Czasopismo | ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA | Rocznik 2012 - zeszyt 9

Zależność parametrów elektrycznych struktury MOS wykonanej na podłożu SiC od wielkości metalowej bramki

nr katalogowy: 70976

Jak wynika z badań prowadzonych w naszym laboratorium, niektóre parametry elektryczne struktur Al-SiO2-Si posiadają charakterystyczny, nierównomierny kształt rozkładu w płaszczyźnie powierzchni bramki [1-6]. Do parametrów tych należą: efektywna kontaktowa różnica potencjałów φMS, wysokość bariery potencjału na granicy metal-dielektryk EBG oraz napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku VFB. Otrzymane rozkłady przestrzenne charakteryzują się wartościami największymi na środku struktury, mniejszymi na jej krawędziach oraz najmniejszymi na rogach, a za taki kształt (wg naszej hipotezy) odpowiadają naprężenia mechaniczne panujące w warstwie dielektryka pod powierzchnią metalowej bramki [7-9]. Powyższe wyniki potwierdzono na różnych technologicznie strukturach Al-SiO2-Si (różna grubość bramki i dielektryka, różny poziom domieszkowania podłoża, itp.), co pozwala sądzić że również w przypadku struktur opartych na podłożu z węglika krzemu SiC (polityp 3C) możliwe będzie zaobserwowanie podobnych rozkładów. Na rysunku 1 przedstawiono wyniki pomiarów wartości φMS(x) w zależności od położenia małej plamki na powierzchni bramki (plamkę przesuwano wzdłuż przekątnej kwadratowej bramki oraz przez środek wzdłuż krawędzi bramki), natomiast rysunek 2 pokazuje analogiczny wynik otrzymany dla bariery EBG (w tym przypadku pomiary lokalnych wartości bariery potencjału przeprowadzono w obu kierunkach x i y, a następnie wartości te dopasowano wielomianem trzeciegi stopnia). Wyniki zaprezentowane na rysunkach 1 oraz 2 otrzymane zostały na podstawie pomiarów fotoelektrycznych wykorzystujących zjawisko fotoemisji wewnętrznej [10]. Strukturę oświetlono małą plamką (mniejszą od rozmiarów bramki badanej struktury), co pozwoliło na skanowanie powierzchni struktury i pomiar lokalnych wartości tych parametrów (φMS oraz EBG). W celu określenia podobnych zależności dla napięcia VFB nie można posłużyć się tą metodą (trwają prace nad opracowani[...]

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 70976 "Zależność parametrów elek..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - e-zeszyt (pdf) 2012-9 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	35.00 zł

Prenumerata

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

420.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - papierowa prenumerata roczna	528.00 zł brutto 488.89 zł netto 39.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

570.00 zł

ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	636.00 zł brutto 588.89 zł netto 47.11 zł VAT (stawka VAT 8%)

636.00 zł

Zeszyt

2012-9

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma