/48.2020.07.20
falownik rezonansowy
falownik klasy EF
nieskostratny sterownik bramkowy
algorytm genetyczny
resonant inverters
Class EF inverter
high-frequency
soft-switching
low-losses gate driver
genetic algorithm
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-9
A quasi-2D small-signal MOSFET model - main results
Wiesław Kordalski
nr katalogowy: 86751
10.15199/ELE-2014-131
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2021-2
Wpływ złożoności biblioteki termicznej tranzystora IGBT w programie PLECS na dokładność wyznaczania temperatury jego wnętrza
Paweł GÓRECKI
Agata BIELECKA
Daniel WOJCIECHOWSKI
nr katalogowy: 130168
10.15199/48.2021.02.04
IGBT
PLECS
analiza elektrotermiczna
przekształtniki DC-DC
temperatura wnętrza
zjawiska cieplne
IGBT
PLECS
electrothermal simulations
DC-DC converters
junction temperature
thermal phenomena
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2013-8
Badania właściwości tranzystora Z-FET MOSFET wykonanego z węglika krzemu CMF20120D firmy CREE
Tomasz Sak
Marcin Parchomiuk
nr katalogowy: 78254
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-2-3
Badanie wpływu temperatury na parametry elektryczne struktur MOS
M. Lesko
H. M. Przewłocki
nr katalogowy: 9007
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-10
Model wpływu rozrzutu długości bramek tranzystorów MOS na równomierność rozprowadzania sygnału zegara w buforowanych H-drzewach
D. Kasprowicz
nr katalogowy: 9143
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2006-11
Opracowanie fotoelektrycznej metody badania rozkładu napięcia wyprostowanych pasm w płaszczyźnie powierzchni bramki struktur MOS
K. Piskorski
H.M. Przewłocki
nr katalogowy: 21479
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-10
Wytwarzanie ultracienkich warstw SiO2 za pomocą niskotemperaturowego utleniania w plazmie w. cz.
T. Bieniek
R. B. Beck
A. Jakubowski
A. Kudła
nr katalogowy: 1235
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2016-8
Kompleksowa charakteryzacja nowoczesnych struktur nanoelektronicznych przy użyciu Uniwersalnego Systemu Pomiarów Fotoelektrycznych
K. Piskorski
M. Niemiec
L. Borowicz
H. M. Przewłocki
nr katalogowy: 100440
10.15199/13.2016.8.9
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2005-12
Charakterystyki statyczne tranzystora mocy SiC MESFET
J. Zarębski
D. Bisewski
nr katalogowy: 9205
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-6
Pojemności pasożytnicze w układach energoelektronicznych
Maciej CHOJOWSKI
Stanisław PIRÓG
Marcin BASZYŃSKI
Aleksander DZIADECKI
nr katalogowy: 126573
10.15199/48.2020.06.14
pojemność pasożytnicza
pojemność tranzystora
pojemności transformatora.
parasitic capacitance
transistor capacitance
capacitance of the transformer.
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2006-8
Laser tranzystorowy - sygnały optyczne i elektryczne
nr katalogowy: 21205
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-5
Wysokoczęstotliwościowe drajwery tranzystorów MOSFET mocy
Piotr LEGUTKO
nr katalogowy: 84489
10.12915/pe.2014.05.051
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2014-7
Porównanie parametrów tranzystorów MO SFET wykonanych w technologii Si oraz SiC
WITOLD Kardyś
Krystian Król
nr katalogowy: 85782
10.15199/ELE-2014-066
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2004-10
Modelowanie wpływu parametrów tranzystora HBTz bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora APSYS 2000
A. Linkowski
L. Łukasiak
A. Jakubowski
nr katalogowy: 1219
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8
Problematyka określenia sprawności niskostratnych drajwerów pracujących z częstotliwością 30 MHz
Piotr LEGUTKO
Marcin KASPRZAK
Kamil KIEREPKA
nr katalogowy: 115231
10.15199/48.2018.08.28
sterownik bramkowy
niskostratny drajwer
sprawność
tranzystor MOSFET
wysoka częstotliwość.
driver
MOSFET Transistor
low-losses driver
high-frequency
efficiency
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Charakterystyki statyczne i parametry tranzystorów MOSFET mocy z krzemu i z węglika krzemu
Krzysztof Górecki
Janusz Zarębski
nr katalogowy: 70992
MATERIAŁY BUDOWLANE 2008-11
Nasuwanie wzdłużne - wpływ podpór pośrednich na sprężenie centryczne i nie tylko
Andrzej Berger
Wojciech Radomski
nr katalogowy: 39418
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Modelowanie wybranych efektów krótkiego kanału w dwubramkowym tranzystorze MOS
ANNA SAWICKA
LIDIA ŁUKASIAK
ANDRZEJ JAKUBOWSKI
nr katalogowy: 37993
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-7b
Modelling and Near-Threshold Computing of Power-Gating Adiabatic Logic Circuits
Jianping HU
Qi CHEN
nr katalogowy: 69341
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-9
Badanie wpływu naprężeń mechanicznych na wartość napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS
Krzysztof Piskorski
nr katalogowy: 93957
10.15199/13.2015.9.14
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2007-4
O pomiarach jakości sieci IP
Sławomir KUKLIŃSKI
Michał ŁOPACKI
nr katalogowy: 25486
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-12
Wpływ wyboru parametru termoczułego na zmierzone wartości rezystancji termicznej tranzystora IGBT
Krzysztof GÓRECKI
Paweł GÓRECKI
nr katalogowy: 129277
10.15199/48.2020.12.20
tranzystor IGBT
pomiary
parametry termoczułe
rezystancja termiczna
IGBTs
measurements
thermo-sensitive parameters
thermal resistance
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Falownik klasy DE 13,56 MHz/450 W – wpływ nieliniowej pojemności wyjściowej tranzystora Mosfet na sterowanie metodą AM
Marcin KASPRZAK
nr katalogowy: 67705
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2015-12
Wpływ domieszkowania na właściwości węglika krzemu (SiC) - przegląd
Katarzyna Racka-Szmidt
nr katalogowy: 95862
10.15199/13.2015.12.14
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-10
Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for electronic sensing applications
Maciej ŁUSZCZEK
Marek TURZYŃSKI
Dariusz ŚWISULSKI
nr katalogowy: 94024
10.15199/48.2015.10.34
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-6
Quasi - rezonansowy przekształtnik podwyższający napięcie z dławikiem sprzężonym
Michał HARASIMCZUK
nr katalogowy: 106218
10.15199/48.2017.06.18
przekształtnik DC - DC
przekształtnik quasi - rezonansowy
przełączanie przy zerowym prądzie
dławik sprzężony
DC/DC converters
quasi - resonant(QR)
zero current switching (ZCS)
tapped inductor
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9
Zasilacz sterowany cyfrowo z przetwornicą reverse buck
Przemysław PTAK
Krzysztof GÓRECKI
Dawid KLEWER
nr katalogowy: 145281
10.15199/48.2023.09.59
Przetwornica DC-DC
topologia reverse buck
Si
GaN
MOSFET
JFET
DC-DC converter
reverse buck topology
Si
GaN
MOSFET
JFET
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-10
Charakterystyki i parametry tranzystora SiC BJT
Joanna PATRZYK
Janusz ZARĘBSKI
Damian BISEWSKI
nr katalogowy: 150788
10.15199/48.2024.10.62
BJT
silicon carbide
SPICE
modeling
tranzystor bipolarny
węglik krzemu
SPICE
modelowanie
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2017-8
Zależności fazowe w małosygnałowym opisie przekształtników napięcia stałego
Marcin WALCZAK
Włodzimierz JANKE
nr katalogowy: 108537
10.15199/48.2017.08.25
BUCK
charakterystyki częstotliwościowe
control-to-output
BUCK converter
frequency characteristics
control-to-output
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1
Opracowanie fotoelektrycznej metody LPT pomiaru napięcia wyprostowanych pasm UFB w półprzewodniku
KRZYSZTOF PISKORSKI
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
nr katalogowy: 32595
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-11
Badania właściwości fizycznych warstwy SiO2 pod bramką aluminiową
LECH BOROWICZ
WITOLD RZODKIEWICZ
MIROSŁAW KULIK
dr PAWEŁ BOROWICZ
nr katalogowy: 39635
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-6
Oscylator pierścieniowy CMOS jako układ detekcji odkształcenia nanoczułych mikrosond krzemowych
PIOTR DUMANIA
JAN ŁYSKO
HELENA KŁOS
MIROSŁAW GRODNER
KARINA SKWARA
DARIUSZ SZMIGIEL
nr katalogowy: 35676
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-2
Modelowanie napięcia progowego w niedomieszkowanych dwubramkowych strukturach MOS
PAWEŁ SAŁEK
LIDIA ŁUKASIAK ANDRZEJ JAKUBOWSKI
nr katalogowy: 58262
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007-2
Control characteristics of multiresonant ZVS boost converter
Elżbieta SZYCHTA
nr katalogowy: 23931
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2012-6
Jednoatomowy tranzystor
nr katalogowy: 72500
CHŁODNICTWO 2012-1-2
Sieci neuronowe jako alternatywny sposób uzyskania modelu obliczeniowego
Radosław Kołoła
Ewa Klugmann-Radziemska
nr katalogowy: 66003
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2007-6
Generator impulsów pikosekundowych na tranzystorach MESFET - projekt i realizacja praktyczna
TOMASZ DANILUK
nr katalogowy: 26923
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Model DC tranzystora GaN HEMT z uwzględnieniem parametrów fizycznych
Wojciech WOJTASIAK
Dawid KUCHTA
nr katalogowy: 93278
10.15199/48.2015.09.54
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2007-II
The magnetic microsensors response
Cornel PANAIT
George CĂRUNTU
nr katalogowy: 30401
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Technologia i zastosowanie warstw tlenko-azotków krzemu wytwarzanych metodą PECVD do struktur pamięciowych z podwójną warstwą dielektryczną (SiOxNy-HfO2)
ROBERT MROCZYŃSKI
ROMUALD B. BECK
nr katalogowy: 37995
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE 2019-7
KODOWANIE SZEROKOPASMOWEGO SYGNAŁU MOWY Z MAŁYM OPÓŹNIENIEM I ZMIENNĄ PRZEPŁYWNOŚCIĄ BINARNĄ
Przemysław Dymarski
nr katalogowy: 121128
10.15199/59.2019.7.22
CELP
LD-CELP
MOS
zmienna przepływność binarna.
CELP
LD-CELP
MOS
VBR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1
Characterization of MOS structures with multilayer high-k insulator
TOMASZ GUTT
nr katalogowy: 32594
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Modelowanie prądu pompowania ładunku w dwubramkowych strukturach MOS z bardzo cienką warstwą aktywną
LIDIA ŁUKASIAK
DANIEL TOMASZEWSKI
ANNA SAWICKA
GRZEGORZ GŁUSZKO
MARCIN IWANOWICZ
ANDRZEJ JAKUBOWSKI
nr katalogowy: 37987
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2019-10
Multiwibrator astabilny jako przykład układu tranzystorowego ze sprzężeniem zwrotnym w nauczaniu podstaw elektroniki
Adam DĄBROWSKI
Paweł PAWŁOWSKI
nr katalogowy: 122730
10.15199/48.2019.10.27
nauczanie elektroniki
multiwibrator astabilny
tranzystor bipolarny.
teaching of electronics
astable multivibrator
bipolar transistor
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-9
Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky’ego
NORBERT KWIETNIEWSKI
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
MAREK GUZIEWICZ
ELIANA KAMIŃSKA
ANNA PIOTROWSKA
nr katalogowy: 37981
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2020-3
WZMACNIACZE AKUSTYCZNE Z GAN (1)
nr katalogowy: 125612
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-2
Analiza efektu dyspersji w modelu antenowym kanału wyładowania atmosferycznego z rozłożoną indukcyjnością
Karol ANISEROWICZ
nr katalogowy: 96902
10.15199/48.2016.02.02
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2024-9
Wysokosprawny sterownik bramkowy 4xUCC27516 pracujący w zakresie częstotliwości do 30MHz
Piotr LEGUTKO
nr katalogowy: 150384
10.15199/48.2024.09.45
sterownik bramkowy
małostratny drajwer
sprawność
tranzystor MOSFET
wysoka częstotliwość
driver
MOSFET Transistors
low-losses driver
efficiency
high-frequency
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2005-5
WYDAWNICTWA
nr katalogowy: 15276
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2008-1
Tranzystory TFT z amorficznego GaN otrzymane na powierzchni krzemowej lub kwarcowej z metalizowanym wzorem
ANDRZEJ JAGODA
BEATA STAŃCZYK
LECH DOBRZAŃSKI
ANNA ROJEK
nr katalogowy: 32596
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-11
Rezonansowy wzmacniacz klasy E z tranzystorem GaN - wybrane praktyczne aspekty
Mirosław MIKOŁAJEWSKI
nr katalogowy: 116859
10.15199/48.2018.11.19
wzmacniacz klasy E
tranzystor GaN
kluczowanie ZVS
zabezpieczenie przepięciowe.
Class E amplifier
GaN transistor
ZVS switching
overvoltage protection.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Zastosowanie metody MPAS do określania przekrojów czynnych pułapek powierzchniowych w węgliku krzemu
Tomasz Gutt
Henryk M. Przewłocki
nr katalogowy: 79295
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-3
Modeling the charge trapping effect in high-K gate stacks on the tunnel current
ANDRZEJ MAZURAK
BOGDAN MAJKUSIAK
nr katalogowy: 58381
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-8
Charakterystyki i parametry tranzystora mocy SiC SJT
Joanna SZELĄGOWSKA
nr katalogowy: 115223
10.15199/48.2018.08.20
tranzystor SJT
węglik krzemu
samonagrzewanie.
SJT
silicon carbide
self-heating phenomenon
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-4
PODWÓJNA FUNKCJA TRANZYSTORA MOCY MOSFET
nr katalogowy: 142999
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-6
Planarne polowe źródło elektronów
TOMASZ GRZEBYK
ANNA GÓRECKA-DRZAZGA
nr katalogowy: 52278
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2023-4
PODWÓJNA FUNKCJA TRANZYSTORA MOCY MOSFET
nr katalogowy: 142999
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2022-8
Początki mikroprocesorów – od tajnych zastosowań wojskowych do rewolucji informatycznej
Jacek Nowicki
nr katalogowy: 138842
10.15199/74.2022.8.3
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2022-8
Początki mikroprocesorów – od tajnych zastosowań wojskowych do rewolucji informatycznej
Jacek Nowicki
nr katalogowy: 138842
10.15199/74.2022.8.3
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2022-8
Początki mikroprocesorów – od tajnych zastosowań wojskowych do rewolucji informatycznej
Jacek Nowicki
nr katalogowy: 138842
10.15199/74.2022.8.3
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wpływ procesu wygrzewania wysokotemperaturowego na parametry elektryczne struktury MOS Al/SiO2/n-4H-SiC (0001)
MAŁGORZATA KALISZ
KRYSTIAN KRÓL
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 62688
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-10
System zarządzania laboratorium jako narzędzie archiwizacji i oceny jakościowej wyników pomiarów
TOMASZ MAŁACHOWSKI
WITOLD RZODKIEWICZ
nr katalogowy: 55004
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2023-9
Wpływ mozaiki płytki drukowanej na parametry cieplne tranzystorów MOS mocy w obudowach D2PAC
Krzysztof GÓRECKI
Krzysztof POSOBKIEWICZ
nr katalogowy: 145262
10.15199/48.2023.09.40
parametry cieplne
tranzystory MOS mocy
samonagrzewanie
wzajemne sprzężenia cieplne
thermal parameters
power MOSFETs
self-heating
mutual thermal couplings
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-9
Charge pumping characterization of MISFETs with SiO2/BaTiO3 as a gate stack
Piotr FIREK
Grzegorz GŁUSZKO
Lidia ŁUKASIAK
Jan SZMIDT
Andrzej JAKUBOWSKI
Mariusz SOCHACKI
nr katalogowy: 86905
10.12915/pe.2014.09.08
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Powtarzalność elektrycznej charakteryzacji oprawki zawierającej połączenia drutowe
Paweł Kopyt
Daniel Gryglewski
Wojciech Wojtasiak
Wojciech Gwarek
nr katalogowy: 70977
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-11
Reaktywne trawienie jonowe heterostruktur AlGaN/GaN w plazmie Cl2/BCl3
Jacek Gryglewicz
Waldemar Oleszkiewicz
Mateusz Wośko
Adam Szyszka
Bogdan Paszkiewicz
nr katalogowy: 64035
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-10
Organiczne elementy i urządzenia elektroniczne: techniki wytwarzania i właściwości
Ireneusz GŁOWACKI
nr katalogowy: 80123
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Wzmacniacz niskoszumny z tranzystorem GaN PolHEMT na pasmo L
Daniel GRYGLEWSKI
Marcin GÓRALCZYK
Szymon SOKÓŁ
nr katalogowy: 93235
10.15199/48.2015.09.01
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET
Adrian Pietruszka
Paweł Górecki
Jacek Tarasiuk
Agata Skwarek
nr katalogowy: 139279
10.15199/48.2022.09.19
MOSFET
parametry termiczne
lutowanie
pustki lutownicze.
MOSFET
thermal parameters
soldering
solder voids.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET
Adrian Pietruszka
Paweł Górecki
Jacek Tarasiuk
Agata Skwarek
nr katalogowy: 139279
10.15199/48.2022.09.19
MOSFET
parametry termiczne
lutowanie
pustki lutownicze.
MOSFET
thermal parameters
soldering
solder voids.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET
Adrian Pietruszka
Paweł Górecki
Jacek Tarasiuk
Agata Skwarek
nr katalogowy: 139279
10.15199/48.2022.09.19
MOSFET
parametry termiczne
lutowanie
pustki lutownicze.
MOSFET
thermal parameters
soldering
solder voids.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2022-9
Wpływ rozmieszczenia pustek lutowniczych na parametry cieplne tranzystorów MOSFET
Adrian Pietruszka
Paweł Górecki
Jacek Tarasiuk
Agata Skwarek
nr katalogowy: 139279
10.15199/48.2022.09.19
MOSFET
parametry termiczne
lutowanie
pustki lutownicze.
MOSFET
thermal parameters
soldering
solder voids.
MATERIAŁY BUDOWLANE 2016-5
Modele nośności granicznej ścian ścinanych - podstawy teoretyczne
Radosław Jasiński
nr katalogowy: 98332
10.15199/33.2016.05.61
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008-9
Wielomianowe modele współczynnika dynamiki czujników temperatury w warunkach zmiennych przepływów gazu
Paweł JAMRÓZ
nr katalogowy: 37884
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-11
Różnicowa bramka prądowa dla zastosowań układów kryptograficznych
Krzysztof GOŁOFIT
nr katalogowy: 48170
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2022-8
Początki mikroprocesorów – od tajnych zastosowań wojskowych do rewolucji informatycznej
Jacek Nowicki
nr katalogowy: 138842
10.15199/74.2022.8.3
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-5
Analysis of CMOS circuits having multiple DC operating points
Stanisław HAŁGAS
Michał TADEUSIEWICZ
nr katalogowy: 59946
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-2a
Optimization of the test conditions for fault detection in nonlinear analog circuits using supply current
Andrzej KUCZYŃSKI
Marek OSSOWSKI
nr katalogowy: 74447
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a
Mikrokontroler w roli sterownika PWM przetwornicy impulsowej
Jacek CHĘCIŃSKI
Zdzisław FILUS
nr katalogowy: 55720
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-3
Falownik klasy E (30 MHz, 300 W) z niskostratnym drajwerem hybrydowym
Piotr LEGUTKO
nr katalogowy: 112457
10.15199/48.2018.03.13
falownik klasy E
niskostratny drajwer
tranzystor MOSFET
straty mocy
drajwer hybrydowy
cienkie połączenia drutowe
technologia platerowania.
class E Inverter
low-losses driver
resonant inverter
MOSFET Transistor
power losses
thermal clad
hybrid driver
wirebonding
ball-bonding.
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2024-7
PORÓWNANIE CHARAKTERYSTYK PRZETWORNICY SEPIC ZAWIERAJĄCEJ TRANZYSTORY MOSFET WYKONANE Z KRZEMU I WĘGLIKA KRZEMU
Michał Downar-Zapolski
nr katalogowy: 149636
10.15199/13.2024.7.8
węglik krzemu (SIC)
krzem (SI)
prze twornica dc-dc
SEPIC
tranzystor (SiC)
carborundum (SIC)
dc-dc converters
SEPIC
transistor (SiC)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2008-12
Siatkowa reprezentacja obszarów przewodzących w polowych modelach maszyn elektrycznych
Andrzej DEMENKO
Rafał WOJCIECHOWSKI
Jan SYKULSKI
nr katalogowy: 40192
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-7
Modelowanie i symulacja maszyn elektrycznych z komutatorem elektronicznym, fotoelektrycznym lub mechanicznym
Jan PROKOP
nr katalogowy: 45595
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2009-9
Dyskretne metody opisu pola elektromagnetycznego
Andrzej DEMENKO
nr katalogowy: 46018
CHŁODNICTWO 2017-1-2
WinPOWER - rodzina nowoczesnych agregatów wody lodowej Rhoss
Andrzej Rządzki
nr katalogowy: 104204
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2017-3
Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów
Małgorzata Franz
Jan Godlewski
nr katalogowy: 104807
10.15199/13.2017.3.5
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-4b
Modelowanie wpływu pojemności pasożytniczych oraz czasu martwego na napięcia wyjściowe falowników wielopoziomowych typu NPC
Krzysztof Jakub SZWARC
Artur CICHOWSKI
Janusz NIEZNAŃSKI
Paweł SZCZEPANKOWSKI
nr katalogowy: 67725
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Konstrukcja i modelowanie tranzystorów wertykalnych DIMOSFET w węgliku krzemu
ANDRZEJ TAUBE
MARIUSZ SOCHACKI
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 62666
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2013-9
Termiczny model tranzystora HEMT na podłożu GaN/SiC
Paweł Kopyt
Wojciech Wojtasiak
Daniel Gryglewski
nr katalogowy: 79296
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-2
Measurements of transient thermal impedance of SiC BJT
Joanna SZELĄGOWSKA
Damian BISEWSKI
Janusz ZARĘBSKI
nr katalogowy: 124715
10.15199/48.2020.02.42
BJT
transient thermal impedance
thermal resistance
silicon carbide.
przejściowa impedancja termiczna
rezystancja termiczna
tranzystor bipolarny
węglik krzemu.
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-7b
QoE Optimized Resource Allocation in Multiuser OFDM Systems
Feng CHEN
Xiaowei QIN
Guo WEI
nr katalogowy: 69353
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Kompleksowa charakteryzacja struktur elektronicznych na podłożach SiC metodami fotoelektrycznymi, elektrycznymi i optycznymi
HENRYK M. PRZEWŁOCKI
TOMASZ GUTT
KRZYSZTOF PISKORSKI
WITOLD RZODKIEWICZ
PAWEŁ BOROWICZ
ROMAIN ESTEVE
MIETEK BAKOWSKI
nr katalogowy: 62667
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-6
An Improvement of CMOS Voltage Reference
Wachirapunya PUNYAWONG
Worawat SA-NGIAMVIBOOL
Apinan AURASOPON
Saweth HONGPRASIT
nr katalogowy: 77560
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2013-3b
Image and video quality assessment with the use of various verification databases
Krzysztof OKARMA
nr katalogowy: 75333
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2011-4
A novel voltage-to-voltage logarithmic converter with high accuracy
Ahmad GHANAAtTIAN-JAHROMI
Adib ABRISHAMIFAR
Ali MEDI
nr katalogowy: 59150
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-11a
An influence of current-leakage in analog memory on training Kohonen neural network implemented on silicon
Rafał DŁUGOSZ
Tomasz TALAŚKA
Ryszard WOJTYNA
nr katalogowy: 55714
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Zastosowanie podłoży DBC w praktycznych realizacjach układów elektroniki dużej mocy
Wojciech GRZESIAK
Piotr MAĆKÓW
Tomasz MAJ
Jan KULAWIK
Beata SYNKIEWICZ
Krzysztof WITEK
nr katalogowy: 93237
10.15199/48.2015.09.13
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2020-11
Teoretyczne i przydatne eksperymentalnie modele szumów
Adam KOWALCZYK
nr katalogowy: 128824
10.15199/48.2020.11.10
szum biały
szum dolnopasmowy
funkcja autokorelacji
gęstość widmowa mocy
white noise
low-band noise
autocorrelation function
power spectral density.
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA 2012-23-24
Technologie społeczeństwa informacyjnego (2)
P. Filipkowski
M. Horodelski
A. Kozłowski
P. Kurowski
br. J. Lasyk
W. Mruk
D. Oleszczuk
nr katalogowy: 72241
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA 2013-3
Współczesne modele i wzorniki barw stosowane dla potrzeb nowoczesnego przemysłu
Izabella Agnieszka Król
nr katalogowy: 75566
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2014-11
Nowa metoda sterowania trójfazowym przekształtnikiem AC/DC
Agata GODLEWSKA
Andrzej SIKORSKI
nr katalogowy: 87747
10.12915/pe.2014.11.21
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-4
Wysokoczęstotliwościowe, dyskretne drajwery małej mocy dedykowane do tranzystorów MOSFET serii DE
Piotr LEGUTKO
nr katalogowy: 97605
10.15199/48.2016.04.07
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2016-3
Trójfazowy dwupoziomowy falownik napięcia z łagodnym przełączaniem tranzystorów odpornym na zakłócenia sterowania
Witold MAZGAJ
Bartosz ROZEGNAŁ
Zbigniew SZULAR
nr katalogowy: 97028
10.15199/48.2016.03.36
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2015-9
Parametry tranzystorów GaN HEMT - wyniki I etapu projektu PolHEMT
Wojciech WOJTASIAK
Wojciech GWAREK
Anna PIOTROWSKA
Eliana KAMIŃSKA
nr katalogowy: 93279
10.15199/48.2015.09.55
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA 2011-5
Nowe modele w ofercie sterowników SIMATIC S7-300
nr katalogowy: 63112
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2018-6
Problem zwarć skrośnych w scalonych sterownikach bramkowych pracujących z częstotliwością 30 MHz
Piotr LEGUTKO
nr katalogowy: 114161
10.15199/48.2018.06.13
sterownik bramkowy
niskostratny drajwer
tranzystor MOSFET
wysoka częstotliwość
zwarcia skrośne
straty mocy.
MOSFET driver
MOSFET
low-losses driver
high-frequency
power losses
short circuit.
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE 2006-12
Ciągłe i dyskretne przestrzennie modele obwodowe eksplozyjnego kompresora strumienia magnetycznego. Część II. Przebiegi napięć i prądów, wyniki symulacji komputerowych
Zdzisław Trzaska
nr katalogowy: 23191
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA 2017-2
Modele estymacji sum dobowych promieniowania słonecznego Część 2. Modele oparte na pomiarze temperatury powietrza
DARIUSZ CZEKALSKI
PAWEŁ OBSTAWSKI
nr katalogowy: 104164
10.15199/9.2017.2.3
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY 2023-8
Modele matematyczne w data science
Wojciech Moszczyński
nr katalogowy: 144323
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-3
Technika linearyzacji niskoszumnego wzmacniacza mikrofalowego metodą superpozycji pochodnej
Waldemar SUSEK
Bronisław STEC
nr katalogowy: 50491
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2010-2
Właściwości obwodów typu π1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy dla różnych wartości dobroci wypadkowej
JULIUSZ MODZELEWSKI
nr katalogowy: 50171
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2010-2
Falownik klasy DE 13,56MHz/500W ze sterownikiem typu flyback
Marcin KASPRZAK
Dawid RĘDZIA
nr katalogowy: 49953
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2009-4
Drgania pasożytnicze poniżej częstotliwości roboczej w rezonansowych wzmacniaczach mocy z obwodem wyjściowym typu π1a
JULIUSZ MODZELEWSKI
nr katalogowy: 44080
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2012-9
Kontrolowane trawienia plazmą BCl3/Ar cienkich warstw AlGaN dla technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN
Renata Kruszka
Krystyna Gołaszewska
Andrzej Taube
Zuzanna Sidor
Michał Borysiewicz
Zbigniew R. Żytkiewicz
Eliana Kamińska
Anna Piotrowska
nr katalogowy: 70966
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY 2012-1a
Hybrid IGBT-IGCT Switch
Andrei BLINOV
Dmitri VINNIKOV
Volodymyr IVAKHNO
Volodymyr ZAMARUEV
nr katalogowy: 65331
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-9
Wytwarzanie i charakteryzacja cienkich warstw tlenku hafnu dla zastosowań w technologii MOSFET w węgliku krzemu
ANDRZEJ TAUBE
KATARZYNA KORWIN-MIKKE
TOMASZ GUTT
TOMASZ MAŁACHOWSKI
IWONA PASTERNAK
MAREK WZOREK
ADAM ŁASZCZ
MARIUSZ PŁUSKA
WITOLD RZODKIEWICZ
ANNA PIOTROWSKA
SYLWIA GIERAŁTOWSKA
MARIUSZ SOCHACKI
ROBERT MROCZYŃSKI
ELŻBIETA DYNOWSKA
JAN SZMIDT
nr katalogowy: 62687
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA 2011-8
Technologia Osadzania Warstw Atomowych – zastosowania w elektronice
MAREK GODLEWSKI
ELŻBIETA GUZIEWICZ
GRZEGORZ ŁUKA
SYLWIA GIERAŁTOWSKA
TOMASZ A. KRAJEWSKI
ŁUKASZ WACHNICKI
nr katalogowy: 61961
Czasopisma
ATEST - OCHRONA PRACY
AURA
AUTO MOTO SERWIS
CHEMIK
CHŁODNICTWO
CIEPŁOWNICTWO, OGRZEWNICTWO, WENTYLACJA
DOZÓR TECHNICZNY
ELEKTROINSTALATOR
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA
GAZETA CUKROWNICZA
GAZ, WODA I TECHNIKA SANITARNA
GOSPODARKA MIĘSNA
GOSPODARKA WODNA
HUTNIK - WIADOMOŚCI HUTNICZE
INŻYNIERIA MATERIAŁOWA
MASZYNY, TECHNOLOGIE, MATERIAŁY - TECHNIKA ZAGRANICZNA
MATERIAŁY BUDOWLANE
OCHRONA PRZECIWPOŻAROWA
OCHRONA PRZED KOROZJĄ
ODZIEŻ
OPAKOWANIE
PACKAGING REVIEW
POLISH TECHNICAL REVIEW
PROBLEMY JAKOŚCI
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY
PRZEGLĄD GASTRONOMICZNY
PRZEGLĄD GEODEZYJNY
PRZEGLĄD MECHANICZNY
PRZEGLĄD PAPIERNICZY
PRZEGLĄD PIEKARSKI I CUKIERNICZY
PRZEGLĄD TECHNICZNY. GAZETA INŻYNIERSKA
PRZEGLĄD TELEKOMUNIKACYJNY - WIADOMOŚCI TELEKOMUNIKACYJNE
PRZEGLĄD WŁÓKIENNICZY - WŁÓKNO, ODZIEŻ, SKÓRA
PRZEGLĄD ZBOŻOWO-MŁYNARSKI
PRZEMYSŁ CHEMICZNY
PRZEMYSŁ FERMENTACYJNY I OWOCOWO-WARZYWNY
PRZEMYSŁ SPOŻYWCZY
RUDY I METALE NIEŻELAZNE
SZKŁO I CERAMIKA
TECHNOLOGIA I AUTOMATYZACJA MONTAŻU
WIADOMOŚCI ELEKTROTECHNICZNE
WOKÓŁ PŁYTEK CERAMICZNYCH
